Componentes Cables
Componentes Cables
Componentes Cables
CABLES DE ENERGIA DE
MEDIA Y ALTA TENSION
ALAMBRE MAGNETO
CABLE DE ENERGIA
Qu es un Cable de
Energa?
FUNCION
GENERACION
CONSUMO
SISTEMA ELECTRICO
TRANSMISION
400 kV
GENERACION
230 kV
115 kV
SUBTRANSMISIN
13.8 kV
20 kV
23 kV o
13.8 kV
127 V
4.16 kV
CONDUMEX
220 V
127
VDISTRIBUCIN EN BAJA TENSIN
PANTALLA
METALICA
CUBIERTA
AISLAMIENTO
SEMICONDUCTOR
SOBRE AISLAMIENTO
CONDUCTOR
SEMICONDUCTOR
SOBRE CONDUCTOR
EL CONDUCTOR
Se puede comparar con el agujero de un tubo,
que transporta el flujo de agua.
Tubo
Flujo de agua
Corriente elctrica
En trminos generales:
- A mayor rea interna del tubo, mayor capacidad de transporte de flujo de agua.
- A mayor rea del conductor, mayor capacidad de transmisin de corriente elctrica.
EL AISLAMIENTO
Se puede comparar con la pared de un tubo, que transporta agua.
Presin
de agua
Campo
Gradiente
elctrico
Pared del
tubo
Lineas
equipotenciales
Aislamiento
El aislamiento soporta el
voltaje o el campo elctrico
En trminos generales:
- A mayor espesor de la pared del tubo, mayor soporte de presin.
- A mayor espesor de aislamiento, mayor soporte de voltaje.
LA CUBIERTA
Proporciona proteccin contra
los agentes externos:
Mecnicos
Intemperismos
Agentes Qumicos
CUBIERTAS
Metlicas
Elastomricas
CUBIERTA
Termoplsticas
MATERIALES
Plomo
Aluminio
Hypalon
Polietileno Clorado
Neopreno
PVC
Polietileno
1.Alta Densidad
2.Baja Densidad
ARMADURA
Metal
Densidad
(g / cm3)
Temperatura
de fusin
(C)
Coeficiente
lineal de
dilatacin
(x 10-6 / C)
Acero
7.90
1 400
13
575 115
0.0016
0.0032
3 15
Aluminio
2.70
660
24
28.264
0.00403
61.0
Cobre
duro
8.89
1 083
17
17.922
0.00383
96.2
Cobre
suave
8.89
1 083
17
17.241
0.00393
100
Plomo
11.38
327
29
221
0.00410
7.8
Zinc
7.14
420
29
61.1
0.00400
28.2
* IACS =
Conductividad
elctrica
(% IACS*)
COMPARACION ENTRE
COBRE Y ALUMINIO
Cobre
Aluminio
1.0
0.3
1.0
1.64
1.0
0.78
MATERIAL Y TEMPLE
Conductividad
(% IACS)
Esfuerzo de tensin a la
ruptura
(kgf / mm 2)
100
25*
COBRE SEMIDURO
96.66
35.4 40.3*
COBRE DURO
96.16
45.6*
ALUMINIO SEMIDURO
61.4
10.7 14.3
ALUMINIO DURO
61.0
16 19
COBRE SUAVE
Alambre
Concntrico
(No. de alambres
= 1+6+12+18+...)
