Analisis de ruido en detectores pticos.

La corriente real generada en un fotodiodo es de carcter aleatorio, cuyo valor flucta entre el valor promedio definido por la foto-corriente: i i p = P Dichas fluctuaciones se consideran como ruido y se caracterizan utilizando la desviacin estndar

i2 = (i i ) 2
Para un valor medio de corriente igual a cero, la desviacin estndar es igual al valor medio cuadrtico (rms) de la corriente, i.e.:

i = i2

Las fuentes de ruido inherentes al proceso de deteccin de fotones son: Ruido de fotones: asociado con el arribo aleatorio de los fotones al detector (generalmente descrito por una distribucin de Poisson). Ruido foto-electrnico: para un foto-detector con <1, un fotn tiene una probabilidad de generar un par foto-electrn-hueco, y una probabilidad 1- de fallar en la conversin. Dado que esto es de carcter aleatorio, contribuye como fuente de ruido. Ruido de ganancia: cada fotn detectado genera un nmero aleatorio G de portadores, i.e., el proceso de amplificacin es de carcter aleatorio. Ruido del circuito receptor: contribucin de los componentes del circuito utilizado en el receptor ptico. Los parmetros para caracterizar el desempeo de un receptor ptico son: Razn de seal a ruido (SNR): definida en trminos de la corriente como 2 SNR = i 2 .

Seal mnima detectable: valor medio de la seal ( i ) requerido para obtener SNR=1. Sensibilidad del receptor: seal requerida para obtener una SNR determinada (SNR0). Generalmente SNR0 se elige mayor que 1 para asegurar un valor aceptable de exactitud, e.g. SNR0=10 a 103 (10 a 30 dB).

* Ruido de fotones Descrito por la distribucin de Poisson:

p (n) =

n n Exp(n ) , n = 0,1,2,..... n!

donde el valor medio de nmero de fotones est dado por:

n=

PT E = h h

en la cual P es la potencia ptica y T es el intervalo de tiempo en el cual se realiza la deteccin. Utilizando estas expresiones se pueden obtener la varianza y la SNR para este tipo de distribucin, i.e.:
2 n = n = SNR

Este resultado implica que, por ejemplo, para un valor medio de nmero de fotones igual a 100, la varianza es igual a 10, i.e., la deteccin de 100 fotones est acompaada por una incertidumbre de 10 fotones. Por otro lado, se observa que la SNR aumenta sin lmite a medida que el valor medio de nmero de fotones aumenta.

* Ruido foto-electrnico El nmero de foto-electrones m detectados en un intervalo de tiempo T es un nmero aleatorio con valor medio:
m = n

Dado que el nmero de fotones se describe con una distribucin de Poisson, la varianza y la SNR estn dados por:
2 m = SNR = m

Con esto se puede determinar el valor medio y la varianza de la foto-corriente, i.e.:

i = e

i2 = 2ei B

en donde B es el ancho de banda del circuito. La SNR puede expresarse en trminos de estos parmetros como: SNR = m =

2B

* Ruido de ganancia Cuando la ganancia es de carcter aleatorio, el valor medio y la varianza de la fotocorriente se obtienen considerando un valor medio de ganancia, i.e.:
i = eG

i2 = 2eG i BF

En la varianza se considera tambin un factor de exceso de ruido (F), relacionado con los factores de ionizacin: 1 F = kG + (1 k ) 2 G Con esto, la SNR se obtiene mediante la expresin:

SNR =

m = / F F 2B

* Ruido en el circuito receptor (anlisis completo) Las diferentes fuentes de ruido que afectan la SNR pueden analizarse por medio del circuito equivalente del modelo sencillo del receptor. En este se consideran la resistencia Rs y la capacitancia Cd (juntura y empaquetado) del fotodiodo, una resistencia de polarizacin o carga RL, mientras que de la etapa de amplificacin se consideran la capacitancia Ca y la resistencia Ra de entrada. Para propsitos prcticos Rs es muy pequea en comparacin de RL y por lo tanto puede despreciarse en el anlisis.
VB RL Vo Cd

