Fibra Optica Seccion-5
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1- FIBRAS PTICAS
J.Tyndall-1870 haba realizado una demostracin de propagacin de luz en un cilindro transparente con agua. Los efectos de reflexin se conocen desde el siglo IV aC y de refraccin desde el siglo II aC (Ptolomeo) Es N.French-1934 quien patenta el telfono ptico. En 1950 las fibras pticas con una gran atenuacin eran usadas en endoscopa e instrumentacin. Slo a partir de 1970 cuando la Corning G.W. logra fibras de 20 dB/km y C.A.Burrus de la Bell Labs desarrolla el Lser de onda continua de As Ga (Arseniuro de Galio) se produce el verdadero despegue de los sistemas pticos. Cuando C.K.Kao-1966 indic la posibilidad de reducir la atenuacin para ser usadas en transmisin, se tenan los valores de 103 dB/km. En 1970 se obtienen valores alentadores de atenuacin: 20 dB/km. Y luego: en 1972 se tienen 4 dB/km, en 1974 se tiene 2,2 dB/km; en 1976 se llega a 1,6 dB/km; en 1980 se arriba al lmite terico de 0,2 dB/km. En el ao 2000, con fibras pticas con flor, se tendrn 10-3 dB/km. Esta secuencia ilustra como se ha precipitado el avance tecnolgico y es coincidente con todas las ramas de la ciencia y la tecnologa (Fig 05). El primer sistema de fibras pticas se realiz para aplicaciones militares en 1973 y la Western Electric lo aplic en Atlanta en 1976 para telefona comercial. El uso comercial de las fibras pticas se pens en un principio con propagacin monomodo, pero los problemas de acoplamiento entre ncleos llevaron a crear las fibras pticas multimodo con perfil gradual como solucin alternativa. A partir de 1985, en telecomunicaciones, slo se usan fibras pticas monomodo. Originalmente se us la primer ventana (0,85 m) debido a dos razones. En principio, la atenuacin producida por los iones OH sobre la segunda ventana (1,3 m) impedan alcanzar los lmites tericos. Con el perfeccionamiento de los mtodos de fabricacin se lleg a los lmites tericos de atenuacin (dispersin de Rayleigh) y la segunda ventana result ser ms interesante que la primera. La segunda razn es el tipo de semiconductor que es usado para la emisin. En la primer ventana se usan derivados de AsGa (Arseniuro de galio) y en la segunda derivados de InP (Fosfuro de indio). Los primeros estaban disponibles con anterioridad debido a la aplicacin en microondas desde 1960. La segunda ventana es muchas veces ms atractiva que la tercera por tener valores de atenuacin slo algo mayor y tener el mnimo de dispersin cromtica. Los nuevos desarrollos en fibras pticas tienen varias lneas de investigacin. Las fibras policristalinas tienen muy pobres propiedades mecnicas y sufren de esparcimientos de las seales inducidas. Los vidrios de Germanio (GeO2) son de fcil produccin pero tienen una longitud de onda de corte reducida. Los vidrios calcnidos (AsS; AsSe) tienen un mnimo ancho de banda terico de 0,01 dB/km a 4,54 m. Los vidrios fluorados (ZrF4) son los ms interesantes con atenuacin de 0,001dB/km a 3,44m. Por ejemplo, ya se producen fibras de flor con dimetro de 150 m y NA de 0,2 debajo de 1 dB/km entre 0,5 y 2 m. (Referencia: Fig 04). Las FO se utilizan en varias aplicaciones industriales como sensores. Por ejemplo, el puente Taylor sobre el ro Assiniboine en Canad est construido con vigas de polmero reforzado de fibras de Carbono y vdrio. En su interior las FO llevan luz hasta detectores de presin. La longitud de onda reflejada por los medidores depende de la temperatura y la presin.
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donde I es el ngulo del rayo de incidencia, Rx el ngulo de reflexin y Rc de refraccin. Se tiene entonces que para un valor determinado de I el ngulo Rc vale 90, se produce entonces la denominada reflexin total de la energa incidente. Todos los rayos de luz que inciden sobre la interfaz ncleo-revestimiento con ngulo superior a dicho valor I se reflejan y se encontrarn guiados dentro del ncleo gracias a mltiples reflexiones. Por ejemplo, si n1=1,48 y n2=1,47 para que Rc=90 el valor de I ser 83. Este sera el ngulo lmite. Si se extrae el ngulo lmite fuera de la fibra ptica, se tiene un caso similar al anterior con un ngulo de incidencia en el aire (n0=1) y con un ngulo de refraccin Rc en el ncleo (n1= 1,48). En tal caso se tiene Rc=7, resultando en un ngulo =10.
