TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR) Es un dispositivo semiconductor de estado slido de tres terminales (Drenador D, fuente

S, compuerta G); la corriente de salida est controlada por la tensin aplicada en la entrada, y sus terminales son anlogos al C, E, B de un BJT. Debido a que se controla por voltaje y no por corriente, el dispositivo puede daarse, por la presencia de la esttica, que es un voltaje que aparece por efectos de no conexin a tierra de la entrada; y por tanto para emplearse, el usuario debera previamente descargar su energa esttica, haciendo contacto con tierra. En comparacin con los transistores BJT, la impedancia de entrada que poseen es muy alta, por tanto la corriente de entrada se asume cero; los portadores de carga son unipolares, a diferencia del BJT que son bipolares; y su fabricacin es ms sencilla que un BJT, por lo cual un integrado puede tener ms FETs que BJTs. TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 1. JFET (HAY DE CANAL N y CANAL P)

2. MOSFET DE AGOTAMIENTO (HAY DE CANAL N y CANAL P)

3. MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO (HAY DE CANAL N y CANAL P)

1- JFET
Construido con dos capas de material extrnseco, una envuelta en la otra. La capa interna tiene dos contactos hmicos que forman los terminales D y S, y la envuelta cortocircuitada forma la G.

REGIONES DE TRABAJO DE UN FET Regin de corte: Cuando la tensin puerta-fuente ha superado o igualado la tensin de estrangulamiento del canal, el JFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos. Regin hmica: Tambin conocida como regin de resistencia controlada por voltaje. En esta regin el transistor puede ser utilizado como una resistencia variable, cuyo valor resistivo depende del voltaje aplicado a la compuerta-fuente; siempre que VDS<VP.

ro es la resistencia cuando VGS=0; rd es la resistencia a cualquier valor de VGS; VP es el voltaje de estrangulamiento del canal, o Voff. Regin de Saturacin: Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite (VDS>VP), el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. La corriente mxima se encuentra definida como IDSS y ocurre cuando VGS=0 y VDS>VP

CURVAS CARCTERSTICAS

Curva

Circuitos de polarizacin en DC: Se tiene las tres configuraciones Fuente comn, drenador comn y compuerta comn, al igual que en los BJT; con la diferencia que para un JFET de canal N se controla con tensin negativa en la compuerta y para un JFET de canal P se controla con tensin positiva, el hacerlo en forma incorrecta puede destruir el dispositivo, ya que est establecido por el fabricante los valores mximos de corriente soportados por el transistor, y esto ocurre cuando el voltaje VGS=0V, produciendo una corriente mxima de saturacin drenador-surtidor= IDSS

2- MOSFET
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET.

2.1- EL TRANSISTOR MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO AGOTAMIENTO o DEFLEXION El FET de semiconductoroxido-metal, o MOSFET posee cuatro electrodos llamados fuente compuerta drenaje y sustrato. A diferencia del JFET, FET de juntura o simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta est aislada galvnicamente del canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es extremadamente pequea, tanto cuando la tensin de compuerta es positiva como cuando es negativa. La idea bsica se puede observar en la figura 1, en donde se muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Se compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una vlvula electrnica, en donde los electrones libres circulan desde el ctodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulacin electrnica. Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora.

Mosfet de empobrecimiento de canal N (NMOS de emprobrecimiento)

Sobre el canal se agrega una delgada capa de dixido de silicio (vulgarmente vidrio) que opera como aislante. Sobre esta finsima capa de vidrio se realiza una metalizacin que opera como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en ella un potencial tanto negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura 2: a) Tensin de puerta negativa b) Tensin de puerta positiva En la parte (a) se muestra un MOSFET de empobrecimiento con una tensin de compuerta negativa. La alimentacin VDD, obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenaje. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. La tensin de compuerta controla el ancho del canal. Cuanto ms negativa sea la tensin de compuerta, menor ser la corriente que circula por el MOSFET debido a que el campo elctrico empuja a los electrones contra el sustrato. Inclusive una tensin suficientemente negativa podr, eventualmente, cortar la circulacin de corriente.