Segmental
(~>= 800 mm2
reduce efecto piel)
Comprimido
( min = 0.97
concntrico)
Anular
(Cables OF)
Compacto
( ~= 0.91
concntrico)
Cordn
(Cables flexibles
pequeos cableado sin rden)
Sectorial
(Cables trifsicos)
Calabrote
(Cables flexibles
grandes reunido de cordones
concntricos)
FLEXIBILIDAD EN CONDUCTORES
INCREMENTO EN FLEXIBILIDAD
Disminucin del
paso de cableado
Recocido del
material
CLASES DE CABLEADO DE
ACUERDO A NOM-063-SCFI-1994
NUMERO DE ALAMBRES EN FUNCIN DE LA CLASE DE CABLEADO
CALIBRE mm2
AA
--
19
--
19
133
168
19
133
665
19
37
259
2 107
19
37
61
427
5 054
37
61
91
703
10 101
(AWG kCM)
2.08
41
(14)
8.37
(8)
33.6
(2)
107
(4/0)
253
(500)
507
(1000)
AA
A
B
CyD
G
H
I
J
K
Caractersticas Elctricas
RIGIDEZ DIELECTRICA =
V
e
kV
mm
Lneas de
campo
elctrico
Lneas equipotenciales
Caractersticas Elctricas
RESISTENCIA DEL AISLAMIENTO:
da
Ra = k log10
dp1
Tipo de
aislamiento
dp1 da
Papel impregnado
XLP
EP
M Km
K
(Mohm-km)
20C
3,000
5,120
5,120
Semiconductor
sobre conductor =
electrodo interno
Vo
Vo
C=
0.0241Er
x10 6
da
log10
dp
I = 2fCLV
Caractersticas Elctricas
CONSTANTE DIELECTRICA
++++++
++++++
Dielctrico
- - - - - -
SIC = C Co
Aire
C0
- - - - - -
Caractersticas Elctricas
Factor de potencia = Cos
Factor de disipacin = Tan
Ir
Cos = Tan
Ic
1
Tan =
CR
.
V2
Q=
= V 2CTan
R
I
Ic
Ic
Ir
Ir
Diagrama elctrico de un
cable de energa
Lineas
equipotenciales
Aislamiento
2Vo
Gmax =
D
dLn
d
Gmax = Gradiente mximo (interfase semiconductor interno con aislamiento)
Vo =Tensin de fase a tierra
Tipo de
cable
Calibre del
conductor
Gradiente
mximo
Espesor de
aislamiento
(kV / mm)
(mm)
(mm 2- AWG
Voltaje
entre
fases
kCM)
(kV)
THHW
2.08 14
0.6
0.63
0.76
Media
tensin
8.37 8
0.63
14
33.6 2
15
0.63
105
53.5 1/0
35
0.63
2 500
380 - 750
115
0.63
40 000
100 % N.A.
Media
tensin
100 % N.A.
Media
tensin
100 % N.A.
Alta tensin
Tipo de
cable
Calibre del
conductor
Voltaje
entre fases
(mm2- AWG
(kV)
(kV / mm)
kCM)
THHW
2.08 14
0.6
NOM-063SCFI
0.76
0.63
Media
tensin
8.37 8
NMX-J-142
2.3
1.80
33.6 2
15
NMX-J-142
4.45
2.85
53.5 1/0
35
NMX-J-142
8.8
3.92
380 - 750
115
NMX-J-142
20.3
5.41
100 % N.A.
Media
tensin
100 % N.A.
Media
tensin
100 % N.A.
Alta tensin
PE
(Policloruro (Polietileno)
de Vinilo)
XLPE
EPR
(Polietileno
de Cadena
Cruzada)
(Etileno
Propileno)
Papel
impregnado
en aceite
Temperatura mxima de
operacin (C)
75
75
90
90
85
Temperatura mxima de
sobrecarga (C)
105
85
130
130
100
Temperatura mxima de
corto circuito (C)
150
150
250
250
150
Constante Dielectrica (a 60
Hz y temperatura de
operacin)
48
2.3
2.5
3.0
3.9
Tan (a 60 Hz y temperatura
de operacin)
0.09
0.001
0.001
0.015
0.011
Constante K de resitencia de
aislamiento (a 15.6 C )
-km)
(M
750
15 250
6 100
6 100
1 000
Lneas equipotenciales
Lneas de campo elctrico
Voltaje con
respecto
a tierra
0V
CABLE SIN PANTALLA
Voltaje con
respecto
a tierra
0V
CABLE CON PANTALLA
ATERRIZADA
Voltaje con
respecto
a tierra
0V
CABLE CON PANTALLA
SIN ATERRIZAR
Semiconductor
Conductores
Lneas de campo
Lneas equipotenciales
Configuracin del campo
prximo al conductor sin
pantalla
PANTALLA
HUECO
USO: En circuitos
con tensiones de
2 kV y mayores
Pantalla
metlica
Lneas equipotenciales
