Reguladores de Voltaje
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INDICE 4. CIRCUITOS REGULADORES DE VOLTAJE 4.1. Factores de estabilidad de la fuente de voltaje 4.2. Regulador de voltaje serie 4.2.1. Consideraciones para el diseo del regulador 4.2.2. Proteccin de corto circuito 4.2.3. Voltajes de referencia 4.2.3.1. Referencia a diodo Zener 4.2.3.2. Referencia de bajo voltaje 4.2.3.3 Referencia de Bandgap 4.2.3.4. Referencia de Bandgap mejorada. 4.3. Reguladores integrados lineales 4.3.1. Regulador de voltaje integrado 78XX 4.3.2. Regulador de voltaje integrado LM317 4.3.3. Ejemplos de diseo 4.4. Reguladores de conmutacin 4.4.1. Sistema Regulador de Conmutacin 4.4.1.1. Anlisis del funcionamiento 4.4.2. Regulador de bajada (Step Down) 4.4.2.1. Clculo de las componentes del filtro 4.4.2.2. Eficiencia del Regulador () 4.4.2.3. Potencia promedio mxima disipada por los dispositivos de conmutacin 4.4.3. Regulador elevador (Step Up) 4.4.3.1. Clculo de las componentes del filtro 4.4.4. Regulador inversor (Inverter) 4.4.5. Ejemplo de diseo 4.5 Ejercicios propuestos 4.6 Bibliografa
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3 4 5 6 8 9 9 9 10 12 14 14 16 16 21 22 23 24 26 26 27 28 29 31 31 32 36
La red de energa elctrica suministra un voltaje que en nuestro pas en normalmente de 110V 220V efectivos a 60 Hz, la mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan para su correcto funcionamiento de un voltaje continuo; se requiere por lo tanto de un circuito que realice esta conversin, que es la fuente de alimentacin. La seal proveniente de la lnea sufre variaciones de forma que es rectificada y filtrada para dar un voltaje continuo que presenta ondulaciones ( ripple), con esto la tensin continua obtenida no ser ni estable ni pura, por lo que recibe la denominacin de voltaje no regulado (VNR). El objetivo fundamental del uso del regulador de voltaje es obtener un voltaje prcticamente constante independiente de la corriente de carga, de las variaciones del voltaje de entrada (lnea) y de la temperatura.
Figura 4.2. Regulador de voltaje Serie con A.O. El voltaje de referencia (VREF) debe suministrar debe suministrar un voltaje constante independiente de las variaciones de la temperatura y del suministro de potencia. EL amplificador operacional constituye el amplificador de error, su ganancia de lazo abierto (Av ) debe ser alta para que la salida de voltaje (Vo) dependa nicamente de los resistores de muestra R1- RP -R2 y del voltaje de referencia (VREF). El transistor de control (Q1) esta en activa (VCE mn 3V), debe manejar la corriente de carga y producir la requerida baja resistencia de salida (un transistor en Darlington puede ser utilizado). Anlisis del funcionamiento Si el voltaje no regulado de entrada VNR el voltaje de salida Vo que la muestra de voltaje de salida VR2 por lo que la salida del amplificador de error VB como el transistor de control esta en conexin seguidor de emisor Vo De este anlisis se resume que el circuito debido a la realimentacin negativa mantiene el voltaje de salida constante y considerando el A.O. ideal se obtiene que: Vo = (VREF /R 2 ) R.
[4.2.1]
[4.2.2]
[4.2.3]
Factores de Estabilidad. En los clculos de los factores de estabilidad plantemos el circuito a la alterna, considerando como referencia de voltaje un diodo Zener, sustituimos el diodo por su resistencia dinmica rz. Clculo de Sv Para el clculo de Sv tomamos en cuenta la variacin del voltaje de entrada con la temperatura y la corriente de carga constantes , como el A.O. est realimentado negativo podemos plantear que los voltajes entre las entradas no inversora e inversora son equipotenciales considerando el A.O. ideal. Ven+ = Ven donde: R 2 = R 2 + R P y Vi r z/ ( r z + R 4 ) = Vo R 2 / (R 1 + R 2 ) R 1 = R 1 + ( R P R P )
Sv = Vo / Vi = ( 1 + R 1 / R 2 ) [ rz / ( r z + R4 )] Como observamos mientras menor rz y mayor R 4 menor es este factor y mejor es la estabilidad del regulador debido a variaciones del voltaje de entrada. Clculo de Ro Para el clculo de la resistencia de salida de la fuente Ro conectamos a la salida una fuente de voltaje para tomar en cuenta las variaciones en la corriente de carga, consideramos el voltaje de entrada igual a cero y la temperatura constante, sustituimos el transistor por el modelo hbrido, el diodo por su resistencia dinmica y el A.O. por su modelo de baja frecuencia como se muestra en la figura 4.3.
