Triac
Triac
Triac
TRIAC
Triodo para Corriente Alterna
Tipo
Semiconductor
Smbolo electrnico
Configuracin
Contenido
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1 Aplicaciones ms comunes
2 Control de fase (potencia)
3 Vase tambin
4 Bibliografa
[editar]Aplicaciones
ms comunes
Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los
interruptores mecnicos convencionales y los rels.
[editar]Control
de fase (potencia)
Control de fase
En la figura "control de fase" se presenta una aplicacin fundamental del triac. En esta condicin, se
encuentra controlando la potencia de ac a la carga mediante la conmutacin de encendido y apagado
durante las regiones positiva y negativa de la seal senoidal de entrada. La accin de este circuito
durante la parte positiva de la seal de entrada, es muy similar a la encontrada para el diodo Shockley.
La ventaja de esta configuracin es que durante la parte negativa de la seal de entrada, se obtendr el
mismo tipo de respuesta dado que tanto el diac como el triac pueden dispararse en la direccin inversa.
La forma de onda resultante para la corriente a travs de la carga se proporciona en la figura "control de
fase". Al variar la resistencia R, es posible controlar el ngulo de conduccin. Existen unidades
disponibles actualmente que pueden manejar cargas de ms de 10kW. (Boylestad)
El Triac
Electrnica, Ciencia y tecnologa
1.
2.
Descripcin general
3.
4.
Mtodos de disparo
5.
6.
7.
8.
9.
Observaciones y conclusiones
10.
Bibliografa
INTRODUCCION
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para
controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al
disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser
disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante
una corriente de puerta positiva o negativa.
DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy
baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2,
la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos
casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de
conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor
abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al
triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin
directa.
CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA EQUIVALENTE
FIG. 1 FIG. 2
La estructura contiene seis capas como se
indica en la FIG. 1, aunque funciona siempre
como un tiristor de cuatro capas. En sentido
MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de P2N1P1N4. La
capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura
lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre
intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y
desde 400 a 1000 V de tensin de pico repetitivo. Los triac son fabricados para funcionar a
frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores En la FIG. 2 se muestra el smbolo esquemtico e identificacin de
las terminales de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser
reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.
El Triac acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Fig. 3 , este
dispositivo es equivalente a dos latchs
FIG. 3
CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE
FIG. 4
La FIG. 4 describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a travs
del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1.
El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia
alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un pequeo cambio en la
tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente
de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la fuente.
Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla mas la conduccin, por
esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la
disipacin de energa sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2
es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un
componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la
caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual
a la del III
METODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una
compuerta G.
La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto
al nodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante
la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o
negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito
de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los
cuatro modos posibles de disparo.
1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la
tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al
nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la union P2N2 y en
parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es
favorecida en el rea prxima a la compuerta por la caida de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura
por signos + y - .
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial
exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.
2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin
del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1
(Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la
puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la
hacen pasar a conduccin.
3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del
nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es
negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura
auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de
ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la
unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la
estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad
de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin
del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es
positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la
estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin la
unin P2N1 son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial
positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la
prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la
unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el
disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor. El
modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el
disparo en todos los estados.
Un triac no esta limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo adecuado
del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto
proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media
onda que se logra con un SCR.
Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior
FIG.7
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los
SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la
FIG.8 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el
voltaje del triac ( a travs de los terminales principales) para dos condiciones
diferentes.
En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los
primeros 30 de cada semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un
interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se cae a
travs de las terminales principales del triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga.
Por tanto no hay flujo de corriente a travs del triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe seta situacin se llama ngulo de
retardo de disparo.
Despus de transcurrido los 30 , el triac dispara y se vuelve como un interruptor
cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto
del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se
llama ngulo de conduccin.
La FIG.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ngulo de retardo de
disparo mayor.
FIG.8
CIRCUITO PRACTICO PARA DISPARO
FIG.5
En la FIG. 5 se muestra un circuito practico de disparo de un triac utilizando un UJT. El
resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga
cambian. El transformador T1 es un transformador de aislamiento, y su propsito es aislar
elctricamente el circuito secundario y el primario, para este caso asla el circuito
de potencia ca del circuito de disparo.
