Practica #4

Medicin de la amplitud y frecuencia de la salida de diferentes circuitos

limitadores con diodos zener y obtencin de sus graficas de transferencia
Procedimiento
1.- Obtener la respuesta de salida de los siguientes circuitos

Aplicando a la entrada una seal senoidal de 15 Vpp de amplitud a 1KHz.

2.- Elegir la
misma
escala de
sensibilidad
vertical
para ambos canales, seleccionando acoplamiento AC en el canal 1 y DC para el
canal 2.
3.- Para la obtencin de las grficas de transferencia (V salida vs V entrada),
seleccionar el modo X-Y en el osciloscopio colocando la misma escala de
sensibilidad para ambos canales. Posteriormente selecciona acoplamiento GND
en los dos canales y ubica el punto en el centro de las coordenadas, despus
seleccionar AC para el canal 1 y DC para el canal 2.

Simulaciones
Para el circuito de la figura (a)

Amplitud
Vpp

15

F=1 KHz

Amplitud
Vpp

3.77

F=1 KHz

Para el circuito de la figura

(b)

Amplitud
Vpp

15

F=1 KHz

Amplitud
Vpp
F=1 KHz

Para el circuito de la figura (c)

7.5

Amplitud
Vpp

15

F=1 KHz

Amplitud
Vpp
F=1 KHz

Resultados Obtenidos
Para el circuito de la figura (a)

11.1

Para el circuito de la figura (b)

Para el circuito de la figura (c)

Practica # 5
Identificacin del tipo, terminales y estado de transistores bipolares de unin
(BJTs ) usando el multmetro digital marca Agilent
Procedimiento:
1.- Del manual Discrete Semicondutor Products del fabricante National
Semiconductor elegir 2 transistores bipolares tipo NPN y 2 tipo PNP de
aplicacin para amplificadores de propsitos generales y conmutadores.
Obtener sus hojas de especificaciones tcnicas.
2.- Indicar la interpretacin de su nomenclatura.
3.- Del multmetro digital seleccionar la funcin de ohm con un rango de 5 K y
realizar el procedimiento para identificar las terminales emisor, colector y base.
4.- Registrar en una tabla para cada uno de los transistores los valores de
resistencia elctrica medidos entre las terminales cuando se polarizan
directamente las uniones p-n en todo el procedimiento de prueba.

5. Conforme los valores de resistencia medidos, identifica cada una de las

terminales asi como el tipo de funcionalidad de cada transistor (buen estado,
corto circuito o circuito abierto).
6.- Repetir el procedimiento del punto 3 y 4 pero ahora eligiendo la funcin de
prueba de diodos.
7.- Repetir el punto 5 pero teniendo en cuenta los valores de voltaje realizados
en el punto anterior.

Practica N 6
Amplificador con Polarizacin fija en configuracin Emisor Comn

Introduccin:
El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas
lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de entrada
son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energa realizado a
travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes de alimentacin o fuentes de
polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las
corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la regin
lineal y suministrar energa al transistor, una parte de la cual va a ser convertida en
potencia (amplificacin). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los
terminales de un transistor se denominan punto de trabajo y se suele expresar por la letra
Q.

Figura 6

El transistor del circuito de la figura 6 esta polarizado con dos resistencias y una
fuente de tensin en continua VCC. En este circuito se verifica que:

Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces

se puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de la hFE y asignar
una tensin base-emisor tpica de 0.7V. El clculo de las tensiones e intensidades
del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene
definido
por
las
siguientes
ecuaciones:

En la figura 6.1 se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del

transistor, especificado a travs de tres parmetros: I CQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se
encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q
se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el
lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se
obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la I C con la VCE que,
representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura 6.1,
corresponde a una recta. La tercera ecuacin define la recta de carga obtenida al
aplicar
KVL
al
circuito
de
polarizacin,
de
forma
que:

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (V CE, IC) del transistor
se seleccionan dos puntos:
a) VCE=0, entonces IC=VCC / RC.
b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura 6.1 y
representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas.