Lneas de campo elctrico
CABLE
O
DUCTO
SECO
HUMEDO
CABLE O DUCTO EN INSTALACIONES
C
A
B
L
E
CONDUCTOR
ASILAMIENTO
CUBIERTA
PLANO DE TIERRA
- La pantalla metlica sobre aislamiento trae como consecuencia una capacitancia a
tierra constante a lo largo del cable, lo que evita reflexiones de ondas de sobrevoltaje
Icc
F
F
F
CALIBRES DE CONDUCTORES
mm2
- Su valor representa el rea transversal del conductor en mm2
AWG
- Sus valores representan aproximadamente los pasos de estirado
- Un nmero mayor representa un alambre de menor dimetro
- Dimetro AWG n = 1.1229 x Dimetro AWG n+1
kCM kcmil
- Su valor representa el rea transversal del conductor en cmil
- cmil = rea de circulo de una milsima de pulg. de dimetro
- kCM = 1000 cmil = 0.5067 mm2
- Se usa en calibres mayores al 4/0 AWG
PROCESO DE ESTIRADO
= 0.001
Proceso de cableado
Bunchado de cordones
Etileno
Propileno
Polietileno Alta Densidad
Polimerizacin
(Polietileno PE)
Celulosa
(papel)
VULCANIZACION DE POLIMEROS
Materiales Termoplsticos = PVC , PE
Materiales Termofijos Vulcanizados = XLPE , EPR , CPE
PE
Zona
amorfa
Zona
Zona
cristalina amorfa
Vulcanizacin
XLPE
Zona amorfa
sin vulcanizar
Tipos de Vulcanizacin:
- Qumica: Azufre, Perxidos, Silanos
- Radiacin: Rayos (electrones)
Zona amorfa
vulcanizada
PROCESO DE EXTRUSION DE
AISLAMIENTOS Y CUBIERTAS
Penetracin de
semiconductor
en aislamiento
Contaminante
Cavidad o burbuja
10
8
6
HMWPE
XLPE
4
2
0
1969
1972
1975
1978
1981
1984
1987
1990
Ao
Causa de incremento de fallas = formacin de arborescencias de agua
Ventiladas
2- ELECTRICAS:
- Se forman a partir de contaminantes, cavidades e irregularidades en la superficie de los semiconductores.
- Requieren concentraciones de campo elctrico mayor que las de agua para su formacin.
- Semejan rboles sin hojas y son canales huecos carbonizados.
- Se pueden formar a partir de arborescencias de agua.
3- DE AGUA:
- Se forman a partir de contaminantes, cavidades e irregularidades en la superficie de los semiconductores.
- Requieren la presencia de agua y concentraciones de campo elctrico menor que las elctricas
para su formacin.
- Se cree que son racimos de microcavidades.
- Se aprecian solo cuando son teidos y su apariencia es de manchas.
ARBORESCENCIAS ELECTRICAS
En cables de papel
1- Materiales
- Aislamientos ms limpios y ms resistentes al agua.
- Compuestos semiconductores ms limpios y ms lisos
(para reducir las irregularidades en la interfase con el aislamiento)
Rugosidad de semiconducotres:
- Convencionales aprox. 1 micra (0.00004 in.).
- Super lisos aprox. 0.2 micras (0.000008 in.).
2- Procesos de fabricacin
- Triple extrusin real
- Curado en seco
- Cuartos limpios para manejo y mezclado de materiales
XLP
XLP-TR
30
EPR
20
10
0
0
12
Temperatura
C)
Temperatura ((
C)
VAPOR SATURADO
400.0
350.0
300.0
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
0.0
0
VAPOR:
NITROGENO:
- Calor transferido por radiacin del tubo
de vulcanizacin
- Temperatura independiente de la presin
- Apariencia superficial tersa
10
20
30
Presin (MPa)
1 MPa =
10 kg / cm2
100000
10000
1000
VAPOR
NITROGENO
100
10
Notas:
1
0
10
96
140
120
82
VAPOR C.A. EN
ESCALON
100
60
80
40
NITROGENO C.A.
