Reporte Proyecto Final
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Facultad de Ingeniera
Ingeniera en Electrnica
Electrnica de Potencia I
Proyecto final
Integrantes
Espinoza Lzaro Lucero Janeth
0710225
Jaimes Reyes David Isaas
1020774
Daz Garca Armando
0710911
Sptimo semestre
Fecha de entrega: 11 de diciembre de 2013
Introduccin
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Marco Terico
SCR
El SCR o rectificador controlado de silicio es un dispositivo semiconductor de cuatro capas
y tres uniones como se observa en la siguiente figura:
(a)
Figura 1. a) Estructura del SCR b) Smbolo del SCR.
Fuente: [www.brighthubengineering.com]
(b)
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( 1+ 1 )( 1+ 2 ) I co
Donde
1 1 2
1
I co
es la
1 2
tienda a la unidad:
1. Cuando V =0 .
2. Por razn de cambio de voltaje.
3. Temperatura.
4. Inyeccin de corriente de base.
Curva del SCR
La figura 3 muestra la curva del SCR
De la curva se definen los parmetros ms importantes del SCR:
1. Voltaje de rompimiento directo
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3. Voltaje de compuerta
5. Corriente de sujecin
Red Snubber
Limitacin del di/dt
di/dt
El
di /dt
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muy corto lo cual no permite que esta corriente se distribuya en toda el rea del
semiconductor, concentrndose en un rea muy pequea, la cual normalmente se funde por
calentamiento. Para limitar el di/dt en el SCR se adiciona un inductor en serie dado que
el crecimiento de corriente en un inductor no es instantneo lo cual permite que la corriente
se distribuya en toda el rea del semiconductor.
El circuito es el siguiente:
di/dt .
El
puede activar en falso por el crecimiento de voltaje en un tiempo instantneo. Para limitar
este crecimiento de voltaje entre el nodo y ctodo del SCR se adiciona un capacitor en
paralelo con el SCR dado que la razn de cambio de voltaje en un capacitor no es
instantneo, as protegiendo el SCR contra el dV /dt . El circuito se muestra en la figura
5. La resistencia en serie con el capacitor es necesaria para la constante de tiempo RC.
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Circuitos de disparo
En los convertidores con tiristores existen diferentes potenciales entre sus terminales. El
circuito de potencia est sujeto a un alto voltaje, generalmente mayor a 100 V, y con
respecto a los circuitos de compuerta, estos manejan de 3 a 30 V.
Por lo anterior es necesario un circuito de aislamiento entre cada tiristor y ekl circuito
generador de pulso de compuerta. Este aislamiento puede hacerse mediante el uso de
optocopladores o transformadores de pulsos.
Un tipo de aislamiento se muestra en la figura 6, en donde se tiene un arreglo con un
transformador de pulsos. Cuando un pulso de un voltaje adecuado se aplica a la base del
Q1
transistor de switcheo
, el transistor se satura y el voltaje de DC o Vcc que est a
travs del primario del transformador induce un pulso de voltaje sobre el secundario del
transformador, este pulso se aplica en la compuerta y el ctodo del SCR.
Cuando el pulso desaparece de la base del transistor se apaga y un voltaje de polaridad
opuesta se induce a travs del primario generando el RBSB en el transistor, por lo tanto es
necesario poner un diodo Dm, con este la corriente debida a la energa magntica del
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Comparador
Vref
Generado
r de
pulsos
Circuito
de disparo
SCR
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Objetivo
Disear e implementar un convertidor de CA a CD controlado utilizando controles de fase
mediante SCRs para controlar un motor de corriente directa en retroalimentacin.
Material
-
3 SCRs S8015L
3 transistores TIP122
1 LM2907
3 transformadores de pulsos
1 CI TL074
3 CI TL084
3 diodos rectificadores 1N5408
3 diodos rectificadores 1N5406
6 diodos rectificadores 1N4007
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Equipo
-
Osciloscopio digital
Multmetro
Fuente de alimentacin de CD
Procedimiento
1. Disear la red snubber adecuada para el tiristor de tal manera que sea protegido
contra el di/dt y el dV /dt como se muestra en la figura 8, considerando el
voltaje y frecuencia de lnea y su corriente mxima de operacin, con =0.7
(vase clculos de red snubber).
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3. Disear un circuito de control de fase por cruce de coseno para manejar un rango
del ngulo de disparo de 0 < < 180 tomando como base el diagrama de bloques
estudiado en clase.
4. En la siguiente figura se muestra el circuito de un semiconvertidor, para el cual se
requiere obtener lo siguiente:
a) La ecuacin matemtica para Vd en funcin del ngulo de disparo .
b) Obtener las formas de onda para: Vs, Is, y Vd para los siguientes valores del
ngulo de disparo: = 45, 90 y 135 para una carga en serie de R = 1 k y L
= 100 mH, simulando en PSPICE y realizando las observaciones pertinentes.