Figura 6.1 Lmite de operacin de un transistor.

Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es
seleccionar la ubicacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de
la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor
mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica. Evidentemente esta es
una condicin de diseo que asegurara el mximo margen del punto Q a incrementos de
cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones
de operacin del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En
estos casos la situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones.

POLARIZACIONES DC CON RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE.

Polarizacin DC con retroalimentacin de emisor. En este circuito la resistencia de
realimentacin es RE.

Figura 7b. Polarizacin con retroalimentacin.

Haremos la prueba de desestabilizar el punto Q.

IC intenta aumentar mucho. Pero al aumentar la IC, aumenta la VE.

Entonces vemos que se da un fenmeno de "autorregulacin", intenta aumentar

mucho pero al final aumenta menos. Aunque no se estabiliza, se desestabiliza
menos, esa "auto correccin" se llama realimentacin.

A este efecto de que una variable de salida afecte a la entrada se le llama

realimentacin, la salida afecta a la entrada, se auto corrige. Adems se le llama
"Realimentacin negativa" porque un aumento supone una disminucin. Si un
aumento supusiera otro aumento sera una "Realimentacin positiva". En
amplificadores es muy importante la realimentacin, como se ver ms adelante.
Seguimos analizando el circuito. Malla de entrada:

Podemos concluir que esta configuracin de polarizacin de corriente de base

presenta una mejor estabilidad pero no de las mejore, por lo que ms adelante
se estudiaran otros tipos de polarizaciones que presentan una mayor
estabilidad que la mencionada.

INSTRUCCIONES: Utilizar en sta prctica dos BJTs del mismo tipo y serie.
Etiquetar uno como Q1 y otro como Q2. Primero realiza el procedimiento que
se indica abajo, con el transistor etiquetado Q1. Despus realiza el mismo
procedimiento para Q2.
Para calcular los valores de las resistencias para un punto de operacin en
reposo (Q) localizado en medio de la recta de carga esto para darle una mayor
estabilidad al circuito amplificador para que la corriente del colector sea la
mitad de su valor.
En este caso se calcularan el arreglo de resistencias para poder obtener ub
punto de reposo en VCEQ=6V y ICQ=6mA.

Consideremos el siguiente circuito

Ecuaciones de malla
E= I B +I C
1.I

CC= I B R B +V BE
2.V

CC= I C R C + V CE
3.V
Figura
6b

Las siguientes consideraciones se tomaran para todos los circuitos posteriores

=

IC
; min=100, max=300 y tipica=200 I C =I B
IB

V BE =0.7 ( Debido a la polarizacion ) para 100 I C I B

Para una ptima amplificacin se tiene que tener en cuenta que el punto de
operacin debe de cumplir
Q I C =6 mA y V CE =6 V ademas de que usaremosla tipica=200

De la ecuacin 2 despejamos a la resistencia al igual que de la ecuacin 3

RB =

V CCV BE
V V CE
RC = CC
I
IC
( C)

Por lo tanto para el circuito de polarizacin de corriente de base teniendo en

mente las condiciones anteriores tenemos que los valores de los resistores son:
RB =376 K RC =1 K
Determinacin de la variacin del punto de operacin en reposo con beta mnima y
mxima

De la ecuacin de malla 2 despejamos la corriente de colector

IC =

(V CC V BE )
RB

De la ecuacin de malla 1 despejamos el voltaje colector emisor

V CE =V CC I C RC
Ahora para beta mnima y mxima los respectivos resultados de Ic y Vce
I c1=2.97 mA y V CE 1=9.03
I c1=8.92mA y V CE1=3.08
Para las respectivas variaciones de corriente y voltaje obtenemos
I =5.95 mA y V =5.95 V
C

CE

Consideremos el circuito de la figura

Se puede observar que el cto es

similar al de la figura 1, tan solo
se agreg el resistor RE, donde
su funcin primordial es darle
mayor
estabilidad
al
amplificador