Figura 4.3 Circuito equivalente de bajas frecuencias del regulador de voltaje Ro = Ro ( R 1 + R 2 ) Ro debido a que la resistencia de entrada Rid del A.O. es muy alta Clculo de Ro Ro = V / I
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I = ( 1 + hfe ) Ib Vi = V R 2 / ( R 1 + R 2 ) V = hie Ib + Av Vi Sustituyendo [4.2.4 ] y [4.2.5 ] en [ 4.2.6 ] V = hie I / ( 1 + hfe ) Av V R 2 / ( R 1 + R 2 ) V [ 1 + Av R 2 / ( R 1 + R 2 ) = hie I / ( 1 + hfe ) Ro Ro = V/ I = hie ( 1 + R1 / R2 ) / (1 + hfe )Av
Como podemos observar de la expresin la resistencia de salida de esta fuente es muy baja porque depende inversamente del producto de la hfe del transistor y de la ganancia de lazo abierto del A.O.
Figura 4.4 Circuito de proteccin del transistor de control Para el diseo de la proteccin se establece que la corriente de corto circuito Icc que pasa por Rs debe ser tal que Icc < Ic1 adm de forma que por Q1 no pase una corriente mayor que la admisible.
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Rs = VB E on / Icc
siendo: IL mx = VBE off / Rs que es la mxima corriente de salida del regulador en condiciones de operacin normal. En el circuito de la figura 4.5 se muestra otra forma de proteccin de corto circuito de salida similar a la anterior que utiliza diodos en serie en lugar del transistor de conmutacin.
Figura 4.5. Circuito de proteccin del transistor de control que utiliza diodos
Figura 4.6 Referencia de bajo voltaje La expresin del voltaje de referencia VR queda: VR = [ R2VZ + VBE ( R1 2R2 )] / ( R1 + R2 ) Para que el coeficiente de temperatura sea cero se debe cumplir que: R2VZ /T = ( R1 2R2 ) VBE /T ( R1 2R2 ) / R2 = (VZ /T) / (VBE /T) para los valores de coeficientes de temperatura correspondientes un valor razonable para el diseo son: R1 = 9,5 K, R2 = 3 K, VR = 1,7V Se pueden conectar diodos adicionales a D1 y D2 para elevar o disminuir VR, note que aunque VR sea pequeo ( 2V ), el circuito requiere voltaje de suministro mayor que 7V para adecuada polarizacin del diodo Zener DZ.
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Figura 4.7 Referencia de Bandgap En el circuito Q1 y Q2 forman una fuente de corriente logartmica, esto fuerza a Q1 a operar a un nivel de corriente mayor que Q2 ( tpicamente, I1 es 10 veces mayor que I2 ). La diferencia en los VBEs entre Q1 y Q2 (VB E ) aparece a travs de R 3 , Q2 opera como un amplificador emisor comn con degeneracin de emisor y tiene una ganancia aproximada de R 2 / R 3. Entonces la cada de voltaje a travs de R 2 es (R 2 / R 3 ) VB E. Despreciando las corrientes de base y considerando transistores idnticos para el clculo de VR. VR = VB E 3 + ( R 2 / R 3 ) VB E = VB E 3 + (R2/ R3)VT ln ( I 1 / I 2 ) Si I 3 es igual a I 1 , entonces: VB E 3 = VB E 1 y VR = VB E 3 + ( R 2/ R 3 )VT ln ( R 2/ R 1 ) donde el primer termino tiene un T.C. negativo y el segundo termino un T.C. positivo. La dependencia de la temperatura con VB E aparece en la siguiente expresin: VB E Eg ( 1 T/To ) + VB E O ( T/To ) donde: Eg energa para el gap de silicio ( 1.1 eV ) T temperatura absoluta VB E O valor de VBE a T = To VT = KT / q
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Sustituyendo para VBE3 y obteniendo la derivada para hallar el punto para el coeficiente de temperatura cero: VR/T = Eg / To + VB E O / To + R 2 / R 3 (K/q ) ln ( I 1 / I 2 ) 0 resolviendo: Eg = VB E O + R 2 / R 3 (K To /q ) ln ( I 1 / I 2 ) = VR Entonces, el voltaje de referencia debe ser igual al bandgap de silicio, para tener un coeficiente de temperatura igual a cero. Para obtener un voltaje de referencia VR mayor se aaden diodos como se ve en la figura 4.8.
