Memoria de solo lectura

Celda de ROM. La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite solo la lectura de la informacin y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energa. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa que est estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnsticos. En su sentido ms estricto, se refiere solo a mscara ROM -en ingls, MROM- (el ms antiguo tipo de estado slido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente, y por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM ms modernas, como EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias veces, an siendo descritos como "memoria de solo lectura" (ROM). La razn de que se las contine llamando as es que el proceso de reprogramacin en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son ms flexibles y econmicos, por lo cual las antiguas mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007.

La primera EPROM, Intel 1702.

PROM D23128C en la plaqueta de una Sinclair ZX Spectrum. El tipo ms simple de ROM en estado slido es de la mismA antigedad que la propia tecnologa semiconductora. Las puertas lgicas combinacionales pueden usarse en conjunto para indexar una direccin de memoria de n bits en valores de m bits de tamao (una tabla de consultas). Con la invencin de los circuitos integrados se desarroll la mscara ROM. La mscara ROM consista en una cuadrcula de lneas formadas por una palabra y lneas formadas por un bit seleccionadas respectivamente a partir de cambios en el transistor. De esta manera podan representar una tabla de consultas arbitraria y un lapso de propagacin deductible. En las mscaras ROM los datos estn fsicamente codificados en el mismo circuito, as que solo se pueden programar durante la fabricacin. Esto acarrea serias desventajas: 1. Solo es econmico comprarlas en grandes cantidades, ya que el usuario contrata fundiciones para producirlas segn sus necesidades. 2. El tiempo transcurrido entre completar el diseo de la mscara y recibir el resultado final es muy largo. 3. No son prcticas para I+D por el hecho de que los desarrolladores necesitan cambiar el contenido de la memoria mientras refinan un diseo. 4. Si un producto tiene un error en la mscara, la nica manera de arreglarlo es reemplazando fsicamente la ROM por otra. Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias, as pues se cre la memoria de solo lectura programable (PROM). Inventada en 1956, permita a los usuarios modificarla solo una vez, alterando fsicamente su estructura con la aplicacin de pulsos de alto voltaje. Esto elimin los problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que una compaa poda pedir un gran lote de PROMs vacas y programarlas con el contenido necesario elegido por los diseadores. En 1971 se desarroll la memoria de solo lectura programable y borrable (EPROM) que permita reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el punto 3 de la anterior lista. Ms tarde, en 1983, se invent la EEPROM, resolviendo el conflicto nmero 4 de la lista ya que se poda reprogramar el contenido mientras proveyese un mecanismo para recibir contenido externo (por ejemplo, a travs de un cable serial). En medio de la dcada de 1980 Toshiba invent la memoria flash, una forma de EEPROM que permita eliminar y reprogramar contenido en una misma operacin mediante pulsos elctricos miles de veces sin sufrir ningn dao. Todas estas tecnologas mejoraron la versatilidad y flexibilidad de la ROM, pero lo hicieron a expensas de un alto incremento del costo por chip. Por eso las mscaras ROM se mantuvieron como la solucin econmica durante bastante tiempo. Esto fue as aproximadamente hasta el ao 2000, cuando el precio de las memorias reprogramables

hubo descendido lo suficiente como para comenzar a desplazar a las ROM no reprogramables del mercado. El producto ms reciente es la memoria NAND, otra vez desarrollada por Toshiba. Los diseadores rompieron explcitamente con las prcticas del pasado, afirmando que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros", ms que tener el tradicional uso de la ROM como una forma de almacenamiento primario no voltil. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los shocks fsicos, una miniaturizacin extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoria MicroSD), y un consumo de potencia mucho ms bajo.

Uso para almacenamiento de software

Memoria de solo lectura conteniendo el BIOS de una vieja placa madre. Los ordenadores domsticos a comienzos de los aos 1980 venan con todo su sistema operativo en ROM. No haba otra alternativa razonable ya que las unidades de disco eran generalmente opcionales. La actualizacin a una nueva versin significa usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. Actualmente los sistemas operativos en general ya no van en ROM. Todava los ordenadores pueden dejar algunos de sus programas en memoria ROM, pero incluso en este caso, es ms frecuente que vaya en memoria flash. Los telfonos mviles y los asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en memoria ROM (o por lo menos en memoria flash). Algunas de las videoconsolas que usan programas basados en la memoria ROM son la Super Nintendo, la Nintendo 64, la Sega Mega Drive o la Game Boy. Estas memorias ROM, pegadas a cajas de plstico aptas para ser utilizadas e introducidas repetidas veces, son conocidas como cartuchos. Por extensin la palabra ROM puede referirse tambin a un archivo de datos que contenga una imagen del programa que se distribuye normalmente en memoria ROM, como una copia de un cartucho de videojuego.