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3- ANCHO DE BANDA
3.1- DISPERSIN MODAL En el tipo de fibras pticas bajo anlisis en la Fig 01, denominadas multimodo, los distintos rayos propagados recorren distintos caminos, sufriendo, segn el ngulo, distintas reflexiones. Se tiene de esta forma que al introducir en el extremo de la fibra ptica un impulso de luz, en el otro extremo se produce una dispersin en la llegada de los distintos rayos. En otras palabras, si se inyecta a un mismo tiempo un determinado nmero de fotones (partcula asociada a la energa electromagntica) en la salida se identificarn en el tiempo debido a los distintos recorridos. En realidad, la identificacin de cada fotn requiere de un instrumento de deteccin de muy alta velocidad de respuesta (gran ancho de banda), como el contador de fotones. Con instrumentos de deteccin ms simples se obtiene una medida que es la integracin de la energa recibida y se asocia generalmente a un pulso de forma gaussiana. A esta dispersin o apertura del impulso de ingreso se la denomina modal o intermodal debido a que en la teora electromagntica se denomina modo de propagacin al rayo de la fsica clsica. La definicin de la dispersin modal se realiza con pulsos gaussianos de entrada y salida, escribindose como: Wm = (Ws2-We2)1/2 donde We es la apertura del impulso de entrada a mitad de altura y Ws la apertura de la salida. La dispersin modal resulta ser el ensanchamiento adicional del pulso de entrada. Al considerar al pulso en el tiempo con forma de onda gaussiana se puede escribir: S(t) = exp[-2,77.(t/Wm)2] Para conocer las caractersticas de transferencia de la fibra ptica debemos encontrar la transformada de Fourier de S(t): S(f) = 0,17.Wm.exp (-3,56.f 2.Wm2) De esta forma se tiene que el ancho de banda definido a 3 dB de atenuacin de potencia ptica respecto al nivel en 0 Hz ser (la constante 0,44 aparece para uniformar unidades): AB = 0,44/Wm Obsrvese de la expresin que el ancho de banda es inversamente proporcional a la dispersin modal Wm. El valor de Wm se expresa por unidad de longitud de la FO. Siendo cmodas las unidades nseg/km. El ancho de banda AB disminuye con el incremento de la longitud del enlace y se expresa en unidad de MHz.km. En otras palabras, dada una longitud de enlace se tiene un valor lmite de separacin temporal entre pulsos de informacin sin exceder una superposicin tolerable. Con mayor velocidad los pulsos adyacentes se interfieren y se incrementa la tasa de error de bit BER. Se recuerda que, como la corriente elctrica es proporcional a la potencia ptica, es decir que la potencia elctrica es proporcional al cuadrado de la potencia ptica, los 3 dB pticos corresponden a 6 dB elctricos. Existen dos formas de reducir la dispersin modal para incrementar el ancho de banda disponibles de la fibra ptica: produciendo una variacin gradual del perfil del ndice de refraccin y permitiendo la propagacin de un solo modo. De esta forma, se logra clasificar las fibras pticas. -Segn el perfil del ndice de refraccin: abruptas (o salto de ndice) y graduales -Segn el nmero de modos de propagacin: multimodo (ms de un modo) y monomodo. 3.2- PERFIL DE NDICE DE REFRACCIN Se analiza inicialmente la solucin que recurre a la variacin gradual del ndice de refraccin. Se obtiene la siguiente cadena de acontecimientos: -La dispersin modal se produce porque los distintos modos de propagacin recorren distintos caminos en distinto tiempo. -La velocidad de propagacin del modo en el medio dielctrico es c/n (c la velocidad de la luz en el vaco 3.105 Km/s). -De esta forma los rayos que recorren mayor camino lo hacen por la periferia del ncleo. -Lo hacen all donde el ndice de refraccin es menor que en el centro y donde la velocidad tambin es mayor. -Luego: la mayor longitud de recorrido se compensa con la mayor velocidad de propagacin. En la Fig 02 se ha representado a la fibra de ndice gradual con un recorrido de rayos que se curvan suavemente debido a que no existe una interfaz abrupta entre el ncleo y el revestimiento. Se demuestra que el mnimo de Wm se logra cuando el perfil del ndice responde a la ley:
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donde ra es el radio del ncleo y un exponente que depende del material y de la longitud de onda que se transmite. El valor ptimo de se encuentra cercano a 2 y puede describirse como: opt = 2 - 2.Po - .(2-Po) con = (n1-n2)/n1 y Po = (n/ng).(/).(d/d)
donde el trmino d/d indica la dependencia del material y ng es el ndice de refraccin de grupo: ng = n - .dn/d Se observa que un fibra ptica del tipo multimodo con perfil de ndice de refraccin gradual parablico ( cercano a 2) es optimizada para trabajar en una longitud de onda. Existen fibras pticas que se denominan de doble ventana que tienen anchos de banda similares, pero reducidos en ambas longitudes de onda. La apertura numrica en estas fibras pticas se reduce desde el centro del ncleo hacia la periferia debido a la reduccin del ndice. Se define NA para la fibra ptica de ndice gradual al valor que se calcula en el centro del ncleo.