EN ESCALON
60
22
VAPOR EN
IMPULSO
40
12
NITROGENO EN
IMPULSO
20
5
30
40 43 50
62 72 80
100 50 125
160 115200
Cubierta de PE
(Barrera radial)
Cinta de aluminio
aplicada longitudinalmente
con traslape
(Barrera radial)
Pantalla
metlica
Pantallas
semiconductoras
Conductor
*
Cinta hinchable
Sellado
Aislamiento (Barrera
longitudinal)
semiconductora
de
XLPE
(Barrera longitudinal)
El CAMPO MAGNETICO
imn
N
campo
magntico B
campo magntico o
induccin magntica
B (tesla = T )
Conductor de
electricidad
corriente
elctrica I
(ampere = A)
Conductor de
electricidad
campo
magntico B
Corriente
elctrica I
vlmetro ampermetro
detectan voltaje o corriente,
respectivamente
movimiento del
imn
AV
imn
alambre conductor
formando un circuito
cerrado o una bobina
Campo Magntico B
Area = A
= Flujo Magntico = B x A
B dA
Campo Magntico B
variable en el tiempo
Area = A
Fuerza
electromotriz
inducida
Fem = V
(volts =
V)
Cuando en un rea existe un flujo magntico que vara con el tiempo, se
induce una fuerza electromotriz (voltaje) alrededor de dicha rea.
Matemticamente:
=
Tiempo transcurrido
d
dt
Campo Magntico B
variable en el tiempo
Corriente elctrica
inducida I
Area = A
Fuerza
electromotriz
inducida
Trayectoria conductora
rodeando al rea A
Area A
(flujo magntico )
1.5
CORRIENTE ALTERNA
1
Corriente elctrica I
corriente I
0.5
0
0
-0.5
-1
tiempo
-1.5
INDUCTANCIA
EL FLUJO MAGNETICO EN UN CIRCUITO CERRADO ES
PROPORCIONAL A LA CORRIENTE. A LA CONSTANTE DE
PROPORCIONALIDAD SE LE LLAMA INDUCTANCIA L
=LI
Campo Magntico B
Corriente elctrica I
Area = A
BOBINA
Una bobina es un alambre enrollado en varias vueltas.
Al pasar corriente por ella se convierte en un imn
I
N
N
campo
magntico B
S
S
bobina
N
=LI
donde:
N = nmero de espiras en la bobina
= flujo magntico (webber)
L = inductancia (henry)
I = corriente (amperes)
imn
corriente I
Campo
magnetico B
material
ferromagntico
del material
No magnticos
Magnticos
EL TRANSFORMADOR
ncleo de hierro
Is
Ip
Vp
Fuente de
corriente
alterna
Vs
bobina del
primario
campo
magntico B
bobina del
secundario
carga o
impedancia
Ns
Np
Vp Ip = Vs Is
EL TRANSFORMADOR (continuacin)
ncleo de hierro
Is
Ip
M
Ls
Lp
Fuente de
corriente
alterna
bobina del
primario
campo
magntico B
bobina del
secundario
carga o
impedancia
Ns
sp = M Ip
ps = ss
Np
ps = M Is
sp = pp
V = RI
V = voltaje (volts)
I = corriente (amperes)
R = Resistencia (ohms)
V = j 2fLI = jX L I
V = voltaje (volts)
I = corriente (amperes)
L = inductancia (henrys)
f = frecuencia de la onda senoidal (60 Hz para la frecuencia en la
cual la potencia es transmitida)
XL= reactancia inductiva (ohm) = 2 f L
V=
I
j 2fC
= jX C I
V = voltaje (volts)
I = corriente (amperes)
C = Capacitancia (farads)
f = frecuencia de la onda senoidal (60 Hz para la frecuencia en la
cual la potencia es transmitida)
XC= reactancia capacitiva (ohm) = 1/(2 f C)
E g = V + E r
XL
R
IC
Eg
I
Er
XC
I << I
Z = R + jX L
Z = R2 + X L
V = Z I
Eg = Tensin de envo (V).