Uso para almacenamiento de datos

Como la ROM no puede ser modificada (al menos en la antigua versin de mscara), solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten ser modificados durante la vida de este dispositivo. Con este fin, la ROM se ha utilizado en muchos ordenadores para guardar tablas de consulta, utilizadas para la evaluacin de funciones matemticas y lgicas. Esto era especialmente eficiente cuando la unidad central de procesamiento era lenta y la ROM era barata en comparacin con la RAM. De hecho, una razn de que todava se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad, ya que los

discos siguen siendo ms lentos. Y lo que es an ms importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en una memoria ROM. No obstante, el uso de la ROM para almacenar grandes cantidades de datos ha ido desapareciendo casi completamente en los ordenadores de propsito general, mientras que la memoria Flash ha ido ocupando este puesto.

Velocidad
Velocidad de lectura
Aunque la relacin relativa entre las velocidades de las memorias RAM y ROM ha ido variando con el tiempo, desde el ao 2007 la RAM es ms rpida para la lectura que la mayora de las ROM, razn por la cual el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM, desde donde es leda cuando se utiliza.

Velocidad de escritura
Para los tipos de ROM que puedan ser modificados elctricamente, la velocidad de escritura siempre es mucho ms lenta que la velocidad de lectura, pudiendo requerir voltaje excepcionalmente alto, movimiento de jumpers para habilitar el modo de escritura, y comandos especiales de desbloqueo. Las memorias Flash NAND logran la ms alta velocidad de escritura entre todos los tipos de memoria ROM reprogramable, escribiendo grandes bloques de celdas de memoria simultneamente, y llegando a 15 MB/s.

Memoria PROM

PROM D23128C en la placa base de una Sinclair ZX Spectrum. PROM es el acrnimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

Pequeas PROM han venido utilizndose como generadores de funciones, normalmente en conjuncin con un multiplexor. A veces se preferan a las ROM porque son bipolares, habitulamente Schottky, consiguiendo mayores velocidades.

Programacin
Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de las fbricas; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El trmino Read-only (solo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).

Historia
La memoria PROM fue inventada en 1956 por Wen Tsing Chow, trabajando para la Divisin Arma, de la American Bosch Arma Corporation en Garden City, Nueva York. La invencin fue concebida a peticin de la Fuerza Area de los Estados Unidos, para conseguir una forma ms segura y flexible para almacenar las constantes de los objetivos en la computadora digital del MBI Atlas E/F. La patente y la tecnologa asociadas fueron mantenidas bajo secreto por varios aos mientras el Atlas E/F era el principal misil de Estados Unidos. El trmino "quemar", refirindose al proceso de grabar una PROM, se encuentra tambin en la patente original, porque como parte de la implementacin original deba quemarse literalmente los diodos internos con un exceso de corriente para producir la discontinuidad del circuito. Las primeras mquinas de programacin de PROMs tambin fueron desarrolladas por ingenieros de la Divisin Arma bajo la direccin del Sr. Chow y fueron ubicados el laboratorio Arma de Garden City, y en la jefatura del Comando estratgico areo de las Fuerzas Areas.