Ecuaciones de malla

E= I B +I C
1.I

CC= I B R B +V BE + I E R E
2.V

CC= I C R C + V CE + I E R E
3.V

Figura 6c

Realizando la misma analoga para este circuito que el visto anteriormente

tenemos que los valores de los resistores son los siguientes, tomando las
ecuaciones 1 y 2 tenemos:
RB =

V CCV BER E I E
V CC V CE R E I E
RC =
I
IC
( C)

Se observa que para ambas resistencias se tiene una cierta dependencia de la

resistencia del emisor, para este caso prctico se tomara un valor de Re = 100 ,
y por tanto obtendremos:

RB =356 666 R C =900

Una de las consideraciones importantes que debe de ser respetado para la
mxima estabilidad es la siguiente:
A V E 0.10 V CC o V E 0.20 V CC

Entonces examinando esta condicin de estabilidad obtenemos que Re es igual a:

1.- Para el 10% de Vcc
V E =1.2 V

Por ley de ohm sabemos que

V =IR , asi pues

Observando lo anterior y que IE es aproximadamente Ic

R E=200

Con este nuevo valor de Re los

resistores complementarios toman
nuevos valores

RC =800 y RB =336 666.66

2.- Para el 20% de Vcc

R E=400 los Resistores son R C =600 y R B=296 666.66

R E=

V E 1.2V

IE
6 mA

PROCEDIMIENTO.
1. Arma el circuito amplificador de la figura 6 y mide el punto de operacin
en reposo (Q).
VCC
12V
R1
430k

R2
1k

C2

C1

100nF

Q1

100nF

2N2222A

Figura 6a
Simulacin (medicin del punto Q).

VECQ

ICQ

Simulacin

6.98 V

Transistor
1
Transistor
2

7.67 V

5.017
mA
4.38 mA

5.69V

6.42 mA

VCC
12V
XMM1
R1
430k

R2
1k

XMM3

Q1

2N2222A

2. Aplica a la entrada del circuito, como se ilustra en la figura 6b, una seal
senoidal de un 1Khz de frecuencia y una amplitud pico a pico de 10 mV,
aumenta lentamente la amplitud de la seal (observando lo que ocurre
con la seal de salida) hasta que a la salida se obtenga la mxima
amplitud de la forma de onda sin distorsin alguna. Guarda en USB las
grficas de entrada y salida (o respuesta) del circuito, y calcula la
ganancia de voltaje (Av = Vsal/Vent). Estn en fase las seales de
entrada y salida? Explica brevemente.
XSC2
XFG1

VCC

VCC

12V
R1

430k

C1

100nF

12V

R2

1k

Q1

C2

100nF

2N2222A

Figura 6b

Simulacin:

Entrada

Salida

Fre= 1Khz

VPP

antes de
distorsionarse

Fre= 1Khz

VPP= 5.2V

VPP=70mV
Ganacia de voltaje ( Av )=

Vsal 5.2V
=
=74.28 veces
Vent 70 mV

XSC2
XFG1

VCC

VCC

12V

12V

R2

R1

1k

430k

Q1

C1

100nF

C2

100nF

2N2222A

Transistor 1

=178

Entrada

Salida

Fre= 1Khz

VPP

antes de
distorsionarse

Fre= 1Khz

VPP=400mV
Ganacia de voltaje ( Av )=

Vsal 5.92V
=
=78.1 veces
Vent 400 mV

XSC2
XFG1

VCC

VCC

12V
R1

430k

C1

100nF

12V

R2

1k

Q1

C2

100nF

2N2222A

VPP=5.92V

Transistor 2

=261

Entrada

Salida

Fre= 1Khz

VPP

Fre= 1Khz

antes de
distorsionarse

VPP= 8.32V

VPP=400mV
Ganacia de voltaje ( Av )=

Vsal 781mV
=
=78.1 veces
Vent 10 mV

XSC2
XFG1

VCC

VCC

12V
R1

430k

100nF

T
A

1k

C2

Q1

C1

12V
R2

100nF

2N2222A

3. Ahora, conecta en el Emisor una R = R1 = 100 como lo muestra la

figura 6c. Mide y registra de nuevo el punto de operacin en reposo Q
(1cr VCEQ), es decir sin aplicar seal en la entrada. Anota tus
observaciones.
VCC