Rs AMP RL Ra Ca AMP Vo

Foto-corriente generada por una seal modulada con potencia ptica P(t):

i p (t ) =

e P(t ) = I p + i (t ) h

donde Ip es el promedio de la foto-corriente. Valor medio cuadrtico de la corriente de la seal:

2 2 is =s = i 2 (t )

(para fotodiodos pin)

2 2 is =s = i 2 (t ) G 2 (para APDs)

Para una seal sinusoidal con ndice de modulacin m:

i (t ) = El ndice de modulacin se calcula como:

2 p

m2 2 = Ip 2

m= = I B (LEDs), IB

I IB

= I B I Th (diodos laser) IB

donde IB es la corriente de polarizacin alrededor de la cual se incrementa la corriente de inyeccin por un valor I. El ruido de fotones y el foto-electrnico se agrupan en un solo factor denominado ruido cuntico o shot noise. La corriente asociada con estas fuentes de ruido est dada por:
2 2 iQ =Q = 2eI P BG 2 F

(corriente de shot noise)

en la cual B es el ancho de banda del circuito y F es el factor de exceso de ruido para APDs, que para propsitos prcticos puede calcularse aproximadamente por la relacin:
F G x ( 0 x 1 .0 )

donde x depende del material. En fotodiodos pin la corriente de ruido cuntico se obtiene considerando los parmetros G y F iguales a 1. Otro parmetro que se considera es la corriente de oscuridad (dark current), que es la corriente que fluye en el circuito de polarizacin cuando no hay luz incidiendo en el fotodiodo. La corriente de oscuridad generada en el grueso del material (bulk dark current) representa los portadores generados por efectos trmicos en la juntura, y su valor medio cuadrtico est dado por:
2 2 i DB = DB = 2eI D BG 2 F (bulk dark current)

donde ID es la corriente de oscuridad del grueso del material (caracterstica del dispositivo). Existe tambin corriente de oscuridad generada en la superficie. Esta se conoce como corriente de fuga y depende tambin de las caractersticas del dispositivo (defectos, limpieza, etc.). Puede calcularse como:
2 2 i DS = DS = 2eI L B

(corriente de fuga)

en donde IL es la corriente de fuga caracterstica del dispositivo. Dado que el proceso de avalancha es un efecto del grueso del material, ste no contribuye a la corriente de fuga. El ruido trmico o ruido Jonson se genera por el movimiento aleatorio de portadores de carga mviles en materiales elctricos resistivos. La contribucin de esta fuente se obtiene considerando que la impedancia de entrada del amplificador es mucho mayor que la resistencia de polarizacin RL. Con esto la corriente de ruido trmico a una temperatura T est dada por:
2 2 = T = iT

4k B T B (corriente de ruido trmico) RL

Finalmente, la SNR a la entrada del amplificador ideal del circuito receptor se calcula considerando todas las contribuciones anteriores, i.e.:
SNR = i 2 (t ) G 2 2e I p + I D G 2 FB + 2eI L B + 4k B TB / R L

En general, para fotodiodos pin las corrientes de ruido dominantes son la trmica y las de los elementos activos del amplificador. Para APDs las corrientes de ruido cuntico y de fuga son las de mayor relevancia. Ejemplo: Los siguientes parmetros son para un fotodiodo pin de InGaAs funcionando a una longitud de onda de 1300 nm: ID=4nA, =0.9, RL=1 k, corriente de fuga despreciable. Si la potencia ptica incidente es de 300 nW y el ancho de banda del circuito receptor es de 20 MHz, determinar las contribuciones de las fuentes de ruido. Solucin: IP = Corriente de ruido cuntico:
2 2 iQ =Q = 2eI P B = 1.80 x10 18 A 2 2 iQ 1 2

e e P0 = P0 = 0.282 A h hc

= 1.34nA

Corriente de oscuridad del grueso del material:

2 2 i DB = DB = 2eI D = 2.56 x10 20 A 2 2 i DB 1 2

= 0.16nA

Corriente de ruido trmico: 4k T 2 2 iT = T = B B = 323x10 18 A 2 RL

2 iT 1 2

= 18nA

Para este receptor se obtiene que la corriente de ruido trmico es aproximadamente 14 veces mayor que la corriente de ruido cuntico y casi 100 veces mayor que la contribucin por corriente de oscuridad. Finalmente, el ancho de banda del circuito (B) puede calcularse en trminos de la resistencia total del circuito RT (resistencia de carga e impedancia de entrada del amplificador) y la capacitancia total CT (fotodiodo y amplificador): B= 1 2 RT CT