EPROM y EEPROM
Wen Tsing Chow y otros ingenieros de la Divisin Arma continuaron con este suceso diseando la primera Memoria de Solo Lectura No destruible' (Non-Destructive Read-Only Memory, NDRO) para aplicarlo a misiles guiados, fundamentado en una base de doble abertura magntica. Estas memorias, diseadas originalmente para mantener constantes de objetivos, fueron utilizadas para sistemas de armas de MBIs y MMRBMs. La principal motivacin para este invento fue que la Fuerza Area Estadounidense necesitaba reducir los costes de la fabricacin de plaquetas de objetivos basadas en PROMs que necesitaban cambios constantes a medida que llegaba nueva informacin sobre objetivos del bloque de naciones comunistas. Como estas memorias son borrables,

programables y re-programables, constituyen la primera implementacin de una produccin de memorias EPROM y EEPROM, de fabricacin anterior al 1963. Debe observarse que los trminos modernos de estos dispositivos, PROM, EPROM y EEPROM, no fueron creados hasta un tiempo despus de que las aplicaciones de misiles nucleares guiados hayan estado operacionales. Las implementaciones originales de Arma se refieren a las PROMs como "matriz de almacenamiento de constantes"; y a las EPROMs y EEPROMs simplemente eran denominadas "memorias NDRO". Las modernas implementaciones comerciales de las PROM, EPROM y EEPROM basadas en circuitos integrados, borrado por luz ultravioleta, y varias propiedades de los transistores, aparecen unos 10 aos despus. Hasta que esas nuevas implementaciones fueron desarrolladas, fuera de aplicaciones militares, era ms barato fabricar memorias ROM que utilizar una de las nuevas caras tecnologas desarrolladas y fabricados por los contratistas de misiles de las fuerzas areas. De todas formas, en misiles, naves espaciales, satlites y otras aplicaciones de mucha confiabilidad, siguen en uso muchos de los mtodos de la implementacin original de los '50.

Memoria EPROM

EPROM. La pequea ventana de cuarzo recibe luz UV durante el borrado.

Ventana de EPROM.

Una EPROM de 32KB (256Kbit).

Este microcontrolador 8749 almacena su programa en una EPROM interna.

Una EPROM de 4KB (32Kbit) 1984.

Vista detallada del interior de una memoria. EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no voltil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (OneTime Programmable, programables una sola vez). La nica diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROMs normales como a las EPROMs incluidas en algunos microcontroladores. Estas ltimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricacin de pequeas cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilizacin). Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede leer un nmero ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Las antiguas BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contena el nombre del productor de la BIOS, su revisin y una advertencia de copyright. Las EPROM pueden venir en diferentes tamaos y capacidades. As, para la familia 2700 se pueden encontrar: Tipo de EPROM 1702, 1702A 2704 Tamao bits 2 Kbits 4 Kbits Tamao Bytes 256 512 Longitud (hex) 100 200 ltima direccin (hex) 000FF 001FF

2708 2716, 27C16 2732, 27C32 2764, 27C64 27128, 27C128 27256, 27C256 27512, 27C512 27C010, 27C100 27C020 27C040 27C080

8 Kbits 16 Kbits 32 Kbits 64 Kbits 128 Kbits 256 Kbits 512 Kbits 1 Mbits 2 Mbits 4 Mbits 8 Mbits

1 KBytes 2 KBytes 4 KBytes 8 KBytes 16 KBytes 32 KBytes 64 KBytes 128 KBytes 256 KBytes 512 KBytes 1 MBytes

400 800 1000 2000 4000 8000 10000 20000 40000 80000 100000

003FF 007FF 00FFF 01FFF 03FFF 07FFF 0FFFF 1FFFF 3FFFF 7FFFF FFFFF

NOTA: 1702 EPROMs son PMOS, las EPROMs de las serie 27x que contienen una C en el nombre estn basadas en CMOS, el resto son NMOS

Pines de la EPROM 2764

VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND +--------------+ |1 +--+ 28| |2 27| |3 26| |4 25| |5 24| |6 23| |7 2764 22| |8 21| |9 20| |10 19| |11 18| |12 17| |13 16| |14 15| +--------------+ VCC /PGM NC A8 A9 A11 /OE A10 /CE D7 D6 D5 D4 D3

EEPROM
EEPROM o EPROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory (ROM programable y borrable elctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no voltiles. Las celdas de memoria de una EEPROM estn constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1 lgico.

Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces. Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunin de Aparatos Electrnicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invencin y en 1988 lanz el primer chip comercial de tipo NOR.

Memoria flash
La memoria flash es una tecnologa de almacenamiento derivada de la memoria EEPROM que permite la lecto-escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos pendrive.