Semiconductor
sobre conductor =
electrodo interno
Vo
Vo
C=
0.0241Er
x10 6
da
log10
dp
I = 2fCLV
XL
E g = V + Er
I
Er
Eg
V % =
V % =
100 =
Z LI
100 =
3 Z LI
Eg
3 V
Egf
Eg
Egf
100
100
R2 + X L
E g = V + Er
XL
Eg
Eg
IXL
IXL
IXL
Er
I
carga
Er
Eg
IR
I
IR
Er
Er
IR
Er
cos
= Factor de potencia de la carga.
L
Rcd =
L
A
A
longitud de alambre mayor
a longitud del cable
L
Rcd =
L Pc
A
Temperatura
(C) 50
40
30
20
To
10
Resistencia
(ohms)
0
-10
-20
Ro
R = Ro ( 1 + ( T - To ) )
concentracin de la
corriente
efecto piel
efecto proximidad
Xs2 =
8f
10-4 ks
Rcd
ks
Redondo
s e g m en ta l ( 4 s eg m en to s )
1 .0
0 .4 3 5
Xp4
Yp =
Xp2 =
( )
dc
s
2
+
()
dc
0.312
s
8f
10-4 kp
1.18
Xp4
192 + 0.8 Xp4
+ 0.27
Rcd
Yp = factor de correccin de la resistencia por efecto proximidad
f = frecuencia del sistema (Hz). Para sistemas de transmisin
de potencia = 60 Hz
Rcd = resistencia del conductor en c.d. corregida a la temperatura de
operacin (ohm/ km)
dc = dimetro del conductor (mm)
s = distancia entre ejes de los conductores (mm)
Tipo de conductor
kp
Redondo
segmental ( 4 segmentos)
1.0
0.37
Corriente I
Cilindro hueco
Campo magntico B
Inductancia individual = L = 2 x
10-4
Ln
( )
S
R
Donde:
S = Separacin entre centros de cables
R = Radio del cilindro hueco
henry / km
Corriente I
henry / km
0.726 r
0.758 r
0.768 r
0.772 r
0.774 r
0.776 r
pantalla
metlica
corriente en
el conductor
Ic
conductor
metlico
tensin
inducida en
las pantallas
metlicasVp
XL
XP
VP
R
conductor
RP
XP XM
pantalla
XL
E
E = ( R2 + XL2)1/2 I
R
conductor
E = Tensin en el conductor, en volts / km
I = Corriente en el conductor, en amperes
R = Resistencia del conductor en corriente alterna a la
temperatura
de operacin, en ohm / km
XL = Reactancia inductiva del conductor, en ohm /
km = 2 f L
L = Inductancia del conductor, en henry /
km
f = frecuencia de la corriente alterna, en
hertz (60 hertz)
pantalla
metlica
corriente
inducida en
las pantallas
metlicas Ip
conductor
metlico
corriente en
el conductor
Ic
XM
XL
IP
XP
unin de las
pantallas
E
R
conductor
RP
XP XM
pantalla
XLA
E
E = ( RA2 + XLA2)1/2 I
RA
conductor
E = Tensin en el conductor, en volts / km
I = Corriente en el conductor, en amperes
= Resistencia aparente del conductor en corriente alterna a la
temperatura de operacin, en ohm / km
XLA = Reactancia inductiva aparente del conductor, en ohm / km
RA
X M RP
RA = R +
2
2
X M + RP
XM
XLA = XL
2
2
X M + RP
X M = 2fM
conductor
pantalla
S
M = 2 x10 Ln
ro
4
ro
S
Ep = X M IcL
Ep = Tensin inducida en la pantalla del cable, en volts
I
= Corriente en el conductor de cada cable, en amperes
XM = Reactancia mutua entre el conductor y la pantalla, en
ohm / km
conductor
pantalla
X M = 2fM
M = Inductancia mutua entre el conductor y la pantalla, en henry / km
f = frecuencia de la corriente alterna, en hertz (60 hertz)
S
M = 2 x10 4 Ln
ro
S = Separacin entre centros de cables, en mm
ro = Radio medio de la pantalla, en mm
ro
S
Ep = X M IcL
- Al aumentar la distancia de separacin entre los centros de los
cables aumenta la reactancia mutua XM, por lo tanto aumenta la
tensin inducida en la pantalla metlica.
