Tarea de Fet y Mosfet

Instituto Tecnolgico de San Juan del Ro
DISEO DE TRANSISTORES
VEGA MANCILLA SOFIA
P RE S E N T A:
RAMIREZ VAZQUEZ CARLOS EDUARDO
ING. ELECTRNICA
JFET
El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor, que se traduce como transistor
de efecto de campo) es un dispositivo electrnico activo unipolar.
IDEAS BSICAS
La figura13-1a muestra una seccin de semiconductor tipo n. El extremo inferior
se llama fuente (source) y el superior drenador (drain).La fuente de alimentacin
VDD obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenador. Para
producir un JFET, el fabricante difunde dos reas de semiconductor tipo p en el
semiconductor tipo n, como se muestra en la Figura 13-1b. Estas dos reas p
estn conectadas internamente para tener un solo terminal de conexin externo
llamado puerta (gate).
EFECTO DE
CAMPO
La figura 13-2 muestra la manera normal de polarizar un JFET. La tensin de

alimentacin del drenador es positiva y la de la puerta negativa. El termino efecto
de campo se relaciona con las zonas de deplexin que rodean a cada zona p. Las
uniones entre cada zona p y las zonas n tienes capas de deplexin debido a que
los electrones libres se difunden desde las zonas n en las zonas p. La
recombinacin de los electrones libres y los huecos crea las zonas de deplexin
mostradas por las reas sombreadas.
LA TENSIN DE
LA CORRIENTE DE
PUERTA CONTROLA
DRENADO
En la Figura 13-2, los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador
deben pasar a travs del estrecho canal situado entre las dos zonas de deplexin.
Cuando ms negativa sea la tensin de puerta, ms se expande la zona de
deplexin y ms estrecho ser el canal de conduccin. En otras palabras, la
tensin de puerta puede controlar la corriente a travs del canal. Cuanta ms
negativa sea la tensin de puerta, menor ser la corriente entre la fuente y el
drenador.
El JFET acta como un dispositivo controlado por tensin, ya que una tensin de
entrada controla una corriente de salida. En un JFET, la tensin puerta-fuente VGS
determina cuanta corriente circula entre la fuente y el drenador. Cuando V GS es
cero, la corriente mxima de drenado circula a travs del JFET. Por otra parte, si
VGS es suficientemente negativa, las capas de deplexin entran en contacto y la
corriente se corta.
MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls

Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar seales electrnicas.
ESTRUCTURA
El MOSFET consta de cuatro terminales:
Gate= Compuerta
Drain=Drenaje
Source=
Fuente
Body
o
Cuerpo o
Substrate=
Substrato
TIPOS
MOSFET
DE
Existen
de
MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
dos
tipos
transistores
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el

drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la
compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma
una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el
sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento
de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un
incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o
huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se
construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de
reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin
elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de
portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.
Figura 1.- MOSFET de empobrecimiento
FUNCIONAMIENTO
Cuando VGs= 0.
IDS circula libremente
Cuando VGS circula negativa o polarizada inversamente
IBG acta como barrera en IDS = 0.

A medida que VGS se hace ms negativa IBG aumenta e IDS disminuye.
Cuando VGS es positiva o polarizada inversamente
Hay camino libre para circular en IDS
Figura 2.- MOSFET de enriquecimiento
FUNCIONAMIENTO
Cuando VGs= 0.
G= S= B= 0, IDS= 0.
Cuando VGs es positiva y mayor que VT
VT= Tensin umbral.

Inyeccin de electrones en B, recombinndose con los huecos existentes
en dicha zona.
Los electrones libres se aglutinan en las proximidades de SiO 2 creacin
canal de conduccin entre D y S (Inversin superficial) I DS en funcin de VDS.
A medida que VGS es ms positiva, la anchura de canal es mayor.
Referencias
Principios de Electrnica. Sexta Edicin.
Autor: Albert Paul Malvino.

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RAMIREZ VAZQUEZ CARLOS EDUARDO

La figura 13-2 muestra la manera normal de polarizar un JFET. La tensin de

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls

Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el

Figura 1.- MOSFET de empobrecimiento

IDS circula libremente

Cuando VGS circula negativa o polarizada inversamente

IBG acta como barrera en IDS = 0.

Cuando VGS es positiva o polarizada inversamente

Hay camino libre para circular en IDS

Figura 2.- MOSFET de enriquecimiento

Cuando VGs es positiva y mayor que VT

VT= Tensin umbral.

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