Cuando se pone tensin positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad libre y el MOSFET se comporta como una llave cerrada. Observe que la corriente de drenaje se mantiene prcticamente constante independientemente de la tensin de drenaje-fuente, salvo en la zona inicial que se llama zona hmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave.

El mecanismo de control de la corriente IDS por VGS es similar al del FET: si se hace VGS negativo se producir una zona de cargas descubiertas, deplexin, en la zona n pegada al aislante de puerta, la cual disminuye la seccin del canal de conduccin.

La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que estn por debajo de cero y hasta VGSoff se llama seccin de empobrecimiento y las que estn por encima seccin de enriquecimiento. Esto significa que el canal no slo se puede angostar; en efecto, si se colocan tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son repelidas y el canal se ensancha. En b se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento en donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito. Como la curva se extiende hacia la derecha, sta no es la mxima corriente de drenaje. En efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor. El smbolo elctrico de un MOSFET de canal N de empobrecimiento puede observarse en la figura 4 al lado de su dibujo en corte. La compuerta se representa como una lnea vertical con una salida hacia la izquierda. A su derecha se dibuja el canal como otra lnea vertical fina, con una salida superior que es el drenaje y otra inferior que es la fuente. La flecha, en el sustrato P, apunta hacia adentro en el MOSFET de canal N de estrechamiento como indicando que el canal es estrecho

El MOSFET canal n, a diferencia del FET canal n, tambin funciona para valores positivos de VGS. Para valores positivos de VGS aumenta la concentracin de electrones en las proximidades de la puerta, el canal de conduccin se refuerza y mejora su conductividad
2.2- MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO O ACUMULACIN

Es un transistor que no tiene canal de conduccin de semiconductor formado entre los bloques drenador y surtidor. El canal de conduccin se induce mediante una tensin externa aplicada entre puerta y surtidor. (positivo para ch N y negativo para ch P)

Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta. En un MOSFET de enriquecimiento de Ch N, el voltaje de compuerta positivo atrae electrones y repele huecos; en un MOSFET de enriquecimiento de Ch P, el voltaje de compuerta negativo atrae huecos y repele electrones. Cuando el voltaje supera el umbral VT, existen suficientes electrones (Ch N) que son atrados para formar un canal de conduccin entre el drenaje y la fuente. En este punto el transistor se enciende y la corriente es una funcin de VGS, como de VDS. VT es positivo para un dispositivo de canal N y negativo para un dispositivo de canal P. ID = K (VT-VGS)2

Cuando se aplica una diferencia de potencial entre los terminales de drenador y surtidor, VDS, sin que exista diferencia de potencial entre puerta y surtidor, la corriente ID ser despreciable ya que no hay canal de conduccin entre drenador y surtidor. Si se aplica una diferencia de potencial positiva entre los terminales de puerta y surtidor, VGS, se crear un campo elctrico perpendicular al dielctrico aislante en la zona de puerta que inducir cargas negativas en la zona del semiconductor prxima al aislante del terminal de puerta. La conductividad de drenador a surtidor empezar a aumentar lentamente con la tensin VGS, hasta que se llega a un valor de VGS (VT) en que la corriente ID ronda los 10 A, a partir de la cual ID va a aumentar fuertemente:

Mosfet de enriquecimiento de canal N (NMOS de enriquecimiento)

El parmetro k depende de las caractersticas de fabricacin del dispositivo. La tensin VT suele estar entre 4V y 6V.

