Dispositivos de Disparo

INSTITUCION UNIVERSITARIA ANTONIO JOSE CAMACHO TECNOLOGIA EN ELECTRONICA ELECTRONICA INDUSTRIAL II Febrero 27 de 2010
Elaborado por I!"# R$%ardo J# M&r$llo O'or$o
D$'po'$($)o' de d$'paro
INTRODUCCI*N A ciertos niveles, para disparar el tiristor y el triac, no basta con el disparo por circuitos RC, sino que se necesitan dispositivos intermedios entre la seal de disparo y la puerta que permiten un disparo simetrico y consistente y evitan problemas relacionados con la temperatura. Entre los mas conocidos tenemos: DIAC, SUS, S S, U!", #U", $UADRAC, DI%D% S&%C'(E), %#"%AC%#(AD%RES
1# DIAC ESTRUCTURA + CARACTERISTICAS * Diac +Diode Alternative Current,: dispositivo bidireccional sim-trico +sin polaridad, con dos electrodos principales, ."/ y ."0, y nin1uno de control +2i1./.a,. * Su estructura es la representada en la 3i1ura /.b. * En la curva caracter4stica tensi5n6corriente +2i1. /.c, se observa que: 7 8+9 5 7) < 8S el elemento se comporta como un circuito abierto. 7 8+9 5 7) > 8S el elemento se comporta como un cortocircuito. * Se utili:an para disparar esencialmente a los triacs.
Fig.1.- a) Smbolo del diac b) Estructura c) Curva caracterstica.
2# CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO ,SUS* SUS +Silicon Unilateral S;itc<,: combinaci5n de un tirirstor con puerta an5dica y un diodo =ener entre puerta y c>todo. * En la 3i1ura 0 se representa el s4mbolo, circuito equivalente y la curva caracter4stica. * Se usa para el disparo de tiristores. Su principal par>metro es 8S ? @ y /A 8. * Se dispara a una tensi5n 3iBa, 8:ener , y su corriente IS est> muy cercana a I& . * Sincroni:aci5n mediante impulsos en puerta del SUS.
Fig.2.- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un SUS.
.# CONMUTADOR /ILATERAL DE SILICIO ,S/S* S S +Silicon ilateral S;itc<,: de respuesta equivalente a la de un diac, equivale a dos SUS conectados en antiparalelo. * En la 3i1ura C se representa el s4mbolo, circuito equivalente y la curva caracter4stica. * Se usan normalmente para el disparo de triacs. Su principal par>metro es 8S +entre @ y /A 8, en ambos sentidos. * Especi3icaciones id-nticas a las del SUS a eDcepci5n de 8R que pierde todo si1ni3icado.
Fig. .- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un S!S.
0# TRANSISTOR UNIUNI*N ,UJT1AR2METROS DEL UJT * U!" +Uni6!untion "ransistor,: transistor 3ormado por una resistencia de silicio +de E a F 'G, tipo H con tres terminales, dos bases, / y 0, y un emisor +uni5n H#,. * En la 3i1ura E se representa el s4mbolo, estructura y curva caracter4stica.
Fig.".- Smbolo, estructura, y curva caracterstica de un U#$. * El circuito equivalente del U!" es el representado en la 3i1ura I, para su estudio de3inimos: 7 VBB : "ensi5n interbase. 7 rBB : Resistencia interbase 7 7 7 7 7 7 7 7 7 VE : "ensi5n de emisor. IE : Intensidad de emisor. VB2 : "ensi5n en 0, +de I a CA 8 para el U!" polari:ado,. VP : "ensi5n de disparo IP : Intensidad de pico +de 0A a CA JA.,. VV : "ensi5n de valle de emisor IV : Intensidad valle del emisor. VD : "ensi5n directa de saturaci5n del diodo emisor +de A,I y A,K 8,. J : Relaci5n intr4nseca +de A,I a A,L,
Fig.%.- Circuito equivalente del U#$.
FUNCIONAMIENTO DEL UJT * El punto de 3uncionamiento viene determinado por las caracter4sticas del circuito eDterior. El 3uncionamiento del U!" se basa en el control de la resistencia r / 0 mediante la tensi5n aplicada al emisor. * Si el emisor no est> conectado 5 8E M 8# Diodo polari:ado inversamente no conduce IE N A.
* Si 8E O 8# Diodo polari:ado directamente conduce aumenta IE. * Cuando I# M IE M I8 entramos en una :ona de resistencia ne1ativa donde r varia en 3unci5n de IE. * A partir del punto de 3uncionamiento, si IE disminuye <asta alcan:ar un valor in3erior a I8 el diodo se polari:a inversamente. * Se suele usar para el disparo de tiristores o en el diseo de osciladores de relaBaci5n.
3# TRANSISTOR UNIUNI*N 1ROGRAMA/LE ,1UT1AR2METROS DEL 1UT * #U" +#ro1ramable Uni6!untion "ransistor,: de caracteristicas id-nticas al U!", puede aBustar los valores de J, 8# e I8 mediante un circuito de polari:aci5n eDterno. * Su constituci5n y 3uncionamiento es similar a las de un tiristor con puerta de >nodo +2i1. @,. "iene tres terminales: c>todo ', >nodo A y puerta de >nodo PA.
Fig.&.- 'onta(e y circuito equivalente de un )U$. FUNCIONAMIENTO DEL 1UT * Si 8A M 8PA diodo A6PA se polari:a inversamente solo circula corriente de 3u1as. * Si 8A Q 8PA diodo A6PA conduce y tiene una caracter4stica similar a la del U!" +2i1. K,.
Fig.*.- Curva caracterstica del )U$. * (a variaci5n de J I# e I8 dependen de R/ y R0 en el divisor de tensi5n 8PA, es decir de RP +2i1. @,.
* El voltaBe de valle 88 es el de encendido del #U" +? / 8,. * (os circuitos de la 3i1ura L permiten la pro1ramaci5n del #U".
Fig.+.- Circuitos de ,rogramaci-n de un )U$.
4# OTROS DIS1OSITIVOS 4#1 DIODO SHOC5LE+ * Diodo de cuatro capas o diodo tiristor: dispositivo bipolar #H#H comparable a un tiristor sin el terminal de puerta +2i1. F,.
Fig...- Smbolo del diodo S/oc0ley. 4#2 6UADRACS * Dispositivo 3ormado por un diac que dispara a un triac. #osee tres terminales, dos de potencia del triac y un eDtremo del diac como puerta del $uadracs +2i1. /A,.
Fig.11.- Esquema de un 2uadracs. 4#. CONJUNTO DIODO M2S TIRISTOR * Dispositivo 3ormado por un diodo y un tiristor en la misma c>psula o inte1rados en la misma pastilla. +2i1. //,.
Fig.11.- Estructura de un con(unto diodo m3s tiristor. 4#0 1UENTES MI7TOS * ConBunto de dos diodos y dos tiristores en la misma c>psula +2i1. /0,.
Fig.12.- Estructura de un ,uente mi4to. 4#3 ACO1LADORES *1TICOS CON TIRISTORES * ConBunto 3ormado por un 3ototiristor y un diodo (ED en la misma c>psula. "ambi-n se denominan %#"%AC%#(AD%RES +2i1. /C,.
Fig.1 .- Smbolo de un 5ctoaco,lador.

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Fig.1.- a) Smbolo del diac b) Estructura c) Curva caracterstica.

Fig.2.- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un SUS.

Fig. .- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un S!S.

Fig.%.- Circuito equivalente del U#$.

Fig.+.- Circuitos de ,rogramaci-n de un )U$.

Fig.1 .- Smbolo de un 5ctoaco,lador.

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