Figura 4.8 Referencia de Bandgap modificada a diodos. Si n diodos son adicionados, entonces para obtener un coeficiente de temperatura cero el valor del VR debe ser ( n + 1 )Eg, note que los diodos deben llevar la misma corriente que Q3 , esto se logra por el uso de un circuito espejo de corriente. En el anlisis se desprecian las corrientes de base, las cuales contribuyen al voltaje de salida como un termino sensible a la temperatura. El resultado final es un voltaje de referencia el cual tiene un coeficiente de temperatura tpico de 0.002 nV/C.
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Figura 4.9 Referencia de Bandgap mejorada El rea de Q1 es m veces mayor que la de Q2, el amplificador operacional fuerza a que las corrientes de colector sean iguales IC1 = IC2 = I , las corrientes de saturacin inversa de ambos transistores resultan desiguales debido a la diferencia entre las reas Is1 = Js1 (A m ) e Is2 = Js2 A las densidades de corriente Js1 = Js2 La diferencia en los voltajes base-emisor aparece a travs de R2. VBE = (K T /q ) ln (IC1 Is2 / IC2 Is1 ) IC1 Is2 / IC2 Is1 = 1 / m La corriente en Q2 es igual que en Q1, por lo que la corriente en R1 es el doble que en R2. La cada de voltaje en R1 es tambin dependiente de la temperatura de la siguiente forma: V R 1 = 2VB E R 1 / R 2 = 2( R 1 / R 2 )(K T /q ) ln ( 1 / m ) Entonces: VR = VB E 2 + 2( R 1 / R 2 )(K T /q ) ln ( 1 / m ) El primer trmino de la expresin tiene un T.C. negativo y el segundo positivo, para coeficiente de temperatura cero, los resistores deben ser seleccionados par dar VR = Eg + (m 1) KTo / q tpicamente m = 8, dando VR = 2,5V con coeficiente de temperatura tpico mejor que 0,002 nV/C. Note que las corrientes de base son suministradas por el amplificador de salida por lo que no contribuyen al error de salida.
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Figura 4.10 Esquema de conexin tpica del circuito integrado 78XX Este C.I. puede ser utilizado directamente como recomienda el fabricante en el manual de datos ( data-book ) formando parte de un circuito con componentes externos para ampliar las
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capacidades de voltaje y corriente del mismo, en este caso son afectadas las caractersticas de estabilidad del circuito dadas por el fabricante. En la figura 4.11 se muestra el circuito con la conexin externa para ajustar el voltaje de salida a un valor mayor.
Vo = VR E G ( R 1 + R 2 ) / R 1 Si se conecta la resistencia de carga RL en donde se encuentra conectada R 2 obtenemos una fuente de corriente IL = I 1 = VR E G / R 1 En el circuito de la figura 4.12 aparece la conexin para aumentar la corriente de salida (IL > 1A)
El transistor QX se polariza en activa para derivar la corriente en exceso VBE on = (ISAL + ICQX mn)R
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Siendo la corriente de salida : I L = ISAL + ICQX y el voltaje regulado de salida : Vo = VR E G Los dos circuitos anteriores se pueden combinar para obtener mayor voltaje y corriente de salida.
Figura 4.13 Esquema del circuito interno del regulador integrado LM317
Problema 1. El regulador de voltaje de la figura debe entregar un voltaje de salida de 12V 1,2V para una corriente de carga desde 0 hasta 1 A, el voltaje de entrada no regulado es de 20V 10%. a) Calcule los valores de R 1 , R 2 y R 4. b) La potencia mxima disipada por Q1 y diga si es necesario el uso de radiador. c) La mxima corriente que entrega el A.O. d) La variacin mxima del voltaje de salida debido a la variacin del Vi.
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ja = 10 C/W,
Tjadm = 150C,
Tambmx = 40C,
VBE = 0,7V
Solucin: a) Clculo de R 1 y R 2 De las expresiones [4.2.1], [4.2.2] y [4.2.3 ] que se expresan a continuacin.