Curvas de salida de un MOSFET de enriquecimiento canal n Para el mosfet de la fig 4.16; con VGS por debajo de 2,7V la corriente de drenador-surtidor es despreciable. Las curvas de salida de un MOSFET de empobrecimiento canal p, son iguales pero el valor de VT es negativo. Circuitos de Polarizacin del MOSFET. Se usan los mismos tipos de polarizacin que para el BJT, pero para seleccionar el punto de funcionamiento se ha de tener en cuenta que la curva que se obtiene de la relacin entre IDS y VGS para un MOSFET canal n es diferente para los tipos de empobrecimiento y enriquecimiento, tal como muestra la siguiente figura.

Para seleccionar el punto de funcionamiento de un MOSFET de empobrecimiento canal n se parte de los parmetros IDSS y VP, que el fabricante da en las hojas de especificaciones del dispositivo, estos parmetros son VP e IDSS Para un MOSFET de enriquecimiento canal n, el fabricante suministra el parmetro VT y un punto en conduccin del dispositivo (VGS, IDS) que en la figura son: VT = 3V y (5V, 5mA). El valor de K se puede calcular a partir de la ecuacin de la corriente, as: K= ID(encendido) (VGS(encendido)-VT)2 Donde ID(encendido) y VGS(encendido) son los valores para cada uno en un punto en particular sobre las caractersticas del dispositivo. Ejercicios: Resolver el circuito de abajo, para ID encendido =6mA; VGS encendido= 8V y VGS(TH) =3V

Circuito de polarizacin por retroalimentacin de voltajes

Circuitos de polarizacin por divisor de voltaje APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES EN DC: 1. MOSFET COMO INTERRUPTOR

2. Inversor NMOS

Q1 siempre encendido, Q2 se enciende o apaga en funcin del voltaje de entrada 3. Compuerta NAND y NOR CMOS

ANLISIS EN AC: Se realiza una analoga con el anlisis que se hace en AC de un BJT, cambiando el modelo del nuevo transistor MODELO DEL JFET Y MOSFET PARA BAJAS SEALES DE AF

Las curvas caractersticas de salida de un FET, muestran que el valor instantneo de la intensidad de la corriente de drenador iD como funcin del valor instantneo de la tensin de puerta-surtidor, vGS, y del valor instantneo de la tensin drenador-surtidor, vDS:

Por tanto se cumplir:

donde: gm se denomina parmetro de transconductancia y rd resistencia de salida

ECUACIONES DE gm, para el JFET y MOSFET de agotamiento: De la definicin de gm y la ecuacin de Shockley, se obtiene:

donde:

El parmetro gm0 es positivo ya que VP es un voltaje negativo y se denomina transconductancia inicial. Teniendo en cuenta que desde compuerta hacia el FET la impedancia que se ve es muy alta, la de una unin p-n polarizada inversamente, el circuito equivalente para pequea seal que se deduce para el FET, es el que se muestra en la figura.

ECUACIONES PARA UN MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO Para un MOSFET de enriquecimiento canal n la relacin entre ID y VGS toma una expresin diferente, que segn se vio en (4-14) es.

De la definicin de gm en (4-9):

El parmetro rd se obtiene en las hojas caractersticas del dispositivo a partir de la admitancia yOS (rd = 1 / yOS). Ejercicio de Amplificadores con FET

VP=-6V IDSS= 6mA

TEMA PARA LA ASIGNATURA DE ELECTRNICA GENERAL: AMPLIFICADORES OPERACIONALES DEFINICIN: El amplificador operacional es un dispositivo electrnico lineal de propsito general, que se presenta como circuito integrado; tiene 2 entradas y una salida, tiene capacidad de trabajar con seales desde f=0 Hz hasta una frecuencia definida por el fabricante; tiene adems lmites de seal que van desde el orden de los nV, hasta unas docenas de voltios (especificacin tambin definida por el fabricante). Su nombre proviene de una de sus utilidades bsicas, como lo son realizar operaciones matemticas en computadores analgicos (caractersticas operativas). Los amplificadores operacionales se caracterizan por tener una entrada diferencial y una ganancia muy alta, generalmente mayor que 105, equivalentes a 100dB. El A.O es un amplificador de alta ganancia directamente acoplado, se alimenta en general con fuentes positivas y negativas, lo cual permite que tenga excursiones de voltaje tanto por arriba como por debajo de tierra. SMBOLO