VCC

12V
R1

430k

12V
R2

1k

Q1

2N2222A

R3

1.0k

VCC

XMM1

VCC

12V
R1

12V
R2

430k
Medicin
del punto
de reposo (Q) con RE=100).
XMM2
1k

Q1

2N2222A

R3

100

RE=100

VECQ

ICQ

Simulacin
Transistor
1
Transistor
2

Medicin del punto de reposo (Q) con RE=200).

VCC

VCC
12V

12V

R1
430k

R2
1k

RE=200

XMM1

Simulacin

VECQ

ICQ

6.62V

4.474m
A

XMM2

Transistor
1
Transistor
2

Q1

2N2222A

R3
200

Medicin del punto de reposo (Q) con RE=400).

VCC

VCC
12V

R1
430k

RE=400

12V

R2
1k

Simulacin

XMM1

XMM2
Q1

VECQ

ICQ

6.313V

4.054m
A

Transistor
1
Transistor
2

2N2222A

R3
200

4.-Repite el procedimiento del punto 2 anterior. Es el mismo valor de la

ganancia de voltaje obtenida en el punto dos? Explica.
XFG1

VCC

VCC

12V
R1

430k

C1

100nF

Tektronix

12V
R2

P
G

1k

Q1

C2

100nF

2N2222A
RE

XSC1

1 2 3 4

Simulacion.
Con resistencia en el emisor (RE=100);

Entrada

Salida

Fre= VPP
1Kh antes de
distorsion
z

Fre= VPP=
1Khz 8.62
V

arse

VPP=1.
02V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 8.62V
=
=8.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1
=178 con resistencia en el
emisor(RE=100)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes
de
distorsionars
e

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

VPP=
8.88V

Transistor 2
=261 con resistencia en el
emisor(RE=100)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

XSC1

VPP=
9.0V

XFG1

R1

430k

C1

100nF

Simulacion.
Con resistencia en el emisor (RE=200);

Entrada

Salida

Fre= VPP
1Kh antes de
distorsion
z

Fre= VPP=
1Khz 8.16
V

VPP=1.
82V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 8.62V
=
=4.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1
=178 con resistencia en el
emisor(RE=200)

Salida

P
G

1k

Q1

C2

100nF

2N2222A

200

Vsal
9V
=
=veces
Vent 10 mV

Tektronix

12V
R2

RE

Ganacia de voltaje ( Av )

Entrada

VCC

12V

VPP=400
mV

arse

VCC

1 2 3 4

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

Fre=
1Khz

VPP=
7.6V

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

Transistor 2
=261 con resistencia en el
emisor(RE=200)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

VPP=
8.8V

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

Con resistencia en el emisor (RE=400)

XSC1
XFG1

VCC

Tektronix

VCC

12V
R1

430k

C1

100nF

12V

P
G

R2

1k

Q1

C2

100nF

2N2222A
RE

400

1 2 3 4

Simulacion.
Con resistencia en el emisor (RE=400);

Entrada

Salida

Fre= VPP
1Kh antes de
distorsion
z

Fre= VPP=
1Khz 8.16
V

arse

VPP=1.
82V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 8.62V
=
=4.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1
=178 con resistencia en el
emisor(RE=400)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

VPP=
7.52V

Transistor 2
=261 con resistencia en el
emisor(RE=400)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

VPP=
3.76V

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

5.-Conecta un capacitor en paralelo con R como lo muestra la figura 6d.

Observa y anota lo que ocurre con la amplitud de la seal de salida. Se
modifica el valor de Av? Por qu?
XSC1
XFG1

VCC

Tektronix

VCC

12V

al Conectar el capacitor en paralelo

con la resistencia se logra dar ms
estabilidad al circuito y tambin
obtenemos una mayor ganancia de
voltaje en la salida.