Pre-amplificadores para fotodetectores La sensibilidad y el ancho de banda de los circuitos receptores estn dominadas por las fuentes de ruido en la parte de entrada de la etapa de amplificacin. Por esta razn, se da especial nfasis al desarrollo de etapas de pre-amplificacin que tengan bajo ruido y que permitan aprovechar al mximo las caractersticas de los detectores.

La configuracin tpica de un amplificador de seales pticas (circuito receptor) consta de un foto-detector, un amplificador y un ecualizador (figura 7-4). Los elementos que conforman cada una de estas etapas son:
Foto-detector: Eficiencia (), capacitancia (Cd), resistencia de polarizacin (Rb) a la cual se le asocia una corriente de ruido trmico (ib(t)).

Amplificador: Impedancia de entrada (combinacin en paralelo de Ra y Ca), la cual contribuye a una fuente de corriente de ruido trmico (ia(t)) y a una fuente de voltaje de ruido asociada al ruido trmico del amplificador (ea(t)). Ecualizador: ajusta la respuesta en frecuencia de las dos etapas anteriores para adecuar la seal para etapas electrnicas posteriores.

En general, pueden distinguirse tres categoras muy amplias de pre-amplificadores:

Pre-amplificadores de baja impedancia: El amplificador es de baja impedancia de entrada (50)y se utiliza una resistencia de polarizacin (Rb) igual a dicha impedancia (esto evita el reflejo de seales). La sensibilidad no es muy buena dado que no se minimizan las fuentes de ruido del amplificador. Pre-amplificadores de alta impedancia: En este se tratan de minimizar todas las fuentes de ruido. En general se seleccionan dispositivos de alta frecuencia con capacitancias bajas, as como tambin foto-detectores con corriente de oscuridad baja. Adems, la resistencia de polarizacin debe ser alta para minimizar el ruido trmico. En general se utilizan amplificadores basados en TBJs o FETs (Fig. 7-18 y 7-19). La desventaja de estos diseos es que la alta impedancia a la entrada limita la respuesta en frecuencia del amplificador, por lo que la etapa de ecualizacin debe compensar estas limitaciones. Estos amplificadores son los de ms bajo ruido aunque no son tiles para aplicaciones de ancho de banda amplio o en las que se requiera un rango dinmico grande.

Pre-amplificadores de transimpedancia: Este circuito no se ve afectado por las limitaciones del tipo anterior. Esto se logra al utilizar un amplificador de alta impedancia y bajo ruido retroalimentado negativamente con una resistencia (Rf, Figura 7-17). Los parmetros que contribuyen al ruido en este circuito son los mismos mostrados en el circuito genrico, aunque las caractersticas del amplificador minimizan estas contribuciones.

Comparacin de foto-detectores.
Parmetros genricos de operacin para fotodiodos pin: Parmetro Smbolo Unidades Si Longitud de nm 400-1100 onda (rango) Sensibilidad R A/W 0.4-0.6 Corriente de ID nA 1-10 oscuridad Tiempo de ns 0.5-1 r subida Ancho de banda B GHz 0.3-0.7 Voltaje de VB V 5 polarizacin Parmetros genricos de operacin para APDs: Parmetro Smbolo Unidades Si Longitud de nm 400-1100 onda (rango) Ganancia de G 20-400 avalancha Corriente de ID nA 0.1-1 oscuridad Tiempo de ns 0.1-2 r subida Ganancia x GB GHz 100-400 Ancho de banda Voltaje de VB V 150-400 polarizacin Ge 800-1650 0.4-0.5 50-500 0.1-0.5 0.5-3 5-10 Ge 800-1650 50-200 50-500 0.5-0.8 2-10 20-40 InGaAs 1100-1700 0.75-0.95 0.5-2.0 0.05-0.5 1-2 5 InGaAs 1100-1700 10-40 10-50 0.1-0.5 20-250 20-30