Los terminales son:

V+: entrada no inversora V-: entrada inversora VOUT: salida VCC O Vdd +: alimentacin positiva VEE o vss-: alimentacin negativa

Las terminales de alimentacin pueden recibir diferentes nombres, por ejemplo en los A.O. basados en FET VDD y VSS respectivamente. Para los basados en BJT son VCC y VEE.
CARACTERSTICAS 1. 2. 3. 4. 5. Resistencia de entrada,(Ri), tiende a infinito. Resistencia de salida, (Ro), tiende a cero. Ganancia de tensin de lazo abierto, (A), tiende a infinito Ancho de banda (BW) tiende a infinito. El voltaje de salida vo = 0 cuando v+ = v-

MODELO DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Debido a que la resistencia de entrada, Ri, es infinita, la corriente en cada entrada, inversora y no inversora, es cero. Adems el hecho de que la ganancia de lazo abierto sea infinita hace que la tensin entre las dos terminales sea cero, como se muestra a continuacin.

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL LM741

Aplicaciones del A.O

Compara entre las dos entradas y saca una salida en funcin de qu entrada sea mayor. Se puede usar para adaptar niveles lgicos.

Ejm: Un amplificador LM741, est alimentado con tensiones de 10V; la tensin en el pin 2 es fija de 2V y la tensin en el pin 3, es una onda cuadrada de 5V; dibujar la tensin de salida.

2. Seguidor de voltaje
Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a la entrada, desacoplando las impedancias de entrada y salida; al igual que un transformador.

Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja impedancia y viceversa) Como la tensin en las dos patillas de entradas es igual: Vout = Vin Zin =

3. Inversor

Se denomina inversor ya que la seal de salida es igual a la seal de entrada (en forma) pero con la fase invertida 180 grados; siempre y cuando el mximo de voltaje no exceda el voltaje de polarizacin.

El anlisis de este circuito es el siguiente:

V+ = V- = 0 Definiendo corrientes: y de aqu se despeja

Esta configuracin es una de las ms importantes, porque gracias a esta configuracin, se puede elaborar otras configuraciones. Ejemplo: Dada la seal de entrada de la figura calcular la ganancia de voltaje, el AO est polarizado con 10V.

Que suceder, si el pico de voltaje de la seal de entrada vI se incrementa a 2V?.

4. No inversor

El voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero como conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo, si se conoce el voltaje en el pin negativo podemos calcular, la relacin que existe entre el voltaje de salida con el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeo divisor de tensin.

Zin =

Ejemplo: Dada la seal de entrada de la figura calcular la ganancia de voltaje, el AO est polarizado con 10V; adems determine Vout, cuando Vi= 125mV

5. Sumador inversor

La salida est invertida Para resistencias independientes R1, R2,... Rn

La expresin se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor Impedancias de entrada: Zn = RnT

6. Restador O Amplificador diferencial

Para resistencias independientes R1,R2,R3,R4:

Igual que antes esta expresin puede simplificarse con resistencias iguales

La impedancia diferencial entre dos entradas es Zin = R1 + R2

Ejemplo: Determinar el voltaje de salida, en el circuito de la figura:

Haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que:

Ejercicio: En el circuito de la figura calcular el voltaje de salida, para una entrada diferencial de 10V (Vin1-Vin2).

7. Integrador ideal

Integra e invierte la seal (Vin y Vout son funciones dependientes del tiempo)

Vinicial es la tensin de salida en t=0

Nota: El integrador no se usa en la prctica de forma discreta ya que cualquier seal pequea de DC en la entrada puede ser acumulada en el capacitor hasta saturarlo por completo. Este circuito se usa de forma combinada en sistemas retroalimentados que son modelos basados en variables de estado (valores que definen el estado actual del sistema) donde el integrador conserva una variable de estado en el voltaje de su capacitor.