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Salida
Amplificador
de error
Control de fase
trifsico
Rectificador
controlado
Motor
Tacometro
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Para hacer el control de cruce por coseno se tomaron las seales senoidales de los
transformadores pequeos para integrarlas y convertirlas en cosenos. Para lograr esto se
configur un amplificador operacional TL074 de la manera que sirviera como un
integrador. El integrador se muestra en la figura 14.a) y la seal integrada en la figura 14.b.
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a)
b)
Figura 14. a) Circuito integrador. b) Onda seno (amarillo) y onda coseno (azul).
Fuente: [Elaboracin propia]
Despus de integrar la seal seno para el control se procedi a comprar el mismo coseno
con un voltaje que iba de -15 a 15 V que se variaba con un potencimetro, el cual a la salida
produca un pwm el cual cuando la seal coseno era mayor que la referencia el ciclo de
trabajo de la seal cuadrada de salida se reduca, y cuando la seal comparadora era mayor
que la amplitud del coseno el ciclo de trabajo aumentaba. Cuando la referencia de voltaje
era cero el ciclo de trabajo de la seal cuadrada de salida era del 50%. El circuito
comparador y las seales de entrada y salida se muestran en la figura 15.
Una vez obtenida esta seal PWM se pas al monoestable 74LS123 el cual produce pulsos
con los flancos de subida de una onda cuadrada, y el cual se configuro para que tuviera un
ancho de pulso de aproximadamente 1 ms. El valor de la resistencia y el capacitor se eligi
de acuerdo al datasheet del mismo circuito. En las siguientes figuras se muestra el circuito
armado del monoestable y la seal del pwm con el pulso generado. Como se puede apreciar
en la figura de las seales el pulso aparece en cada flanco de subida del tren de pulsos.
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a)
b)
Figura 15. a) Circuito comparador. b) Comparacin de la seal de referencia y la seal coseno produciendo un
pwm.
Fuente: [Elaboracin propia]
a)
b)
Figura 15. a) Circuito monoestable generador de pulsos. b) Comparacin de la seal pwm (amarillo) y los
pulsos generados en cada flanco de subida (azul).
Fuente: [Elaboracin propia]
Ahora, en la siguiente figura se puede observar cmo es que el pulso (que es el ngulo de
disparo) va de 180 a 0.
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a)
b)
c)
Figura 16. Barrido de la onda senoidal usando la referencia a) Vref = 11.7 V, = 0. b) Vref = 0 V, = 90. b)
Vref = - 11.3 V, = 180.
Fuente: [Elaboracin propia]
Despus los pulsos del monoestable pasaron al circuito de disparo aislados con un
transformador el cual produca un voltaje de aproximadamente 1.7 V. El SCR se enciende
con un voltaje de 1.5 V. El circuito de disparo se muestra en la siguiente figura, al igual que
los pulsos que salen del transformador de pulsos.
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a)
15
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De la figura 17 c) vemos los pulsos que hay a la salida. Estos son los pulsos que van a la
compuerta del SCR para encenderlo.
Una vez que estuvo la parte de control del semiconvertidor trifsico se procedi a calcular
la red snubber para el SCR S015L (vase clculos de red snubber) la cual se le coloc a
cada tiristor tal como lo muestra la siguiente figura en la cual ya est armado el puente
rectificador:
Figura 18. Puente rectificador del semiconvertidor con sus respectivas redes snubber.
Nota: del circuito de disparo, cada pulso fue generado del transformador pequeo
conectado en la entrada igual que el grande, por lo que el pulso de disparo tiene que ir con
su misma fase en el scr del semiconvertidor. los transformadores de pulsos crean una
sincronia.
Una vez conectado el circuito de disparo al SCR se conect una resistencia de carga a la
salida del semiconvertidor de 50 y al encender todo el circuito las salidas fueron las
siguientes:
a)
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b)
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c)
d)
Figura 19. Formas de onda de salida variando el ngulo de disparo.
Fuente: [Elaboracin propia]
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a)
b)
Figura 21 a) Angulo de disparo en 180. b) Angulo de disparo en 90.
Fuente: [Elaboracin propia]
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Problemas y soluciones
Como en toda practica surgieron problemas y soluciones a las mismas entre ellos algn
capacitor o resistencia puestos mal, pero uno de los primeros problemas reportados fue que
el setpoint en lazo abierto, o sea el potencimetro, en un principio era un trimpot para
lograr mayor presicion, pero a causa de su tamao este se calentaba bastante por lo que se
opt por poner un potencimetro normal.
Otro problema se present a la salida del semiconvertidor trifsico. Cuando se tuvo la parte
de control de fase en lazo abierto y ya se enviaban los pulsos a las compuertas se obtuvo la
siguiente onda rectificada:
Como se puede observar cada vez que apareca un disparo se activaba el SCR pero
rectificaba de esa manera como se ve la seal amarilla. En un principio se crey que era el
SCR que no serva o cosas as, pero entonces fue cuando al final se lleg a la conclusin
que era la carga que se le estaba colocando ya que esta era de 560 . Recordemos que
cuando activamos el SCR este necesita una corriente mnima necesaria entre en nodo y el
ctodo para conservar el estado de conduccin conocida como corriente de mantenimiento;
entonces con la carga colocada se obtena una corriente muy pequea la cual no era
necesaria para mantener el estado de conduccin del SCR y es por ello que se reporta la
forma de onda mostrada en la figura 21. La solucin fue cambiar la carga a una ms
pequea de 30 la cual permiti que se mantuviera la corriente necesaria para mantener
encendido al SCR. Cabe resaltar que por no tener este concepto claro se perdi tiempo
significativo en la prctica.
