TRIAC

GTO

ZTO SITH MCT

FOTOTIRISTORES ASCR

Triac
Dispositivo de tres terminales con capacidad de controlar el paso de corriente en ambas direcciones (dispositivo bidireccional), muy utilizado en la regulacin de corriente alterna.

Presenta la ventaja de poder pasar a conduccin, tanto para tensiones negativas como positivas. Una forma simple de describir su comportamiento es comparndolo con dos tiristores conectados en antiparalelo. El triac es sensible a bajos valores de dV/dt y dI/dt, (baja velocidad de conmutacin). El lmite de frecuencia

para est en 400Hz.

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TEMA 8: TIPOS DE TIRISTORES

Caracterstica V - I

Para pasar del estado de bloqueo al de conduccin de una forma controlada, deberemos aplicar una determinada seal al terminal de puerta.

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TEMA 8: TIPOS DE TIRISTORES

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TEMA 8: TIPOS DE TIRISTORES

8.3.- GTO (Gate - Turn - Off)

Dispositivo semiconductor de potencia que combina caractersticas de un tiristor convencional con las de un transistor bipolar, presentando la ventaja de poder pasar de conduccin a bloqueo mediante la aplicacin de un impulso negativo a la puerta. Cuando el nodo, est polarizado con una tensin positiva respecto al ctodo, y si se inyecta un impulso positivo por la puerta, el GTO podr pasar al estado de conduccin.

Para pasar de conduccin a bloqueo mediante la aplicacin de un impulso negativo en la puerta del dispositivo en el momento en que est conduciendo, la seal aplicada ha de tener el valor suficiente tanto en magnitud como en duracin.
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TEMA 8: TIPOS DE TIRISTORES

Caracterstica inversa: Es equivalente a una resistencia la cual es incapaz de bloquear voltaje o de conducir una corriente significativa. Para continua el dispositivo no presenta ningn problema, no obstante, si queremos bloquear cualquier voltaje inverso, deberemos conectar en serie con el GTO un diodo. Si deseamos que pase la corriente, deberemos conectar un diodo en antiparalelo con el dispositivo. Esto podemos verlo representado en la figura siguiente:

Caracterstica de disparo: Para limitar la velocidad de crecimiento de la tensin (dV/dt) en el transitorio on off se utiliza el cto formado por RS, DS y CS, mientras que para limitar la velocidad de crecimiento de la corriente (dI/dt) en el mismo transitorio se utiliza el formado por LS, RLS y DLS. La inductancia LG, en serie con el drenador del mosfet, se utiliza para controlar la pendiente de decrecimiento de la intensidad negativa de puerta.
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8.5.- MCT (Most - Controlled - Thyristor) Es un tiristor o un GTO integrado junto con 2 mosfet. La frecuencia de conmutacin puede ser superior a 20KHz. El funcionamiento es similar al del IGBT, pero con una cada de tensin en torno a 1.1V. La principal desventaja es que la capacidad de bloqueo inverso del dispositivo ser sacrificada en favor de la velocidad de conmutacin.

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UJT( transistor uniunin). Elemento d e baja potencia utilizado para control de SCR y triac

Vp=VE>VD+(R1/R1+R2)VBB ( Cond. de disparo) (R1/R1+R2)=

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Condicin de oscilador de relajacin . Zona de resistencia negativa inestable

Oscilador de relajacin con UJT

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TEMA 9: GOBIERNO DE TIRISTORES

Nomenclatura del UJT 9 IE = Corriente de emisor. 9 IEO = Corriente inversa de emisor. 9 IP = Intensidad de pico de emisor. 9 IV = Intensidad de valle de emisor. 9 rBB = Resistencia interbase. 9 VB2B1 = Tensin interbase. 9 VP = Tensin de pico de emisor. 9 VD = Cada de tensin directa de la unin de emisor.Tambien llamada VF(EB1) VF. 9 VEB1 = Tensin de emisor en al base B1. 9 VEB1(sat.) = Tensin de saturacin de emisor. 9 VV = Tensin de valle de emisor. 9 VDB1 = Tensin de pico en la base B1.
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TEMA 9: GOBIERNO DE TIRISTORES

9 = Relacin intrnseca( dada por el fabricante .0.5-0.7.