- Al aumentar la corriente que circula por el conductor, aumenta la
tensin inducida en la pantalla.
- La tensin inducida aumenta linealmente con la longitud del
cable:
Ep
50
40
XM e Ic = constantes
30
20
10
0
0
10
15
20
Wc = Ic Rc
2
Donde:
Wc = Calor generado en el conductor, en watts / km
Ic = Corriente elctrica en el conductor, en amperes
Rc = Resistencia del conductor en corriente alterna a la
temperatura de operacin, en ohm / km
Wp = Ip Rp
2
Donde:
Wp = Calor generado en la pantalla, en watts / km
Ip = Corriente elctrica en la pantalla, en amperes
Rc = Resistencia de la pantalla a la temperatura de
operacin, en ohm / km
I p2 R p
Wp
RP
XM
= 2 =
=
Wc I c Rc Rc X M 2 + RP 2
= Fraccin de perdidas de pantalla a conductor
Wp = Calor generado en la pantalla, en watts / km
Wc = Calor generado en el conductor, en watts / km
Rp = Resistencia de la pantalla, en ohm / km
Rc = Resistencia del conductor la pantalla, en ohm / km
XM = Reactancia mutua entre el conductor y la pantalla, en
ohm / km
conductor
pantalla
X M = 2fM
M = Inductancia mutua entre el conductor y la pantalla, en henry / km
f = frecuencia de la corriente alterna, en hertz (60 hertz)
S
M = 2 x10 4 Ln
ro
S = Separacin entre centros de cables, en mm
ro = Radio medio de la pantalla, en mm
ro
S
3.000
2
2
Wp I p R p RP
XM
=
= 2 =
Wc I c Rc Rc X M 2 + RP 2
2.000
Rp y Rc = constantes
1.000
0.000
0
0
0.05
0.15
0.25
0.35
0.45
0.55
0.65
XM
2
2
Wp I p R p RP
XM
=
= 2 =
Wc I c Rc Rc X M 2 + RP 2
2.000
max =
XM
2 Rc
1.500
XM y Rc = constantes
1.000
0.500
0.000
00 Rp = X M
0.5
1.5
Rp
- Rp generalmente es mayor que XM, por lo que al disminur Rp aumentan las perdidas.
- En algunos casos el calor generado en la pantalla puede ser mayor que el generado en el
conductor
A A
B B
C C
A C
A C
A C
A C
C A
A C
pantalla metlica
Wp = Ip 2 Rp
EQUIVALENCIA DE TRANSFERENCIA DE
CALOR CON UN CIRCUITO ELECTRICO
(ley de Ohm trmica)
Q
Q
T2
T1
T2
T1
Rt
T = RtQ
T = Diferencia de temperaturas entre punto 2 (T2) ) y el punto 1 (T1), en C (= T2 T1)
Rt = Resistencia trmica total entre el punto 1 y el punto 2, C-m/W.
Q = Calor transmitido entre el punto 2 y el punto 1, en W/m.
V = RI
V = Diferencia de potencial, en volts = V2 V1.
R = Resistencia elctrica, en ohms.
I = Corriente elctrica, en amperes.
I
V2
V1
R
Wc = I R
2
Donde:
Wc = Calor generado en el conductor, en W / m
I = Corriente elctrica en el conductor, en amperes
R = Resistencia del conductor en corriente alterna a
la temperatura de operacin, en ohm / m
Wp = Ip 2 Rp
Donde:
Wp = Calor generado en la pantalla, en W / m
Ip = Corriente elctrica en la pantalla, en amperes
Rp = Resistencia de la pantalla a la temperatura de operacin, en ohm / m
Wp Ip 2 Rp
=
= 2
Wc I Rc
Wp = I 2 R
Donde:
= Relacin de prdidas entre pantalla y conductor, sin unidades.