8. Derivador ideal

Deriva e invierte la seal respecto al tiempo

Este circuito tambin se usa como filtro

NOTA: Es un circuito que no se utiliza en la prctica porque no es estable, esto se debe a que al amplificar ms las seales de alta frecuencia se termina amplificando el ruido por mucho.

9. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL DE INTRUMENTACIN

Aplicaciones

Calculadoras analgicas Filtros Preamplificadores y buffers de audio y video Reguladores Conversores Adaptadores de niveles.

Deber: Revisar el pdf 016_11_AOEjerciciosResueltos_2D.pdf; y tomar dos ejercicios con realimentacin para simularlos e implementarlos en laboratorio.
TEMA: CIRCUITOS DE TEMPORIZACIN CI. TIMER555: El circuito integrado 555 es un circuito integrado de bajo costo y de grandes prestaciones. Entre sus aplicaciones principales cabe destacar las de multivibrador estable (dos estados metaestables) y monoestable (un estado estable y otro metaestable), detector de impulsos, etctera.

Distribucin de pines y caractersticas:

D Distribucin esquemtica interna Conexin de pines: 1 - Tierra o masa

2 - Disparo: Es en esta patilla, donde se establece el inicio del tiempo de retardo, si el 555 es configurado como monostable. Este proceso de disparo ocurre cuando este pin va por debajo del nivel de 1/3 del voltaje de alimentacin. Este pulso debe ser de corta duracin, pues si se mantiene bajo por mucho tiempo la salida se quedar en alto hasta que la entrada de disparo pase a alto otra vez.

3 - Salida: Aqu veremos el resultado de la operacin del temporizador 555, ya sea que est
conectado como monostable, astable u otro. Cuando la salida es alta, el voltaje de salida es el voltaje de aplicacin (Vcc) menos 1.7 Voltios. Esta salida se puede obligar a estar en casi 0 voltios con la ayuda de la patilla # 4 (reset) 4 - Reset: Si se pone a un nivel por debajo de 0.7 Voltios, pone la patilla de salida # 3 a nivel bajo. Si por algn motivo esta patilla no se utiliza hay que conectarla a Vcc para evitar que el 555 se "resetee" 5 - Control de voltaje: Cuando el temporizador 555 se utiliza en el modo de controlador de voltaje, el voltaje en esta patilla puede variar casi desde Vcc (en la practica como Vcc-1 voltio) hasta casi 0 V (en la practica aprox. 2 Voltios). As es posible modificar los tiempos en que la patilla # 3 esta en alto o en bajo independiente del diseo (establecido por las resistencias y condensadores conectados externamente al 555). Si esta patilla no se utiliza, se recomienda ponerle un condensador de 0.01uF para evitar las interferencias 6 - Umbral: Es una entrada a un comparador interno que tiene el 555 y se utiliza para poner la salida (Pin # 3) a nivel bajo bajo 7 - Descarga: Utilizado para descargar con efectividad el condensador externo utilizado por el temporizador para su funcionamiento. 8 - V+: Tambin llamado Vcc, es el pin donde se conecta el voltaje de alimentacin que va de 4.5 voltios hasta 16 voltios (mximo). Hay versiones militares de este integrado que llegan hasta 18 Voltios. APLICACIONES 1. OSCILADOR MONOESTABLE Posee un estado estable, que puede cambiar por un determinado intervalo de tiempo, determinado por sus elementos RC.

(en segundos).

OSCILADOR ASTABLE Posee 2 estados estables, donde tiempo en alto y bajo pueden ser diferentes o son iguales. Para tiempos iguales: El circuito permite generar una onda cuadrada con t1 = t2, aplicando t = 0.693 RC solamente, no as con t1 = 0.693 R1C y t2 = 0.693 (R1+R2) donde t1 = t2. Los tiempos de carga y descarga del condensador son iguales.

Para tiempos diferentes: