Material para la práctica

CI Tecnología TTL 74LS32 Led Amarillo

Resistencias de Carbón 4kΩ, 10KΩ y Dip Switch de 2 Posiciones

270Ω

Transistor BC548 Código de Colores

 Protoboard Caimanes

Cable telefónico Fuente de Alimentación, Multímetro Digital

Objetivo de la Práctica

Obtener experimentalmente la tabla de verdad de una puerta O (OR) con dos variables
y familiarizarse con el CI 74LS32, de tecnología TTL.

Medir la tensión de los niveles lógicos 1 y 0 de salida.

Realizar el montaje de una función O (OR) de dos entradas y comprobarlo.

Servirá de base o referencia para las sucesivas experiencias prácticas.

Al realizar la actividad se podrán localizar una de las cuatro puertas localizadas en el
circuito CI 74LS32, experimentando y logrando comprender las salidas y entradas de
la función OR con dos Variables (2n ).

Para lograrlo será indispensable realizar los siguientes pasos

1. Montaje del logigrama mostrado:

2. Razonar el funcionamiento

3. Los niveles lógicos de entrada se obtienen mediante los interruptores A y B. El

estado de salida se visualiza mediante el LED, con su correspondiente amplificador
para no sobrecargar la salida.

4. Actuando sobre los interruptores Ay B, aplicar las diferentes combinaciones de

entrada y observar el estado lógico de salida; construir así la tabla de verdad.

5. Medir la tensión de salida en el estado lógico 0 (VoL).

6. Medir la tensión de salida en el estado lógico 1 (VoH).

Una vez leídas y comprendidas las instrucciones anteriores procedemos al armado del
circuito, tal y como se ve en la siguiente fotografía, en donde colocamos en el
protoboard el circuito integrado, el led y su correspondiente alimentación en el bus
positivo (+) y negativo (-).
 Colocación del circuito
CI74LS32 TTL en el protoboard

De acuerdo a la compuerta se
elabora la tabla de verdad del
circuito dado

Conexión de led

Integración del dipswitch

 Tabla de verdad del modelo mostrado

X Y F Corriente
0 0 0 0.00
Tabla de verdad con salidas de una
0 1 1 4.90 puerta OR en el CI 74LS32 y tomando
corriente del la fuente de alimentación a
4.90 V
1 0 1 4.90
1 1 1 4.90

Conclusiones

Se pudo comprobar con la tabla de verdad que la compuerta OR trabaja de acuerdo a

la señalada, dejando pasar la corriente cada vez que existe el valor 1, de otra forma
no pasa la corriente, al igual si no se conectaban las entradas de la compuerta, seguía
emitiendo corriente haciendo que el led prendiera de todas formas, ya que no se
interrumpía la corriente

Hojas técnicas

Diodo de luz

74LS32

BC548
 Led 10 mm ámbar difuso

Modelo: 10/AMB-D

Rangos Máximos (Ta = 25° C)

Características Símbolo Valores Unidad

Corriente continua DC IF 20 mA

Voltaje inverso VR - V

Potencia de disipación PD 42.6 mW

Rango temperatura de operación Topr -40 ~ +85 °C

Rango temperatura de almacenamiento Tstg -40 ~ +85 °C

Símbolo Condición de Mín. Tipo Máx. Unidad

prueba

Características
Voltaje contínuo VF IF=10mA - 2.1 - V

Corriente inversa IR VR=5V - - - mA

Intensidad luminosa IV IF=10mA 60.0 - 250.0 mcd

Longitud de onda d IF=10mA - 590 - nm

dominante

Angulo de visión  - - 40 - grados

Características 74LS32

MILLIMETER
DI INCHES S
M MIN MAX MIN MAX
0.71 0.77 18.1 18.8
A
5 0 6 0
0.24 0.26
B
0 0 6.10 6.60
0.14 0.18
C
5 5 3.69 4.69
0.01 0.02
D
5 1 0.38 0.53
0.04 0.07
F
0 0 1.02 1.78
G 0.100 BSC 2.54 BSC
0.05 0.09
H
2 5 1.32 2.41
0.00 0.01
J 0.20 0.38
8 5
0.11 0.13
K 2.92 3.43
5 5
0.29 0.31
L 7.37 7.87
0 0
–––
M 10 10
––– �
0.01 0.03
N 0.38 1.01
5 9

MILLIMETER
DI S INCHES
M MIN MAX MIN MAX
0.33 0.34
A
8.55 8.75 7 4
0.15 0.15
B
3.80 4.00 0 7
0.05 0.06
C 1.35 1.75
4 8
0.01 0.01
D 0.35 0.49
4 9
0.01 0.04
F 0.40 1.25
6 9
G 1.27 BSC 0.050 BSC
0.00 0.00
J 0.19 0.25
8 9
0.00 0.00
K 0.10 0.25
4 9
M 0 7� 0� 7�
0.22 0.24
P 5.80 6.20
8 4
0.01 0.01
R 0.25 0.50
0 9
 DC CHARACTERISTICS OVER OPERATING TEMPERATURE RANGE (unless otherwise specified)