Generalidades
Econmicamente hablando, el precio en el mercado cumple la ley de moore. En el ao 2011, el coste por MB en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, adems los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash. Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y por completo silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado. Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado. Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s 1s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en ORNAND.

Los sistemas de archivos para estas memorias estn en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar adems NAND o YAFFS, ya en su segunda versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraible. Otra caracterstica ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C hasta los 85 C. Las aplicaciones ms habituales son:

El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM, grabacin de voz y, sobre todo como reproductores porttiles de MP3 y otros formatos de audio. Las PC Card Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografa digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.

Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayora de las multinacionales dedicadas a la produccin de hardware.

Funcionalidades
Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate AvalancheInjection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la informacin.

Memoria flash de tipo NOR

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.

Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido.

Memorias flash de tipo NAND

Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.

Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND.

La velocidad de borrado para NOR es de 1 ms por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.

Tarjetero flash
Un tarjetero flash es un perifrico que lee o escribe en memoria flash. Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante puerto USB), marcos digitales, lectores de DVD y otros dispositivos, suelen leer varios tipos de tarjetas.

Sistemas de archivos para memorias flash

Disear un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos (NOR y NAND) son tipos de memoria flash, tienen caractersticas muy diferentes entre s a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR. Un ejemplo podra ser un recolector de basura. Esta herramienta est condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de NOR es muy lento y, adems, un recolector de basura NOR requiere una complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseo del sistema de archivos. Comparndolo con los sistemas NAND, que borran mucho ms rpidamente, estas limitaciones no tienen sentido. Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques errneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR que garantizan la integridad. El tamao que deben manejar unos y otros sistemas tambin difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se deber disear estos sistemas en funcin de la orientacin que se le quiera dar al sistema. Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organizacin interna de las memorias flash son JFFS (Journaling Flash File System) y YAFFS (Yet Another Flash File System), ExFAT es la opcin de Microsoft.

Antecedentes de la memoria flash

Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas

como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura.

Memorias de slo lectura. o ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. o PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrnico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM. Memorias de sobre todo lectura. o EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a travs de la exposicin a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequea ventanita en el chip). o EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM. o Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa. Memorias de Lectura/Escritura (RAM) o DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. o SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras.

Historia de la memoria flash

La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las tecnologas a las que presta sus servicios como routers, mdems, BIOS de los PC, wireless, etc. Fue Fujio Masuoka en 1984, quien invent este tipo de memoria como evolucin de las EEPROM existentes por aquel entonces. Intel intent atribuirse la creacin de esta sin xito, aunque si comercializ la primera memoria flash de uso comn. Entre los aos 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria que conocemos hoy, como la SmartMedia o la CompactFlash. La tecnologa pronto plante aplicaciones en otros campos. En 1998, la compaa Rio comercializ el primer Walkman sin piezas mviles aprovechando el modo de funcionamiento de SmartMedia. Era el sueo de todo deportista que hubiera sufrido los saltos de un discman en el bolsillo.

En 1994 SanDisk comenz a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolucin ha llegado a pequeos dispositivos de mano de la electrnica de consumo como reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consolas, capacidad de almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalmbricas y un largo etctera, incluso llegando a la aeronutica espacial. El espectro es grande.

