Practica Electronica

PRACTICA FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA
PRACTICA FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA CHRISTOPHER DEL ROSARIO

1. Cuantos protones tienen un ncleo de tomo de cobre?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29
2. La carga neta de un tomo de cobre neutro es:
a. 0
b. +1
c. -1
d. +4
3. Suponiendo que se elimina el electro de valencia de un tomo de cobre. La carga neta del
tomo ser:
a. 0
b. +1
c. =1
d. +4
4. Qu tipo de atraccin experimenta el electrn de valencia de un tomo de cobre hacia el
ncleo:
a. Ninguna
b. Dbil
c. Fuerte
d. Imposible saberlo
5. Cuantos electrones de valencia tiene un tomo de silicio?
a. 0
b. 1
c. 2
d. 4
6. Cul es el semiconductor cuyo uso est ms extendido?
a. Cobre
b. Germanio
c. Silicio
d. Ninguno de los anteriores
7. Cuantos protones contiene el ncleo de un tomo de silicio?
a. 4
b. 14
c. 29
d. 32
8. Los tomos de silicio se combinan formando un patrn ordenado denominado
a. Enlace covalente
b. Cristal
c. Semiconductor
d. Orbital de valencia


9. Un semiconductor intrnseco tiene algunos huecos a temperatura ambiente. Que causa
esos huecos?
a. Dopaje
b. Electrones libres
c. Energa trmica
d. Electrones de valencia
10. Cuando un electrn se mueve a un orbital de nivel mayor, su nivel de energa con respecto
al ncleo:
a. Aumenta
b. Disminuye
c. Permanece igual
d. Depende del tipo de tomo
11. La unin de un electrn libre y de un hueco se denomina
a. Enlace covalente
b. Tiempo de vida
c. Recombinacin
d. Energa termina
12. A temperatura ambiente, un cristal de silicio intrnseco se comporta de manera similar a:
a. Una batera
b. Un conductor
c. Un aislante
d. Un fragmento de cable de cobre
13. El tiempo transcurrido entre la creacin de un hueco y su desaparicin se denomina:
a. Dopaje
b. Tiempo de vida
c. Recombinacin
d. Valencia
14. El electrn de valencia de un conductor tambin se puede llamar:
a. Electrn de enlace
b. Electrn libre
c. Ncleo
d. Protn
15. Cuantos tipos de flujo tiene un conductor:
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
16. Cuantos tipos de flujo tiene un semiconductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4


17. Cuando se aplica una tensin aun semiconductor, los huecos fluyen:
a. Alejndose del potencial negativo
b. Hacia el potencial positivo
c. En el circuito externo
d. Ninguna de las anteriores
18. En un material semiconductor, el orbital de valencia se satura cuando contiene:
a. Electrn
b. Los mismo iones (+) y (-)
c. 4 electrones
d. 8 electrones
19. En un semiconductor intrnseco, el nmero de huecos es
a. Igual al nmero de electrones libres
b. Mayor que el nmero de electrones libres
c. Menor que el nmero de electrones libres
20. La temperatura de cero absoluto es igual a:
a. -273 grados Celsius
b. 0 grados Celsius
c. 25 grados Celsius
d. 50 grados Celsius
21. A la temperatura de cero absoluto , un semiconductor intrnseco tiene:
a. Pocos electrones libres
b. Muchos huecos
c. Muchos electrones libres
d. Ni huecos ni electrones libres
22. A temperatura ambiente, un semiconductor intrnseco tiene:
a. Unos pocos electrones libres y huecos
b. Muchos huecos
c. Muchos electrones libres
d. Ningn hueco
23. El nmero de electrones libres y huecos en un semiconductor intrnseco disminuye cuando
la temperatura:
a. Disminuye
b. Aumenta
c. No varia
24. El flujo delos electrones de valencia hacia la derecha indica que los huecos se mueven
hacia:
a. La izquierda
b. La derecha
c. Cualquier lado
d. Ninguna delas anteriores


25. Los huecos son como:
a. tomos
b. Cristales
c. Cargas negativas
d. Cargas resistivas
26. Cuantos electrones de valencia tiene tomos trivalentes:
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
27. Cuantos electrones de valencia tiene un tomo receptor:
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
28. Para producir un semiconductor de tipo n, que utilizara?
a. tomos receptores
b. tomos donantes
c. Impurezas pentavalentes
d. Silicio
29. En qu tipo de semiconductor los portadores minoritarios son electrones?
a. Extrnseco
b. Intrnseco
c. Tipo n
d. Tipo p
30. Cuantos electrones libres contiene un semiconductor de tipo p?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Solo los producidos por la energa trmica
d. Los mismos que huecos
31. La plata es el mejor conductor, cuantos electrones de valencia cree que tiene?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29
32. Suponiendo que un semiconductor intrnseco tiene 1000 de millones de electrones libres a
temperatura ambiente, si la temperatura disminuye a 0 grados Celsius, cuantos huecos
tendr?
a. Menos de 1000 millones
b. 1000 millones
c. Ms de 1000 millones
d. Imposible decirlo