Limits

Symbol Parameter Typ Max Unit Test Conditions

Guaranteed Input HIGH Voltage for
VIH Input HIGH Voltage 2.0 V
All Inputs
0.8 Guaranteed Input LOW Voltage for
VIL Input LOW Voltage V
All Inputs
VIK Input Clamp Diode Voltage –0.65 –1.5 V VCC = MIN, IIN = –18 mA
2.7 3.5 V VCC = MIN, IOH = MAX, VIN = VIH
VOH Output HIGH Voltage
or VIL per Truth Table

0.25 0.4 V IOL = 4.0 mA VCC = VCC MIN,

VIN =VIL or
Output LOW Voltage Output LOW
VVOL VIHVIN = VIL or
Voltage
0.35 0.5 V IOL = 8.0 mA VIH per Truth
Table
Input HIGH Current Input HIGH 20 µA VCC = MAX, VIN = 2.7 V
IIIH
Current 0.1 mA VCC = MAX, VIN = 7.0 V
IIL Input LOW Current –0.4 mA VCC = MAX, VIN = 0.4 V
IOS Short Circuit Current (Note 1) –20 –100 mA VCC = MAX
Power Supply Current Total, Output
HIGH Total, Output LOW
ICCCC 6.2 mA VCC = MAX CC
9.8
 Características BC548

x = 6, 7, or 8 A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week

� = Pb−Free Package (Note: Microdot may be in either location)

Collector − Emitter Breakdown Voltage (IC = 1.0 V(BR)CEO V

mA, IB = 0) BC546 65 − −
BC547 45 − −
BC548 30 − −
Collector − Base Breakdown Voltage (IC = 100 V(BR)CBO V
�Adc) BC546 80 − −
BC547 50 − −
BC548 30 − −

Emitter − Base Breakdown Voltage (IE = 10 �A, V(BR)EBO V

IC = 0) BC546 6.0 − −
BC547 6.0 − −
BC548 6.0 − −

Collector Cutoff Current ICES

(VCE = 70 V, VBE = 0) BC546 − 0.2 15 nA
(VCE = 50 V, VBE = 0) BC547 − 0.2 15
(VCE = 35 V, VBE = 0) BC548 − 0.2 15
(VCE = 30 V, TA = 125°C) BC546/547/548 − − 4.0 �A

ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (IC = 10 �A, VCE = 5.0 V) hFE −
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) (IC = 100 mA, VCE
= 5.0 V)

BC547A
BC546B/547B/548B −−−
BC548C BC546 BC547 110
BC548 BC547A 110 90 150
BC546B/547B/548B 110 270 − − −−−
BC547C/BC548C 110 − 180 450 800
BC547A/548A 200 290 520 800 220
BC546B/547B/548B 420 − − 120 180 450 800
BC548C − 300 −−−
Collector − Emitter Saturation Voltage (IC = VCE(sat) V
10 mA, IB = 0.5 mA) (IC = 100 mA, IB = 5.0
mA) (IC = 10 mA, IB = See Note 1)
0.09 0.2 0.25 0.6
−−− 0.3 0.6
Base − Emitter Saturation Voltage (IC = 10 VBE(sat) − 0.7 − V
mA, IB = 0.5 mA)
Base − Emitter On Voltage (IC = 2.0 mA, VCE VBE(on) V
= 5.0 V) (IC = 10 mA, VCE = 5.0 V)
0.55 − −− 0.7 0.77

SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS
Current − Gain − Bandwidth Product (IC = 10 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz) fT MHz
BC546 BC547 BC548
150
150 300 300
150 300 −−−
Cobo − 1.7 4.5 pF
Output Capacitance (VCB = 10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)

Cibo − 10 − pF
Input Capacitance (VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)

Small − Signal Current Gain (IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V, f = 1.0 kHz) BC546 hfe −
BC547/548 BC547A BC546B/547B/548B BC547C/548C
125
125
125 500 900
240 − − 220 260 500
450 330 600 900
Noise Figure (IC = 0.2 mA, VCE = 5.0 V, RS = 2 k�, f = 1.0 kHz, �f = 200 NF dB
Hz) BC546 BC547 BC548
2.0 2.0 10 10
−−− 2.0 10
 INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX

A 0.175 0.205 4.45 5.20

B 0.170 0.210 4.32 5.33

C 0.125 0.165 3.18 4.19

D 0.016 0.021 0.407 0.533

G 0.045 0.055 1.15 1.39

H 0.095 0.105 2.42 2.66

J 0.015 0.020 0.39 0.50

K 0.500 −−− 12.70 −−−

L 0.250 −−− 6.35 −−−

N 0.080 0.105 2.04 2.66

P −−− 0.100 −−− 2.54

R 0.115 −−− 2.93 −−−

V 0.135 −−− 3.43 −−−

Characteristic Symbol Max Unit

Thermal Resistance,
R�JA 200 °C/W
Junction−to−Ambient
Thermal Resistance, Junction−to−Case R�JC 83.3 °C/W

Rating Symbol Value Unit

Collector - Emitter Voltage BC546 VCEO Vdc
BC547 BC548

65 45 30
Collector - Base Voltage BC546 BC547 VCBO Vdc
BC548

80 50 30
Emitter - Base Voltage VEBO 6.0 Vdc

Collector Current − Continuous IC 100 mAdc

Total Device Dissipation @ TA = 25°C PD mW
Derate above 25°C 625 5.0
mW/°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD W
Derate above 25°C 1.5 12
mW/°C
Operating and Storage Junction TJ, Tstg −55 to °C
Temperature Range +150