R1

430k

C1

100nF

12V

P
G

R2

1k

Q1

1 2 3 4

C2

100nF

2N2222A
RE

100

C3

4.7F

5. Aumenta la amplitud de la seal de entrada de modo que el

transistor entre a las regiones de corte y saturacin Guarda en USB la
grfica de la seal de salida y mide sus valores mximo y mnimo de
la amplitud. Explica en qu regiones est trabajando el TBJ y por
qu?

6. Realiza un cuadro sinptico para vaciar todos los resultados

numricos resultantes de experimentar en los diferentes circuitos con
los dos transistores (Q1 y Q2), anotando tus observaciones para cada
caso.
7. Realiza tus conclusiones. Complementa y resuelve el cuestionario
para que lo anexes al reporte.
Cuestionario

1
2

Indica la principal caracterstica de la polarizacin fija.

Cul es la funcin de R?

Practica 7"Amplificador con polarizacin de colectorbase en configuracin Emisor comn".

Introduccin
En un proceso de diseo o de anlisis de un amplificador es necesario conocer la
respuesta del sistema tanto en DC como en AC. La seleccin del punto de trabajo Q de un
transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de polarizacin que fijen sus tensiones
y corrientes.
En la figura 7a se incluyen los circuitos de polarizacin ms tpicos basados en
resistencias y fuentes de alimentacin; adems, se indican las ecuaciones que permiten
obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en
algunos casos importantes.

1.- Disea un amplificador con BJT en

configuracin emisor comn con
polarizacin de colector base (como el
que ilustra) la figura 7a.
Como hemos vista la importancia de
mantener el punto de reposo en
medio de la recta de carga para poder
brindarle mayor estabilidad al circuito
amplificador se diseara un circuito
de polarizacin colector base el cual
presenta una mayor estabilidad que
los circuitos anteriores.

Figura 7a. Circuitos de polarizacin de transistores BJT

A continuacin se realizaran los clculos de los arreglo de resistencias para el

circuito de polarizacin colector-base para poder obtener un punto de reposo
en VCEQ=6V y ICQ=6mA.

Consideremos el siguiente circuito

Ecuacion de malla de entrada

1.V CC =RC ( I C + I B ) + I B R B + I E R E
Ecuacin de malla de salida
2.V CC =RC ( I C + I B ) +V CE + I E R E

De la ecuacin 2 despejamos el resistor de colector:

RC =

V CC V CE RE I E
IE

De la ecuacin 1 despejamos el resistor de base:

RB =

V CCRC ( I C + I B )R E I E
IB

Teniendo las consideraciones de Re=100 , 200 y con 400 , que

corresponden a los valores permitidos para que haya una ganancia optima,
exceptuando el valor de 100 que est por debajo del rango permitido se tiene:
Con Re=100

RC =893 y RB =176.66 K
Con Re=200
RC =795.02 y R B=176.66 K
Con Re=400

Polarizacin colector base con: las

siguientes resistencias calculadas

R E=100 , 200 , 400

RC =893 , 795.02 , 595.02
RB =176.66 K ,

""

""

RC =595.02 y R B=176.66 K
2.- repita las instrucciones y el procedimiento indicado en la prctica No 6,
agregando tambin al circuito diseado los capacitores C 1 y C 2 a la entrada y la
salida respectivamente.
a. Arme el circuito amplificador con BJT en configuracin emisor comn
con la configuracin emisor-base y mida el punto de operacin en
reposo.
VCC