El anlisis de las fibras pticas mediante la propagacin de ondas lleva a la siguiente conclusin: el nmero de modos de propagacin N dentro del ncleo es finito y puede aproximarse por: N = (.V2) 2.(+2) donde V = 2.ra.AN/
De forma que el nmero de modos de propagacin depende del perfil del ndice, del radio del ncleo ra, de la longitud de onda y de la AN. El nmero V se denomina frecuencia normalizada. De acuerdo con lo indicado, existe el perfil abrupto y gradual, que corresponde a: -ndice abrupto (= ); N=V2/2 -ndice gradual (= 2); N=V2/4 Esta aproximacin es vlida cuando N es mayor a la unidad. Suponiendo el caso de las fibras pticas normalizadas por G.651 (ver la Tabla al final de este Trabajo), se tiene con ra= 25 m y AN= 0,2: = 0,85 m = 1,30 m = N= 683 N= 292 = 2 N= 341 N= 146
El nmero de modos de propagacin disminuye con el incremento de la longitud de onda y crece con el aumento del radio. El uso de un perfil parablico (=2) ha disminuido a la mitad el nmero de modos de propagacin y con ello la dispersin modal. 3.3- LONGITUD DE ONDA DE CORTE Otra solucin para disminuir la dispersin modal es la reduccin del nmero de modos a la unidad (N=1), obteniendo la denominada fibra ptica monomodo. A partir de 1985 solo las fibras monomodo se usan en telecomunicaciones; las
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Fig 02. Distribucin del campo electromagntico en el ncleo de la FO. Para el caso del perfil de ndice abrupto (el perfil gradual carece de sentido en la propagacin de un solo modo) con tendiendo a , se tiene que V=2,405. El valor de a partir de la cual la fibra ptica se comporta como monomodo se denomina longitud de onda de corte ( cutoff) y el ITU-T la define como aquella a donde la relacin entre la potencia total y potencia del modo fundamental LP11 es de 0,1 dB. La fibra ptica monomodo se calcula para una longitud de onda de corte (longitud de onda para la cual V= 2,405; es decir el modo de segundo orden deja de propagarse) entre 1,18 a 1,27 m. Esto resulta en un dimetro del ncleo cercano a 9 m. DIMETRO DEL CAMPO MODAL. La NA no se define para fibras monomodo, tampoco se define el radio del ncleo. En cambio, se utiliza el denominado dimetro del campo monomodal. Este dimetro se define en base al campo emitido desde el extremo de la FO y es el ancho cuando la potencia emitida se reduce a e-2 (aproximadamente 0,13) del valor mximo considerando la emisin gaussiana del extremo de la fibra ptica. Formalmente se define el dimetro del campo
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El valor de para el cual M()=0 se denomina longitud de onda de dispersin cromtica nula y depende del material. El valor aumenta con el incremento de la concentracin de GeO2 y disminuye con el incremento de B2O3. El ancho de banda resultante ser funcin inversa de M() y se expresa como: AB= 0,44.106 .M() donde el valor 0,44 surge de la conversin de FWHM a RMS, en nm es el ancho espectral de la fuente definida como la diferencia entre las longitudes de onda donde la potencia ptica emitida es la mitad (FWHM). Este valor resulta en unidades de longitud MHz.km si la M() se expresa en ps/nm.Km. Obsrvese que el ancho de banda se reduce cuando la fuente de luz tiene un ancho espectral grande, por lo que se buscar reducir dicho valor mediante el uso de emisores Lser. En la misma figura se muestra un ejemplo de cmo vara el ancho de banda en funcin de para distintos valores de . DISPERSION DE GUIA DE ONDAS. La dispersin de gua de ondas se debe a imperfecciones en la relacin entre el radio del ncleo ra y la longitud de onda de la luz que se transmite. Como consecuencia de ello la distribucin del campo y el tiempo de propagacin son dependientes de ra/. En general, esta dispersin se presenta en comn con la dispersin del material y resultan inseparables. Para aquel lector conocedor de los sistemas radioelctricos, el efecto de la dispersin cromtica puede ser interpretado como el retardo de grupo. En ambos casos las distintas componentes espectrales tienen velocidad de propagacin diferente y se produce una distorsin. Sin embargo, el efecto en ambos sistemas es diverso debido a que la modulacin de la seal en el sistema radioelctrico es coherente y en los sistemas pticos es una modulacin de potencia (simple variacin de la potencia ptica en dos niveles).