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Clculos
Red Snubber
Para la red snubber se tienen los siguientes parmetros de los cuales unos fueron obtenidos
del datasheet del SCR S8015L:
Es =24 2V
f o=60 Hz
dv /dt=400V /s (para 100)
=0.7
I p =15 A
Constante snubber
Punto A:
dv /dt 400 V
=
=11.78
Es
24 2V
Punto B:
=0.7
Punto C:
RC=0.2 s
Ip
R
=0.65
Es
R=
0.65 Es 0.65(24 2)
=
=1.47 1
Ip
15 A
C=
0.2 s 0.2 s
=
=135.98 nF 157 nF
R
1.47
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Para el inductor
Si
R C
=
2 L
C R2
L= 2 =149.91 nH
4
Como la inductancia de los transformadores es de 4.5 mH el inductor se omite de la red
snubber, por lo que la red queda de la siguiente manera:
D5
1N5406
C10
157n
R20
1R
U7
S8015L
Circuito de disparo
Para el clculo solo se considera la resistencia de base, resistencia del colector y un Vcc de
5 V.
Malla I
3.5+ R b i b +V BE=0
i b=
2.8
( 1)
Rb
Malla II
5+ V CE + Rc i c =0
Cuando el circuito est en saturacin Vce = 0, entonces
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ic =
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5
Rc
Si Rc = 100
i c =0.05 A
Para estar en saturacin debe haber una corriente por la base del transistor por lo que se
propone que Rb = 330 , entonces
i b=8.48 mA
i e =58 mA
El circuito final se muestra en la figura 23 al cual se le acopl un capacitor y un diodo para
eliminar picos y partes negativas.
TR3
G
D12
1N4004
K
TRAN-2P2S
R24
100R
R23
330R
D11
Q3
TIP122
1N4004
C12
1n8
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Los lmites de integracin son para las primeras dos fases. El valor medio de la seal se
calcula mediante la siguiente expresin
5
+
6
V m 12 sin ( t ) d ( t )
V m 23 sin ( t ) d ( t )
/2
/2
+
6
V o=
3 3
V (1+cos )
2 m
El valor RMS
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5
+
6
V m 12 sin ( t ) d ( t )
V m 23 sin ( t ) d ( t )
/2
/2
+
6
2
V rms =
Resolviendo la integral
V rms = 3V m
3 2
+ 3 cos 2( )
4 3
Para la fase de lnea 3-2 se tiene mostrada en la siguiente figura se tiene que
V o=
V o=
3
2
V m 32 sin ( t ) d ( t )
+
6
3 3
V (1+cos )
2 m
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V rms =
(
3
2
V rms = 3V m
2
3
( V m 32 sin ( t ) )2 d ( t )
+
6
3
1
+ sin ( 2 )
4
2
Z = ( 1 k ) + [ 100 m ( 2 ( 60 ) ) ] =1 k
Para =45 = /4
V o=
I o=
3 3
3 3
V o 47.91V
=
47.91 mA
Z
1k
Para =90 = /2
V o=
I o=
3 3
3 3
V o 28.06 V
=
=20.06 mA
Z
1k
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Para =135 =3 /4
V o=
I o=
3 3
3 3
3
V ( 1+cos )= ( 24 2 ) 1+cos
=8.22 V
2 m
2
4
V o 8.22 V
=
=8.22 mA
Z
1k
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Conclusiones
En el presente proyecto final se aplicaron todos los conceptos vistos durante el curso de
Electrnica de Potencia I al igual que otras materias como Control, Electrnica I y II,
Conversin de la Energa y Sistemas Digitales.
La combinacin de todas estas materias fue necesaria para poder realizar el control de fase
por coseno para el semiconvertidor trifsico.
Durante la prctica pudimos percatar una vez ms como es que las protoboard meten ruidos
o falsos a los dems circuitos, por ejemplo, un falso que haba ya en el circuito de disparo
estaba metiendo bastante ruido a los monoestables provocando disparos en falsos. Tambin
algo que mete mucho ruido en ocasiones es la misma fuente de voltaje ya que al conectar
los 5 V que alimentan al monoestable comenzaron a aparecer disparos en falso, y al colocar
un capacitor desaparecan los disparos en falsos.
Tambin pudimos notar que cuando se conectaba el motor al semiconvertidor y comenzaba
a funcionar este el motor regresaba muchos armnicos al semiconvertidor tal y como lo
muestra la siguiente figura:
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Referencias
-
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