Wc = Calor generado en el conductor, en W / m
R = Resistencia elctrica del conductor a la corriente alterna a la temperatura de operacin, en ohm/m
I = Corriente circulando en el conductor, en amperes.
Vo
Vo
Wd =
= Vo 2 2fC tan
Ra
tan =
1
2fCRa
Donde:
Wd = Calor generado en el aislamiento, en W/m
Vo = Voltaje al que est sometido el aislamiento que es igual al voltaje
de fase a tierra del sistema, en V.
C = Capacitancia del cable, en F /m
f = Frecuencia del sistema, en Hz (60 Hz)
Ra = Resistencia de aislamiento, en Ohm-m
tan = Factor de prdidas del aislamiento, sin unidades.
Rte
Q = I2R
T = Q Rt
T = Diferencia de temperatura entre el conducto (Tc) y el
Ta
Tc
Tc Ta = I 2 R Rt
Rtc
Q=I2R
Tc
Q=I2R
Rta
Ta
Te
Tp
Rtc
I=
Q=I2R
Tc Ta
R (Rta + Rtc + Rte )
Rte
Tp = Temperatura en la pantalla metlica (C)
Te = Temperatura sobre la cubierta del cable (C)
Rte
Wd
I2R
I2R
Ta
Tc
Wd
2
Tc Ta = I 2 R +
Rta + I R(1 + ) + Wd ( Rtc + Rte)
2
Rta
Rtc
Wd
Q=I2R
Tc
Rtc
Rta
Tc Ta Wd
+ Rtc + Rte
2
I=
R(Rta + (1 + )(Rtc + Rte ))
Ta
Te
Tp
Rta
I2R
Wd
Q=I2R
Rte
Wd
2
Tc Ta = I 2 R +
Rta + N I R(1 + ) + Wd ( Rtc + Rte)
2
Tp
Rta
Wd
Q=I2R
Tc
I2R
Wd
Q=I2R
I2R
Wd
Q=I2R
I2R
Wd
Q=I2R
I2R
Wd
Q=I2R
Rtc
I2R
Wd
Q=I2R
Rta
Wd
Q=I2R
Tc
Tp
Rta
Te
Tp
Rte
I2R
Wd
Q=I2R
Rta
Tc Ta Wd
+ N (Rtc + Rte )
2
I=
R (Rta + N (1 + )(Rtc + Rte ))
DUCTOS
Rta
Tc Ta + i Wd
+ N (Rtc + Rte )
2
I=
R (Rta + N (1 + )(Rtc + Rte ))
Tc = Temperatura del conductor (C).
Ta = Temperatura ambiente (C).
I = Corriente en el conductor (A).
R = Resistencia del conductor en c.a. a la temperatura de
operacin (ohm/m).
Wd = Calor generado en el aislamiento (Wm).
= Relacin de prdidas entre pantalla y conductor.
Rta, Rtc y Rte = Resistencias trmicas del aislamiento, la
cubierta y exterior del cable, respectivamente (C- m/W).
N = Nmero de conductores en el cable.
i = Incremento en la temperatura ambiente debido al
calentamiento del cable i.
pantalla
metlica
secundario del
transformador
corriente en
pantalla
corriente en
conductor conductor
corriente conductor de
tierra paralelo
carga
falla
corriente en
conductor
pantalla
metlica
terminal
conductor
secundario del
transformador
falla
corriente en pantalla circula hacia los puntos
de aterrizaje o conexin de pantallas
fase B
fase C
2- Cross-bonding.
L
L
3L
fase A
fase A
fase A
fase B
fase B
fase B
fase C
fase C
fase C
- Solo justificados por razones econmicas - generalmente para corrientes mayores a 500 A
- o en corrientes demasiado altas donde la generacin de calor debe ser minimizada.