Vo mx = VZ R / R 2 donde R = R 1 + R p + R 2 Vo mn = VZ R / ( R 2 + R p ) Vo mx / Vo mn = 1 + R p / R 2 = 13,2 / 10,8 = 1,222 R p / R 2 = 0,222 R 2 = 1,486K ( seleccionamos un valor comercial 1,5K )
Sustituyendo en [4.2.1] R = Vo mx R 2 / V Z = 3,3K R 1 = R ( R p + R 2 ) = 1,47K ( seleccionamos 1K en serie con 0,47K para el ajuste ) Sustituyendo en las expresiones [4.2.1] y [4.2.2] con los valores comerciales de las componentes obtenemos: Vo mx = 13,32V y Vo mn = 10,8V por lo que cumple con los requisitos del diseo. Comprobamos si I 1 mx << I L mx I 1 mx = Vo mx / R = 13,2 / 3,3K = 4 mA por lo que se cumple este criterio del diseo
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Clculo de R 4 R 4 debe ser lo mayor posible para mejorar el factor de estabilidad de entrada, por lo que para su diseo se utiliza el criterio de que I Z > I Z mn. ( VNRmn V Z ) / R 4 1mA R 4 < ( VNRmn V Z ) / 1mA = 12K (tomamos R 4 un valor comercial prximo por debajo de este valor que puede ser 10K)
b)
PC mx Q1 = ( VNRmx Vo mn ) IL mx = 11,2V ( 1A ) = 11,2 W Clculo de la temperatura de unin mxima de Q 1 Tj mx = Tambmx + ja PC mx = 40 + 10 ( 11,2 ) = 152 C Tj mx > Tj adm Como vemos la temperatura de la unin es mayor que la temperatura admisible por el transistor dado por el fabricante, debemos saber que Tj mx 100 C por razones de confiabilidad, debido a que la razn de fallo de los transistores aumenta exponencialmente con la temperatura a que est sometida la unin.
c)
Clculo dela corriente de salida mxima del A.O. I AO mx = I B mx I R 3 mn 9,8 mA I B mx I L mx / hF E 1 / 80 = 12,5 mA I R 3 mn = ( VNRmn Vo mx ) / R 3 = (18 13,2) / 1,8K = 2,66 mA
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Problema 2. Se necesita hacer un regulador utilizando el CI LM317 como el de la figura para que permita obtener voltajes de salida de 18, 22 y 5 V de forma conmutada gobernado digitalmente por software. Disee el circuito necesario. DATOS: VNR = 30V, R 1 = 240, Considere VCE sat 0 I ADJ = 50 A, VREF = 1,2V, I L mx = 0,5 A,
Cuando las entradas de control estn en 0 los transistores Q 1 y Q 2 estn en off por lo que R 2 garantiza el voltaje de salida mximo VO UT mx = 22V VO UT = 1,2 ( 1 + R 2 / R 1 ) + IAD J R 2 = 22V R 2 = ( VO UT VR EF ) / (VR EF / R 1 + IAD J ) = 20,8 / ( 5mA + 0,05mA ) = 4,118K ( Selecciono un resistor de 3,9K en serie con un potencimetro de 0,42K )
Para el VO UT = 18V se aplica un 1 a la entrada de Q 1 de forma que se sature el transistor y como consideramos VCE sat 0, aparece una R 2 eq = R 2 R 2. R 2 eq = ( 18 1,2 ) / 5,05mA = 3,326K R 2 = 17,28K ( Una resistencia de 16K en serie con un potencimetro de 1,5K ) Para VO UT = 5V aplicamos 1 en el transistor Q 2 y procedemos de idntica forma que en el clculo anterior de forma que se obtiene R2 = 0, 9186K por lo que seleccionamos una resistencia de 0,82K y un potencimetro de 0,2K.
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Problema 3. Disee el regulador de la figura con posibilidad de ajustar su salida de 10V a 15V utilizando el CI LM7808, como resultado del diseo obtenga los valores de R1, R2 , RLmn y diga el VNRmn que se puede aplicar para un buen funcionamiento del regulador. DATOS: RP = 1K, IL mx =1 A, IQ mx = 8 mA. 1) 2) Vo mx = VR E G R / R 1 donde R = R 1 + R p + R 2 Vo mn = VR E G ( R 1 + R 2 ) / R 1
Vo mx / Vo mn = 1 + R P / ( R 1 + R 2 ) = 15 / 10 = 1,5 R P /( R 1 + R 2 ) = 0,5 R 1 + R 2 = 2K
Sustituyendo en 2) R 1 = VR E G /Vo mn ( R 1 + R 2 ) = 8 / 10 ( 2K ) = 1,6K Sustituyendo en 1) R = Vo mx R 1/ VR E G = 15 / 8 ( 1,6K ) = 3K Comprobando si I 1 mx << I L mx I 1 mx = VR E G / R 1 = 8 / 1,6K = 5mA << 1A Clculo de R L mn R L mn = Vo mn / I L mx = 10V / 1A = 10
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4.4.