12V
RC

RB

893

100
Q1

2N2222A
RE

177k

Medicin del punto de operacin en reposo (Q) con

RE=100).
VCC

12V

RE=100

RC

893

RB

U2

177k

5.786m

DC 1e-009Ohm

Q1

U1

+
-

6.224

Simulacin
Transistor
1
Transistor
2

VECQ
6.224V

ICQ
5.786mA

DC 10MOhm

2N2222A
RE

100

Medicin del punto de operacin en reposo (Q) con

RE=200).
VCC

12V

RE=200

RC

795
U2

RB

5.778m

DC 1e-009Ohm

177k
Q1

U1

+
-

6.219

2N2222A
RE

200

DC 10MOhm

Simulacin
Transistor
1
Transistor
2

VECQ
6.219V

ICQ
5.778mA

Medicin del punto de operacin en reposo (Q) con

RE=400).
VCC

12V

RE=400

RC

595
U2

RB

5.778m

DC 1e-009Ohm

177k
Q1

U1

+
-

6.219

2N2222A
RE

400

DC 10MOhm

Simulacin
Transistor
1
Transistor
2

VECQ
6.219V

ICQ
5.778mA

b.

Aplicando a la entrada del circuito una seal de 1khz y una voltaje pico
a pico inicial de 10mV, aumentar lentamente la amplitud de la seal
hasta que en la salida obtenga un mximo de amplitud de la forma de
onda sin distorsionarse.

Simulacion.

XSC1
VCC

12V

Con resistencia en el emisor (RE=100);

XFG1

Tektronix

RC

595

P
G

C2
RB

177k
C1

Entrada

Salida

100nF

Q1

2N2222A
RE

400

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsiona
rse

Fre=
1Khz

VPP=
9.19
V

VPP=1.2
3V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 9.19V
=
=7 .4 veces
Vent 1.23 V

Transistor 1
=178 con resistencia en el
emisor(RE=100)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

VPP=
20.4V

100nF

1 2 3 4

Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

Transistor 2
=261 con resistencia en el
emisor(RE=100)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

VPP=
19.2V

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

Simulacion. (Con un areglo de resitencias de:RE=200

y RC=795)

Con resistencia en el emisor (RE=200);

Entrada

Salida

Fre= VPP
1Kh antes de
distorsion
z

Fre= VPP=
1Khz 8.16
V

arse

VPP=1.
82V

Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 8.62V
=
=4.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1
=178 con resistencia en el
emisor(RE=200)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

VPP=
9.08V

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

Transistor 2
=261 con resistencia en el
emisor(RE=200)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

VPP=
8.8V

Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

Con resistencia en el emisor (RE=400 y RC=595 )

XSC1
XFG1

VCC

Tektronix

VCC

12V
R1

430k

C1

100nF

12V

P
G

R2

1k

Q1

1 2 3 4

C2

100nF

2N2222A
RE

400

Simulacion.
Con resistencia en el emisor (RE=400);

Entrada

Salida

Fre= VPP
1Kh antes de
distorsion
z

Fre= VPP=
1Khz 8.16
V

arse

VPP=1.
82V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 8.62V
=
=4.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1
=178 con resistencia en el
emisor(RE=400)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

Fre=
1Khz

VPP=
7.12V

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

Transistor 2
=261 con resistencia en el
emisor(RE=400)

Entrada

Salida

Fre=
1Khz

Fre=
1Khz

VPP

antes

de
distorsionars
e

VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 781mV
=
=veces
Vent 10 mV

VPP=
7.36V

CUESTIONARIO.Practica N8

Amplificador monoetapa con Autopolarizacin (o polarizacin por

divisor de tensin) en configuracin Emisor Comn

PROCEDIMIENTO:
1. Disee un amplificador con BJT en configuracin emisor comn con
polarizacin por divisor de tensin (como el que se ilustra en la tabla 1.0
del documento Tema 1- Caractersticas del transistor bipolar y FET:
Polarizacin, analizado anteriormente en clase) utilizando el 2N2222 con
una R = 100 y Vcc = 12 volts, si se desea que el punto de operacin
en reposo se localice en Vcc = 6 volts el 1c = 6 mA.
2. Repita las instrucciones y el procedimiento indicado en la Prctica N 6
anterior, agregando tambin al circuito diseado los capacitores C 1 y C2
a la entrada y a la salida respectivamente.
3. Elaborar y resolver un cuestionario de por lo menos 10 reactivos.