33. Se aplica una fuente de tensin externa a un semiconductor de tipo p. Si el extremo
izquierdo del cristal es positivo, como fluyen los portadores mayoritarios?
a. Hacia la izquierda
b. Hacia la derecha
c. No fluyen
d. Imposible decirlo
34. Cul de las siguientes respuestas no se ajusta al grupo?
a. Conductor
b. Semiconductor
c. Cuatro electrones de valencia
d. Estructura de cristal
35. Cul de las temperaturas siguientes es aproximadamente igual a la temperatura ambiente
(expresada en grados Celsius)?
a. 0
b. 25
c. 50
d. 75
36. Cuantos electrones hay en el orbital de valencia de un tomo de silicio que est dentro de
un cristas?
a. 1
b. 4
c. 8
d. 14
37. Los iones negativos son tomos que han:
a. Ganado un protn
b. Perdido un protn
c. Ganado un electrn
d. Perdido un electrn
38. Cul de los siguientes trminos describe a un semiconductor de tipo n:
a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor de tipo p contiene huecos y:
a. Iones positivos
b. Iones negativos
c. tomos pentavalentes
d. tomos donantes
40. Cul de los siguientes trminos describe a un semiconductor de tipo p?
a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos electrones libres

41. Comparado a con un diodo de germanio, la corriente inversa de saturacin de un diodo de
silicio es:
a. Igual a altas temperaturas
b. Menor
c. Igual a bajas temperaturas
d. Mayor
42. Que es lo que genera la zona de deplexin:
a. Dopaje
b. Recombinacin
c. Barrera de potencial
d. Iones
43. Cual es la barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente:
a. 0.3v
b. 0.7v
c. 1v
d. 2mV por grado Celsius
44. Al comparar las bandas prihibidas de los tomos de germanio y de silicio, un tomo de
silicio tiene una banda prohibidas:
a. Aproximadamente igual
b. Menor
c. Mayor
d. Impredecible
45. Normalmente en un diodo de silicio la corriente inversa:
a. Es muy pequea
b. Es muy grande
c. Es igual a acero
d. Est en la regin de disrupcin
46. Manteniendo la temperatura constante, la tensin de polarizacin inversa de un diodo de
silicio aumenta. La corriente de saturacin del diodo:
a. Aumentara
b. Disminuir
c. Permanecer constante
d. Sera igual a la corriente superficial de fugas\
47. La tensin a la que se produce el efecto de avalancha se denomina
a. Barrera de potencial
b. Zona de deplexin
c. Tensin de codo
d. Tensin de disrupcin
48. La barrera de energa de la unin de un diodo pn disminuir cuando el diodo:
a. Este polarizado en directa
b. Se fabrique
c. Este polarizado en inversa
d. No conduzca


49. Cuando la tensin inversa disminuye de 10 a 5 v, la zona de deplexin
a. Se hace ms pequea
b. Se hace ms grande
c. No se ve afectada
d. Entra en disrupcin
50. Cuando un diodo esta polarizado en directa, la recombinacin de electrones libres y
huecos puede producir:
a. Calor
b. Luz
c. Radiacin
d. Todas las anteriores
51. Una tensin inversa de 10v cae en un diodo. Cul es la tensin existente en la zona de
deplexin?
a. 0v
b. 0.7v
c. 10v
d. Ninguna delas anteriores
52. La banda prohibida de un tomo de silicio es la distancio entre la banda de valencia y:
a. El ncleo
b. La banda de conduccin
c. La parte interna del tomo
d. Los iones positivos
53. La corriente inversa de saturacin se duplica cuando la temperatura de la unin aumenta (
en grados Celsius):
a. 1
b. 2
c. 4
d. 10
54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensin inversa aumenta:
a. 7%
b. 100%
c. 200%
d. 2mV


1. Cul es la carga neta de un tomo de cobre si gana dos electrones?

2. Cul es la carga neta de un tomo de silicio si gana dos electrones de valencia?

3. Clasificar cada uno delos siguientes elementos como conductor o semiconductor:
a. Germanio
b. Plata
c. Silicio
d. Oro


4. Si un cristal de silicio puro tiene en su interior 500000 huecos, cuantos electrones libres
tendr?

5. Un diodo esta polarizado en directa. Si la corriente es de 5mA en el lado n, cual ser cada
una de las siguientes corrientes:
a. En el lado p
b. En los cables de conexin al exterior
c. En la unin


6. Clasifique cada uno delos siguientes elementos como semiconductor de tipo n o de tip p:
a. Dopado con tomos aceptores
b. Cristal con impurezas pentavalentes
c. Portadores mayoristas y huecos
d. tomos donantes aadidos aun cristas
e. Portadores minoritarios y electrones libres

7. Un diseador va a emplear un diodo de silicio en un rango de temperatura comprendido
dentro 0 y 75 grados Celsius, cules sern los valores mnimos y mximo de la barrera de
potencial?

8. Si un diodo de silicio tiene una corriente de saturacin de 10 nA en un rango de 25 a 75
grados, cules sern los valores mnimo y mximo dela corriente de saturacin?


9. Un diodo tiene una corriente superficial de fugas de 10nA cuando la tensin inversa es
10v. cul ser la corriente superficial de fugas si la tensin inversa se aumenta a 100 v?

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