Futuro
El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a la ubicuidad de las computadoras y electrodomsticos inteligentes e integrados y, por ello, la demanda de memorias pequeas, baratas y flexibles seguir en alza hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en caractersticas como en coste. En apariencia, esto no pareca muy factible ni siquiera a medio plazo ya que la miniaturizacin y densidad de las memorias flash estaba todava lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista fsico. Pero con la aparicin del memristor el futuro de las memorias flash comienza a opacarse. El desarrollo de las memorias flash es, en comparacin con otros tipos de memoria sorprendentemente rpido tanto en capacidad como en velocidad y prestaciones. Sin embargo, los estndares de comunicacin de estas memorias, de especial forma en la comunicacin con los PC es notablemente inferior, lo que puede retrasar los avances conseguidos. La apuesta de gigantes de la informtica de consumo como AMD y Fujitsu en formar nuevas empresas dedicadas exclusivamente a este tipo de memorias como Spansion en julio de 2003 auguran fuertes inversiones en investigacin, desarrollo e innovacin en un mercado que en 2005 sigue creciendo y que ya registr en 2004 un crecimiento asombroso hasta los 15.000 millones de dlares (despus de haber superado la burbuja tecnolgica del llamado boom punto com) segn el analista de la industria Gartner, que avala todas estas ideas. Es curioso que esta nueva empresa, concretamente, est dando la vuelta a la tortilla respecto a las velocidades con una tcnica tan sencilla en la forma como compleja en el fondo de combinar los dos tipos de tecnologas reinantes en el mundo de las memorias flash en tan poco tiempo. Sin duda se estn invirtiendo muchos esfuerzos de todo tipo en este punto. Sin embargo, la memoria flash se seguir especializando fuertemente, aprovechando las caractersticas de cada tipo de memoria para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard para un pequeo dispositivo como un PDA; la memoria de instrucciones estara compuesta por una memoria de tipo ORNAND (empleando la tecnologa MirrorBit de segunda generacin) dedicada a los programas del sistema, esto ofrecera velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en modo rfaga segn la compaa con un costo energtico nfimo y que implementa una seguridad por hardware realmente avanzada; para la memoria de datos podramos emplear sistemas basados en puertas NAND de alta capacidad a un precio realmente asequible. Slo quedara reducir el consumo de los potentes procesadores para PC actuales y dispondramos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas prestaciones que hoy en da sera la

envidia de la mayora de los ordenadores de sobremesa. Y no queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles. Cualquier dispositivo con datos crticos emplear las tecnologas basadas en NOR u ORNAND si tenemos en cuenta que un fallo puede hacer inservible un terminal de telefona mvil o un sistema mdico por llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrnica de consumo personal seguir apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gran capacidad, como los reproductores porttiles de MP3 o ya, incluso, reproductores de DVD porttiles. La reduccin del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la ms reducida), adems de un menor consumo, permitir alargar la vida til de estos dispositivos sensiblemente. Con todo, los nuevos retos sern los problemas que sufren hoy en da los procesadores por su miniaturizacin y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores. Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante CVS (Concurrent Version System) y cdigo abierto permiten un desarrollo realmente rpido, como es el caso de YAFFS2, que, incluso, ha conseguido varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de esta envergadura. La integracin con sistemas inalmbricos permitir unas condiciones propicias para una mayor integracin y ubicuidad de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo que nos rodea en el sueo de muchos desde la dcada de 1980. Pero no slo eso, la Agencia Espacial Brasilea, por citar una agencia espacial, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias para integrarla en sus diseos; la NASA ya lo hizo y demostr en Marte su funcionamiento en el Spirit (rover de la NASA, gemelo de Opportunity), donde se almacenaban incorrectamente las rdenes como bien se puede recordar. Esto slo es el principio. Y ms cerca de lo que creemos. Intel asegura que el 90% de los PC, cerca del 90% de los mviles, el 50% de los mdems, etc., en 1997 ya contaban con este tipo de memorias. En la actualidad TDK est fabricando discos duros con memorias flash NAND de 32 Gb con un tamao similar al de un disco duro de 2,5 pulgadas, similares a los discos duros de los porttiles con una velocidad de 33,3 Mb/s. El problema de este disco duro es que, al contrario de los discos duros convencionales, tiene un nmero limitado de accesos. Samsung tambin ha desarrollado memorias NAND de hasta 32 Gb. La expansin de la memoria flash es infinita. A finales del 2009 Kingston lanz una memoria flash (DATATRAVELER 300) de una capacidad de 256 Gb la cual podra almacenar 51000 imgenes, 54 DVD o 365 CD. Apple present el 20 de octubre del 2010 una nueva versin de la computadora porttil MacBook Air en el evento denominado De vuelta al Mac (Back to the Mac), en su sede general de Cupertino, en California (Estados Unidos). Una de las caractersticas ms resaltantes de este nuevo equipo es que no tiene disco duro, sino una memoria flash, lo que la hace una mquina ms rpida y ligera. Segn David Cuen, un especialista consultado por la BBC Mundo, la memoria flash es una apuesta interesante pero arriesgada. La pregunta es: est el mercado preparado para deshacerse de los discos duros? Apple parece pensar que s.