- Para la realizacin de estos mtodos los empalmes (cuando existan) deben ser
con interrupcin de pantalla.
secundario del
transformador
pantalla
metlica
corriente en
conductor
terminal
corriente en
conductor de
tierra paralelo
carga
conductor
falla
corriente en
conductor
terminal
conductor
falla
pantalla
metlica
secundario del
transformador
corriente en
pantalla
carga
conductor
pantalla
metlica
carga
falla
secundario del
transformador sin
aterrizar
120
C
Vff = Voltaje de fase a fase.
Vo = Voltaje de fase a tierra.
Vo
Vff
120
120
Vo
El nivel de aislamiento se selecciona en funcin del tiempo de liberacin de una falla a tierra:
Vo
120
Vo
Vff
120
120
Vo
corriente de
corto
circuito
conductor
K 2 S 2 Tf + B
I =
ln
t
Ti
+
B
K (A s1/2 / mm2)
226
148
41
78
B (C)
234.5
228
230
202
Temperatura inicial de
la pantalla (C)
85
80
75
L
L/2
conductor
fase A
pantalla
metlica
fase B
limitadores de
voltaje en pantalla
(cuando se
requiera)
terminal
fase C
conductor de tierra
paralelo
Tensin inducida en
extremo no aterrizado
- El conductor de tierra paralelo tiene la funcin de evitar que la corriente, en caso de falla a tierra,
regrese por la tierra fsica, ya que esto inducira tensiones muy altas en la pantalla. Tambin tiene la
funcin de igualar los potenciales de tierra los extremos de la instalacin. El tamao de este conductor
debe seleccionarse de modo que soporte la corriente de falla del sistema.
- El conductor de tierra paralelo se transpone a la mitad del circuito para evitar que se induzcan
corrientes en l.
Configuracin trbol
S
0.7S
CROSS BONDING
punto de empalme
de cables
punto de empalme
de cables
conductor
L
3L
fase A
fase A
fase B
fase B
fase B
fase C
fase C
fase C
pantalla
metlica
terminal
fase A
Tensin
inducida
Tensin
inducida
tierra local
limitadores de voltaje
en pantalla (cuando
se requiera)
Tensin inducida
en pantallas
L
L
L
x
= [1 3( L1L 2 + L1L3 + L 2 L3)]
y
Donde:
x = prdidas por calor en las pantallas con cross bonding (W/km)
y = prdidas por calor en las pantallas aterrizadas en dos puntos (W/km)
L1, L2, L3 = Longitudes por unidad de las tres secciones menores,
esto es: L1+ L2+ L3 = 1
fase A
fase C
fase B
fase B
fase A
fase C
fase C
fase B
fase A
Ejemplo:
si L1 = 0.4, L2 = 0.2, L3 = 0.4
x/y = 0.04; es decir que las prdidas en la pantalla con cross bonding
son 4 % de las prdidas si se aterrizan las pantallas en dos puntos.
limitador de
voltaje en la
pantalla
conexin de
pantallas
carcaza de la
caja
cable para
conexin a tierra
conexiones para
probar el
aislamiento de
las pantallas y
los limitadores
de voltaje
carcaza de la
caja
cable para
conexin a tierra
600
Dm/rg = 15
10
500
falla de fase a tierra
400
falla de fase a fase
300
200
falla trifsica
100
f = 60 Hz
0
1
0.00
0.50
1.00
1.50
6 7 8 9 10
2.00
2.50
20
3.00
RAZON S / Dm
600
falla trifsica
500
400
falla de fase a fase
300
200
100
f = 60 Hz
0
1
0.00
0.50
1.00 3
1.50 5
6 2.00
7 8 9 10 2.50
20 RAZON S / Dm
3.00
30
25
Voltaje de
operacin
nominal:
20
3 kV
4.5 kV
15
6 kV
7.5 kV
10
9 kV
5
0
0
10
20
30
40
BIL
(kV)
5
15
25
35
46
69
115
230
400
60
110
150
200
250
350
550
1050
1425
IEC 229 Tests on cable oversheaths which have a special protective function and are applied by extrusion
Area transversal
de pantalla
metlica
2
mm
5.2
66.8
133