Reguladores de conmutacin
En la figura 4.14 a se muestra el diagrama en bloques de una fuente de voltaje con regulador de voltaje lineal. Los reguladores lineales son de baja eficiencia 55%, en el mismo el transistor de control Q1 (potencia) trabaja en regin activa por lo que su disipacin de potencia es alta y esto se agrava con corriente de carga grande, este problema se resuelve con el uso del regulador de conmutacin. En la figura 4.14 b se muestra el diagrama en bloques de una fuente conmutada del tipo flyback en la misma el voltaje de lnea se rectifica y filtra directamente por lo que se obtiene un voltaje continuo no regulado de alto ripple, esta seal es conmutada a una frecuencia de decenas de KHz y se aplica a un transformador mas pequeo debido a la mas alta frecuencia para adaptar su nivel, adems de aislar la resistencia de carga RL. El voltaje de salida es rectificado y filtrado y del mismo se toma una muestra de forma similar a la fuente lineal que se compara con un voltaje de referencia VREF resultando un voltaje error que acta sobre el circuito de control para ajustar el tiempo de conduccin y corte del transistor Q1 de forma que se ajusta el voltaje de salida regulado, en este circuito el transistor de control trabaja en rgimen de conmutacin. El bloque con acoplamiento ptico (ISO) se utiliza para mantener el aislamiento entrada-salida, tambin puede ser utilizado un circuito con acoplamiento a transformador. Como el transistor Q1 trabaja entre corte y saturacin esto aumenta la eficiencia porque el transistor conmutado disipa poca potencia. En corte la corriente es prcticamente nula y en saturacin el voltaje colector- emisor es relativamente pequeo.
Figura 4.14 a ) Diagrama en bloques de una fuente lineal b) Diagrama en bloques de una fuente conmutada del tipo flyback Existen otras diferencias fundamentales entre los reguladores lineales y conmutados. En los que sigue vamos a sealar las ventajas del uso de las fuentes conmutadas. Alta eficiencia ( 60 90 % ). Se reduce el volumen y el peso porque se utiliza una frecuencia de conmutacin elevada ( 20 KHz 2 MHz ) lo que permite reducir de forma significativa el tamao de los componentes inductivos y capacitivos. Se pueden obtener voltajes de salida menores, mayores y de polaridad opuesta del voltaje de entrada. Como desventajas podemos sealar que: Su diseo es ms complejo que el de los reguladores serie.
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Presentan un rizado ( ripple ) y ruido ms elevado debido a que trabajan en rgimen de conmutacin. Generan interferencias electromagnticas que se requiere aislar. Se necesita del uso de un mayor nmero de componentes externas lo que repercute generalmente en una menor fiabilidad.
En la tabla I se representan el rango de valores tpicos de los parmetros ms representativos de los dos tipos de fuente de alimentacin mencionadas.
Tabla I Las fuentes lineales son estructuras simples y fiables muy adecuadas para las aplicaciones de baja potencia (< 50W ), donde ofrecen menos ruido y rizado a la salida con un precio por debajo de la opcin conmutada equivalente. Son muy adecuadas para las aplicaciones de instrumentacin, que manejan seales dbiles y para las que normalmente es suficiente una potencia reducida, con lo que la disipacin trmica no plantea mayores problemas. Las fuentes conmutadas pueden entregar potencias de hasta 2000W con eficiencia razonablemente alta, pudindose decir que la peor fuente conmutada tiene mejor eficiencia que la mejor lineal. Existen dos tipos fundamentales de fuentes conmutadas: 1. Ancho de pulso constante y frecuencia variable. 2. Ancho de pulso variable y frecuencia constante conocida como de modulacin de ancho de pulso. La mayor parte de las fuentes de alimentacin actualmente disponibles, estn realizadas bajo el concepto de modulacin de ancho de pulso, en tres variantes de circuito de bajada (Step Down), elevadora (Step Up) e inversora (Inverter), estas tres clasificaciones se deben como veremos posteriormente a la disposicin relativa de los elementos de conmutacin y el filtro.
el diodo Schottky es un diodo de conmutacin, el circuito PWM es un modulador de ancho de pulsos. En el sistema se toma una muestra del voltaje de salida a travs de R1 R2 y se aplica por el terminal inversor del A.O que acta como detector de error porque por la otra entrada se encuentra aplicado un voltaje de referencia, la salida del detector de error es aplicada en una entrada del PWM y por la otra entrada se aplica la seal proveniente de un generador de barrido que tiene una frecuencia fija y de un valor que puede estar entre las decenas de KHz hasta los MHz. La salida del PWM acta sobre el conmutador determinando el corte y saturacin del mismo.