La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida
de este a una combinacin de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v
sincronizada con la lnea de ca. Esta forma de onda es mostrada en la FIG. 6 (a).
Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el
cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este
se acopla al devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del
triac, encendindolo durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor( Vc1),
corriente del secundario de T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la FIG. 6 (b), (c),
(d).
La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un divisor de
voltaje, entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF
es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v , esto
origina que eltransistor pnp Q1 conduzca, con una circulacin grande de corriente por el
colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con
rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es
alta.
Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1 ser menor
que en el caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a travs del circuito baseemisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razn de carga
de C1 se reduce, por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y
el triac se disparan despus en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que
antes.
FIG.6
DISEO DEL CIRCUITO PRACTICO
Para el circuito de la FIG. 5, suponga las siguientes condiciones, R1 = 5 kW , Rf = 8 kW ,
R2=2,5kW , C1=0,5 m F, h = 0,58.
, luego
, de la ecuacin
El capacitor debe cargarse hasta el Vp del UJT, que esta dado por,
, permite que
, El punto pico del UJT es aun 14.5 V, por lo que para retardar el
disparo durante 5.55 ms, la razn de acumulacin de voltaje debe ser,
, luego
que nos da
proporcionalmente
EJEMPLO PRACTICO DE APLICACION. DISEO
En la FIG.9 puede verse una aplicacin prctica de gobierno de un motor de c.a. mediante un
triac (TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de mando exterior
a la puerta inversora de un ULN2803 que a su salida proporciona un 0 lgico por lo que
circular corriente a travs del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (opto acoplador).
Dicho diodo emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a travs de R2 tomando la
tensin del nodo del triac de potencia. Este proceso produce una tensin de puerta suficiente
para excitar al triac principal que pasa al estado de conduccin provocando el arranque del
motor.
Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa por
cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario redisparar el triac en cada semionda o
bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que consideremos
oportuno. Como podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se sita una red RC
cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se
puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no
deseados.
Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador
de calor constituido a base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se refrigere
adecuadamente.
FIG.9
PARAMETROS DEL TRIAC
VALORES MAXIMOS (2N6071A,B MOTOROLA)
OBJETIVOS DE LA PRCTICA
1.
2.
3.
2.
Caja de componentes.
3.
Osciloscopio.
4.
5.
6.
Multmetro (2 Unidades).
7.
Voltmetro electrnico.
8.
Soldador.
2.
1.
2.
Circuito de aplicacin:
3.
4.
5.
6.
7.
Calentar el Triac acercando el extremo del soldador durante uno a dos minutos
(no hay que hacer contacto entre el soldador y el cuerpo del Triac. El calentamiento
se producir por la conduccin del calor en el aire).
8.
3.
1.
2.
Circuito de aplicacin:
3.
4.
5.
6.
7.
8.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Realizar un ajuste del eje "X" (Volt/cm) y del eje "Y" (mA/cm) y centralizar el
origen de los ejes en la pantalla.
NOTA: los grficos estn dibujados en su forma normal y no en forma inversa
como son obtenidos en la pantalla del osciloscopio.
5.
7.
8.
Las corrientes de prdida del Triac son pequeas, del orden de 0,1 m A a la
temperatura ambiente.
El Triac conmuta del modo de corte al modo de conduccin cuando se inyecta corriente
a la compuerta. Despus del disparo la compuerta no posee control sobre el estado del
Triac. Para apagar el Triac la corriente andica debe reducirse por debajo del valor de la
corriente de retencin IH.
BIBLIOGRAFIA
El triac
Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin.
Conduce la corriente entre sus terminales principales en un sentido o en el inverso, por
ello, al igual que el diac, es un dispositivo bidireccional.
Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica una seal a la puerta (G).
Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo. Al igual que el tiristor, el paso
de bloqueo al de conduccin se realiza por la aplicacin de un impulso de corriente en
la puerta, y el paso del estado de conduccin al de bloqueo por la disminucin de la
corriente por debajo de la intensidad de mantenimiento (I H).
Est formado por 6 capas de material semiconductor como indica la figura.
Tiristores en antiparalelo