Practica N 9

Amplificador Multietapa en Configuracin Emisor Comn

PROCEDIMIENTO
1. Arme el circuito de la figura 9 siguiente:
XSC1
Tektronix
VCC

XFG1

12V
R1

R3

82k

820

R4

22k

Q2

C3

10F

1k

Q1

C1

10F

P
G

R5

1 2 3 4

C4

10F

2N2222A

2N2222A

47

C2

8.2k

470

10F

R2

220

22k

Figura 9a
2. Primero mida y anote el punto de operacin en reposo de los transistores
Q1 y Q2, es decir, sin aplicarle seal del generador de funciones al
circuito amplificador sino solamente con el voltaje de polarizacin Vcc de
la fuente de poder.
VCC

12V
R4

R1

R3

82k

820

22k

operacin enU3 reposo

+

5.882m

DC 1e-009Ohm

U2

+
-

R2
2

22k

220

1k

U4

+
-

5.079m

5.876

2N2222A

Transistor
8
47
8.2k 1 470
Transistor
2

DC 10MOhm

U1

+
-

Punto de

DC 1e-009Ohm

Q1

Simulacin

Q2

2N2222A

R5

4.520

DC
VECQ
V

10MOhm

5.87 V
C2

10F

4.52V

ICQ
5.882
mA
5.079
mA

3. Ahora aplique, con el generador de funciones, a la entrada del circuito

una seal sinusoidal de 10 Khz de frecuencia, conectando el canal 1 del
osciloscopio a la entrada del amplificador multietapa y el canal 2 a su
salida.
4. Iniciando con el control del generador de funciones al mnimo, aumente
lentamente la amplitud, observando la seal de salida del amplificador
multietapa (entre el colector de Q2 y tierra, esto es en el canal 2 del
osciloscopio): y detngase justo antes de que se empiece a distorsionar
la seal de salida.
5. Mida y registre el valor V p-c de la seal de entrada y el V pp de salida del
amplificador multietapa.
6. Tambin mida y registre el valor de V pp de salida de la primera etapa del
amplificador (entre el colector de Q1 y tierra)
7. Con los valores de tensin obtenidos en los puntos 5 y 6 anteriores,
calcule la ganancia de voltaje (Av) para cada etapa, como sigue:
Av (etapa 1) = V

pp

salida Q1/ V

Av (etapa 2) = V

pp

salida Q2 / V

pp

entrada Q1 y

pp

salida Q1

Donde V pp entrada Q2 = V pp salida Q1

8. Y tambin calcule la ganancia de voltaje total del amplificador
multietapa, es decir, Av total = V pp salida Q2 / V pp entrada Q1.
9. Cmo es la fase y la simetra de la seal de salida con respecto a la
entrada del multietapa?
10.Realice la operacin Av (etapa 1 * Av (etapa 2). Compare este valor con
el de Av total calculado en el punto 8 y haga sus observaciones.
11.Repita el procedimiento de los pasos indicados de los puntos 3 al 8
anteriores, pero agregando un capacitor (C4) de 10 fd en paralelo con
el emisor del primer amplificador como lo muestra la figura 9b. Compare
con los resultados obtenidos anteriormente y haga sus observaciones.
12.Ahora desconecte el capacitor C3 que se encuentra en paralelo con RE
de la etapa de salida. Observe y anote que ocurre con la seal de salida.
13.Con las condiciones de los puntos 1, 3 y 4 cambie el capacitor C3 por
uno de 100 fd y observe lo que ocurre con la salida del multietapa.
14.Mida y anote la Av. Total, repitiendo el procedimiento del punto 8
anterior.
15.Elabore un cuadro sinptico con todos los resultados obtenidos as como
observaciones respectivas y realice sus conclusiones.
16.Elabore y resuelva un cuestionario para entregarlo al inicio de la sesin
de laboratorio, de por lo menos 10 preguntas cuyo contenido sea
referido al tema de sta prctica.