Figura 4.15 Sistema de regulador conmutado tpico del tipo ciclo til variable
Figura 4.16 Formas de onda de los voltajes en las entradas del comparador
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como la frecuencia de conmutacin es alta se considera para el anlisis que: Vi constante en el intervalo Vo Vi ton / T Vo Vi Como habamos considerado que el voltaje de entrada aumentaba y hemos llegado a la conclusin que el ciclo til disminuye Vo = constante En realidad el valor del voltaje de salida se ajusta automticamente debido a la realimentacin negativa Vo = ( 1 + R2/R1 ) VREF Cuando Q1 est en corte (off ), se induce una FEM debido a que el inductor no permite cambios bruscos de corriente a travs de el, por lo que polariza el diodo en directa VA = VD la corriente en L disminuye y cuando baja por debajo de Io que es el valor promedio a travs de ella, el capacitor se descarga para mantener la corriente Io de salida, al disminuir Vo, Q1 se conmuta a on.
Figura 4.17 Esquema bsico de el regulador Step Down Anlisis del circuito Primero vamos a analizar porque el voltaje de salida es menor que el de entrada Q1on Doff Vo = Vi ( VCE sat + L diL/dt ) Como iL L diL/dt > 0 Vo < Vi Ahora vamos a plantear las formas de onda de los voltajes y las corrientes en el circuito que se utilizan para el diseo del filtro LC. Como la frecuencia de conmutacin es alta se considera que el voltaje en el inductor en los tiempos de on y off se mantienen constante. Q1on VL1 = Vi ( VCE sat + Vo ) [4.4.1] Q1off VL2 = ( Vo + VD ) [4.4.2]
Como se considera el voltaje en el inductor constante en el intervalo la corriente en el inductor vara linealmente con el tiempo.
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De [4.4.3] ton / toff = VL2/ VL1 [4.4.6] Se puede obtener una expresin de en funcin de los voltajes en el inductor invirtiendo la expresin [4.4.6] y sumando 1 en ambos miembros. = VL2/ (VL2 + VL1 ) expresin que se utiliza para el diseo del filtro ton = T siendo T = 1/ f En la figura 4.18 a) y b) se muestran el voltaje y la corriente en el inductor durante los tiempos de on y off y en las figuras c) y d) la corriente y voltaje en el capacitor en todos los casos sealando los valores notables.
Figura 4.18 Grficos de voltaje y corriente en el regulador Step Down La corriente promedio por el inductor es la corriente de directa en la carga Io, por lo que la variacin de la corriente por el inductor IL = I P IM que corresponde con la corriente alterna es la que pasa por el capacitor, en el mismo la corriente promedio es igual a cero. Cuando la corriente por el inductor est por encima de Io, el capacitor se est cargando ( QG ), cuando la corriente por el inductor se va por debajo el capacitor se est descargando ( QP ), la carga ganada por el capacitor va a ser igual a la carga perdida. Cuando el capacitor se carga el voltaje
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de salida est aumentando y cuando se descarga est disminuyendo por lo que aparece una variacin del voltaje Vo que constituye el ripple de la onda de salida.
Figura 4.19 Grfico de la corriente en el transistor vs tiempo en el regulador Step Down ICQ = Io ton / T Io = ( IP + IM ) / 2 y = ton / T ICQ = Io = Vo / Vi 100 [%]
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Anlisis del circuito Primero vamos a analizar porque el voltaje de salida es mayor que el de entrada. Q1on Doff la corriente por el inductor va en aumento hasta que en t = ton es mxima iL = I P Q1off Don Vo Vi LdiL/dt despreciando la cada en el diodo Como iL diL/dt < 0 Vo > Vi Ahora vamos a plantear las formas de onda de los voltajes y las corrientes en el circuito que se utilizan para el diseo del filtro LC. Haciendo las mismas consideraciones que en el caso anterior nos queda que: Q1on VL1 = Vi VCE sat Q1off VL2 = Vi ( Vo + VD ) De identica forma se obtiene que: = VL2/ (VL2 + VL1 ) En la figura 4.22 podemos ver las formas de onda de corriente en el transistor ( iCQ ), voltaje en el inductor ( VL ), corriente en el inductor ( iL ), corriente en el diodo ( iD ) y voltaje en el capacitor ( VC ). Podemos observar que en este caso la corriente promedio del diodo es la corriente de salida de forma que: ID = [( IP + IM ) / 2]toff / T ID = Io = [( IP + IM ) / 2] ( 1 )
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Para este caso la expresin de C se calcula a partir de la grfica de la corriente en el diodo, donde van a existir dos casos posibles que la corriente Io sea mayor que la IM y que Io sea menor.