R1 R1 + R2

9 rBB = Coeficiente de temperatura de la resistencia interbase. Ejemplo 9.5: Determinar en el cto de la figura : 1.- Valores mximo y mnimo de la resistencia R1 + R2, para una correcta oscilacin. 2.- Determinar el valor de los dems componentes. 3.- Simulacin del circuito mediante el programa PsPice.

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Datos: VBB = VCC = 20V; RB1 = 100 UJT: = 0.6; IP = 5A;

CA = 1F; 2V;

IV = 10mA; VV = TD = 0.01... 0.1s

R max

VBB VP IP

R min

VBB VV IV

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Estas expresiones determinan los lmites mximo y mnimo de la resistencia de carga de C. Esta expresin representa la condicin de oscilacin:

VBB VV VBB VP R IV IP
El valor de la tensin de disparo, se calcular mediante:

VP = VBB + VD
En nuestro ejemplo, VP = 12.5V. Sustituyendo los valores en las expresiones anteriores, obtenemos: Rmx = R1 + R2 = 1.5M ; Rmn = R1 = 1.8K Que son los valores de resistencia que aseguran la oscilacin.
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2.- Para los requerimientos de oscilacin: TD = 0.01 0.1s Si llamamos ttotal al periodo de carga y descarga de C, podemos descomponerlo en: ttotal = tON + tOFF tOFF = Tiempo o periodo de carga de C, durante el cual, el tiristor est bloqueado. tON = Tiempo o periodo de descarga de C. Normalmente, tOFF >> tON, por tanto podemos despreciar el valor de tON (comprobndolo posteriormente). Si partimos de la solucin de la ecuacin diferencial de carga de un condensador a partir de una tensin contnua:

VC (t) = VC (final) + [VC (inicial) VC (final)] e

VC(t) = Tensin instantnea en C. VC(final) = Tensin final en C.
23/02/04 VC (inicial) = Tensin inicial en C. 14

t R C

TEMA 9: GOBIERNO DE TIRISTORES

Resolviendo la ecuacin sustituyendo t por tOFF

anterior

t OFF

VBB VV = R C ln VBB VP

Para las especificaciones de nuestro ejemplo, determinamos los valores de Rmin y Rmx: TD = 0.01s TD = 0.1s Rmn = 11.4K Rmx = 113.6K

Valores que se encuentran dentro del rango calculado anteriormente. Sabiendo que: VBB >>> Vv; VP = VBB + VD VBB

La expresin anterior queda as:

t OFF
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1 = T = R C ln 1
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PP3
Vp

PP1

VP = VBB + VD
Oscilador relajacin con UJT T=RCln(1/1-)

PP2

PP1

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PUT. El Transistor Uniunin Programable es un dispositivo de disparo muy usado en ctos de disparo por puerta para los tiristores. Tiene tres terminales que se identifican como: ctodo (K), nodo (A) y puerta (G). Es un pequeo tiristor con puerta de nodo Presenta caractersticas de disparo parecidas a las del UJT, cuando es utilizado en los osciladores de relajacin, pero presenta la ventaja de poder ser programado para determinar el valor de , VP e IV. La operacin del PUT, depende de la tensin que tengamos aplicada entre el nodo y la puerta del dispositivo:

La tensin que hace que el dispositivo se dispare, VP, es ajustada alterando la relacin:

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RB RA + RB

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En la figura siguiente podremos apreciar el montaje del PUT como oscilador de relajacin.