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Figura 4.23 Forma de onda de la corriente por el diodo para el caso de Io > IM Como: C = Q / Vo = Q /Vr Del grfico se obtiene que: Q = (I P I M ) t1 / 2 Por semejanza de triangulos: (I P I o )/ t1 = (I P I M ) toff t1 = [(I P I o )/ (I P I M )] toff Sustituyendo en C C = (I P I o )2 toff / 2ILVr para Io > IM Para el caso Io < IM que se plantea en el grfico de la figura 4.24, el capacitor se est cargando durante el tiempo toff .
Figura 4.24 Forma de onda de la corriente por el diodo para el caso de Io < IM
Del grfico se obtiene que: Q = (I P I M ) toff + ( I M Io ) toff Q = (I P + I M ) toff Io toff como: Io = [( IP + IM ) / 2] toff / T (I P + I M ) toff = Io T Q = Io ( T toff ) = Io ton C = Q / Vo = Io ton / Vr para Io < IM
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Figura 4.25 Esquema bsico de el regulador Inverter Anlisis del circuito Primero vamos a analizar porque el voltaje de salida es negativo. Q1on Doff la corriente por el inductor va en aumento hasta que en t = ton es mxima iL = I P Q1off Don Vo LdiL/dt despreciando la cada en el diodo Como iL diL/dt < 0 Vo < 0 Las formas de onda en este circuito son idnticas al caso Step Up lo que cambia son los sentidos de las corrientes iD e Io y del voltaje de salida Vo por lo que se pueden representar por las mismas grficas tomando en cuenta el sentido real de las mismas, por lo que para este caso las componentes del filtro se disean de forma idntica, solamente hay que tomar en consideracin como quedan los voltajes en el inductor en los intervalos de on y off aplicando LKV para este caso. Q1on VL1 = Vi VCE sat Q1off VL2 = (Vo + VD)
R 1 = VREF / I 1 = 10 K y R 2 = 40 K , R L mn = Vo / Io mx = 5V / 350 mA = 14,2 Diseo del filtro Clculo de L L = VL1 ton / IL = VL2 toff / IL VL1 = VNR ( VCE sat + Vo ) = 9 V VL2 = ( Vo + VD ) = 6 V Entonces: = VL2 / ( VL1 + VL2 ) = 6 / 15 = 0,4 ton = T = 8 seg. T = 1/ f = 1/ 50 KHz = 20 seg. y IL = 0,4 Io = 140 mA L = 9 8 / 140 mA = 0,5 mH Clculo de C En este caso la expresin para el diseo de C es: C IL / 8 f Vr = 140 mA / 8 ( 5010 3 )( 1010 3 ) = 35 F En la prctica se toma C en exceso al valor calculado En el manual del fabricante se dan las expresiones para el diseo del inductor y el capacitor las cuales salen del anlisis anterior donde se consider VCE sat = VD = 0 Problema 1. El regulador integrado A723 presenta la estructura interna del circuito bsico del regulador con A.O. , en el mismo los resistores R 1 , R P , R 2 , R 3, R S y el transistor QX son externos a la pastilla. Calcule los valores de los resistores externos para los datos que se dan en la tabla II para cada una de las conexiones que se muestran en las figuras a) y b), la potencia mxima disipada por QX ( PCmx ) y la eficiencia mnima del regulador. DATOS: VB E (of f ) S C = 0,5V, VB E (on)S C = 0,6V, VR E F = 7V, RP = 0,5K Tabla II a) b)
4.5
Ejercicios propuestos
3V 6V 0 0,5 0,6
32
10V 15V 0 1
Problema 2. El circuito de la figura aparece en el manual de NSC, constituye un regulador ajustable de 1,2V a 12V de alta corriente hasta 5 A, utilizando el CI LM317, en el mismo se requiere que para corriente de carga de 30mA los transistores Q 1 y Q 2 estn en corte y cuando la corriente en la carga sea mxima la corriente que entregue el regulador Io sea 100mA. a) Diga las funciones que realizan los capacitores, el diodo y el potencimetro R 5. b) Analice el funcionamiento del circuito. c) Disee el circuito regulador para las condiciones dadas. DATOS LM317: IAD J = 50 A, VR E F = 1,2V, 3V ( VIN Vo ) 40V, Io mx = 0,5 A, R 4 = 240, I R 3 = 1,3mA. 2N3055: PC mx = 60W, I C mx = 15 A, VCE mx = 60V, h F E = 30, VB E = 0,65V 2N2905: I C mx = 1A, VC E mx = 60V, h F E = 50, VB E = 0,7V
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Tabla III
Problema 4 En el circuito regulador de conmutacin de bajada ( Step down ) calcule: a) El ciclo til del pulso. b) Los valores de las componentes del filtro LC si la ondulacin pico-pico de salida mxima es de 100 mV a frecuencia de 10 Khz. c) La eficiencia mxima. d) La disipacin de potencia promedio en los dispositivos de conmutacin. e) Voltaje mximo aplicado a los dispositivos de conmutacin. DATOS: VNR = 30 V, Vo = 12 V, R L mn = 6 , , VC E sat = V D = 1V, I L = 0,4 Io, Problema 5 Disee un circuito regulador de conmutacin de bajada ( Step down ) utilizando el CI LM1578 para que cumpla los siguientes requisitos: Vo = 5V, Io mx = 350 mA y Vr 10mV. DATOS: VNR = 15V, VCE sat = V D = 1V, fo = 50 KHz I CC = 730 mA ( Corriente permisible mxima a travs de Q 1 ) Este circuito opera con: voltajes de suministro Vi de hasta 40V y con Io adm = 750mA (se puede aumentar hasta 1,5A con transistor de potencia externo ). C 3 = 10 pF 30 pF para operacin continua de la corriente por el inductor. C 1 = 1820 pF para fo = 50 KHz del grfico dado por el fabricante de C 1 vs fo. La proteccin de corto circuito de salida es activada si el terminal CL ( 7 ) es puesto a 110 mV respecto al terminal VI N (8) tierra ( 4 ).
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Problema 6. En el CI LM1578 conectado como regulador de conmutacin elevador ( Step up ) obtenga: Vo, Io mx , y el valor de C para Vr 35 mV. DATOS: L = 330 H, VR E F =1V, R L mn = 80 , considere VD = VC E sat = 1V, f = 50KHz C 1 = 1820 pF para fo = 50 KHz del grfico dado por el fabricante de C 1 vs fo. La proteccin de corto circuito de salida es activada si el terminal CL ( 7 ) es puesto a 110 mV respecto al terminal VI N (8) tierra ( 4 ). El fabricante indica conectar C 3 , C 4 y R 4 para operacin continua de la corriente por el inductor.
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Problema 7. Disee un regulador de conmutacin inversor ( Inverter ) utilizando el CI LM1578 para que se cumplan los siguientes requisitos: Vo = 15 V y Vr 5 mV. Como resultado del diseo obtenga los valores de R , R 1 , R 2 , C 1 , L y C. Nota: Observe la conexin externa de R 1 R 2 y el amplificador no inversor de ganancia 2 que hay que realizar para que se pueda establecer un voltaje de salida negativo. DATOS: VNR = 5 V, R L mn = 150 , , VC E sat = V D = 0, I L = 2 Io, fo = 50 KHz. I CC = 730 mA ( Corriente permisible mxima a travs de Q 1 ) La proteccin de corto circuito de salida es activada si el terminal CL (7) es puesto a 110 mV respecto al terminal VI N (8) tierra ( 4 ).
4.6.
Bibliografa
Microelectronics. Millman and Grabel Integrated Electronics Millman and Halkias Bipolar and MOS Integrated Circuits Designs. Grebene Amp. Operacionales y C.I. Lineales. R.F. Coughlin and F. Driscoll. Linear Data Book. National Semiconductor Corporation. Integrated Circuits Tomo IV B.Tungsram Electronics Circuits . Ch. A. Holt C.I. fuentes conmutadas. Mundo Electrnico Junio-Julio / 95, No 258. Fuentes de alimentacin conmutadas. Criterios de seleccin. Mundo Electrnico No. 196. Junio/89. Circuitos Integrados Lineales.Notas de clase del Postgrado de Microelectrnica. Holmes .
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