RA, RB y el condensador C, ajustan el retraso de VP. Cuando VA > VGA, el diodo nodo puerta comienza a conducir y tiene una caracterstica similar a la del UJT como podremos observar en la figura:

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Para el PUT, VV, es el voltaje de encendido. La corriente correspondiente a la tensin de pico VP, es la necesaria para la activacin, e IV es la corriente de valle (igual a la corriente de mantenimiento para los tiristores). Estas corrientes son normalmente ms bajas para el PUT que para el UJT. Tanto IP como IV dependen del valor de las resistencias RA y RB, es decir, del valor de RG, siendo:

RA RB RG = RA + RB

Es importante que IP pueda reducirse usando valores grandes de RG. Esta caracterstica es muy til en ctos con tiempos de retardo largos. (No olvidemos que vimos en el caso del UJT que Rmx dependa de IP). Los lmites de RT (resistencia de carga del condensador) se determinan de la misma 23/02/04 20 forma que para el UJT.

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Ejemplo 9.8: Disear el oscilador de relajacin con PUT, representado en la figura. Datos: VBB = VCC = 10V; fosc. = 1.5KHz; CA = 10nF;

PUT: VD = 0.6V;

VV = 1V

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Para un periodo completo de oscilacin: TD = toff + ton C se carga exponencialmente desde la tensin de valle a la tensin de pico con una constante de tiempo dada por RA C:

t off
Sabemos que:

VBB VV = C R A ln VBB VP

VP = VD + VS = VD + VBB

VS = VG
Sustituyendo, resulta:

t off
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VBB VV = C R A ln VBB (1 ) VD
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TEMA 9: GOBIERNO DE TIRISTORES

Si se cumple: VBB >> VV VBB >> VD Entonces:

t off

1 R1 + R 2 = C R A ln C R A ln (1 ) R2

Si la frecuencia de oscilacin es alta, podemos considerar que ton <<< toff, TD toff. Considerando que R1 = R2 :

t off 0.7 C R A
Despejando el valor de RA y sustituyendo en la ecuacin:

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t off RA = = 100K 0.7 C

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TEMA 9: GOBIERNO DE TIRISTORES

Fijamos el valor de RG = 10K.

R1 R 2 RG = R1 + R 2
Tomando los valores R1 = R2 = 20K; VS = VBB = 5V Para determinar los limites de oscilacin de la resistencia nos basamos en la figura:

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De la figura anterior tenemos:

R Amx

VBB VP = IP

R Amn

VBB VV = IV

Para determinar las intensidades de pico y de valle son necesarias las grficas siguientes:

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De las figuras anteriores tenemos: IV = 100A IP = 5A; Sustituyendo en RA, tenemos: RAmn > 430K
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RAmx < 900K

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Bajo condiciones de operacin fijas, la variacin de Vv respecto a Iv es bastante pequea para asegurar el apagado. Por ello, RA deber ser: RA 3 RAmn Para mantener las especificaciones dadas, deberamos disminuir la capacidad de C. Otra alternativa es reducir el valor de la resistencia de puerta. Por tanto, si fijamos el valor de esta resistencia en RG = 1K, los valores de R1 y R2 toman el valor R1 = R2 = 2K. Tomando valores normalizados, R1 = R2 = 2.2K Recalculando los parmetros anteriores: IP = 15A; RAmn > 75K IV = 400A RAmx < 300K

Como podemos ver, el valor de RA se ajusta a las condiciones antes impuestas. 23/02/04 27

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DIAC( elemento de pequea potencia utilizado para disparar al triac) El Diode Alternative Current es un dispositivo formado por tres capas de silicio con la estructura (npn pnp) y dos terminales principales de conduccin. No tiene terminal de control.

La caracterstica V - I del dispositivo no es lineal, aunque es simtrica en ambos sentidos de circulacin, Es decir, se trata de un dispositivo bidireccional y simtrico.
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Disparo por DIAC La figura muestra un cto de disparo por diac.

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