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PENDIENTE DE DISPERSION CROMATICA. El efecto de la pendiente de la dispersin cromtica es importante para enlaces de larga distancia. Los valores actuales son cercanos a 0,04 a 0,10 pseg/km.nm2. Una elevada pendiente introduce un efecto de intermodulacin entre seales en WDM. Existen FO que permiten compensar la pendiente de dispersin cromtica. Son las FO PDC (Passive Dispersion Compensator). Poseen un ncleo muy estrecho (2 m) y un salto de ndice de refraccin muy alto. La atenuacin se incrementa, por lo que se realiza una reduccin paulatina entre el ncleo de la FO normal y la de compensacin de dispersin. Se utilizan algunos metros de FO de compensacin por varios km de FO standard G.652. La dispersin negativa es del orden de 100 ps/km.nm a 1550 nm. Por ejemplo, en el mercado se encuentran mdulos de compensacin para 40 y 80 km de FO. El retardo disminuye con la longitud de onda (1700 ps a 1556 nm y 1000 ps a 1557 nm). El centro de la banda 1556-1557 puede correrse para otras longitud de ondas necesarias. 3.5- PMD (Polarization Mode Dispersion). Las distintas polarizaciones de la luz se propagan a distinta velocidad y esto se interpreta como una dispersin. Las causas se deben a la geometra del ncleo, a esfuerzos de compresin, flexin o torsin. La PMD es un valor aleatorio que vara a lo largo del tiempo. Las FO desarrolladas en 1998 por Lucent permite reducir el efecto del PMD debido a que son fabricadas mediante un proceso giratorio para compensar deformaciones fijas. El valor de PMD se mide en unidades de pseg/km. El requerimiento de PMD para una seal 2,5 Gb/s es inferior a 2 pseg/km. En cambio para la transmisin de vdeo analgico en redes de CATV se requiere menos de 0,6 pseg/km para un ancho de banda de 60 canales. Se disponen de FO que mantienen la polarizacin PM (Polarization Maintaining). Este tipo de FO-SM permite transmitir una luz polarizada con una relacin de 30 dB entre los ejes ortogonales. Este tipo de FO se logra mediante un ncleo no simtrico en ambos ejes (un cladding interno oval o dos ncleos adicionales sobre un mismo eje). Se utiliza en ptica
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4. ATENUACIN ESPECTRAL
La estructura bsica de la red cristalina de la fibra ptica es el dixido de silicio SiO2, cuya disposicin espacial responde a un tetraedro regular con el Oxigeno en los vrtices y el Silicio en el centro. La elevada pureza del material contribuye a formar un retculo cristalino que se aleja un tanto de la definicin del vidrio (producto inorgnico de fusin que se ha enfriado sin cristalizar). As como el ancho de banda se define como el valor de frecuencia de la modulacin para la cual se tiene una atenuacin de 3 dB respecto de la frecuencia cero, se define la atenuacin de la fibra ptica como el valor de atenuacin para una frecuencia modulante nula. La atenuacin de la fibra ptica difiere de la producida por un par conductor. Mientras en el par la atenuacin se incrementa con la funcin f (f es la frecuencia de la seal transmitida) en la fibra ptica la atenuacin permanece constante hasta una frecuencia de corte (ancho de banda). Existen diversos mecanismos que contribuyen a la atenuacin de las fibras pticas, entre ellos tenemos: las reflexiones, las dispersiones y las absorciones. REFLEXIN DE FRESNEL. Se produce en los extremos de las fibras pticas debido al salto de ndice de refraccin entre el exterior y el ncleo. El valor se escribe como: Rf % = [(n1-n0)/(n1+n0)]2 . 100 con n1 el ndice del ncleo y n0 el del medio exterior. Con n0=1 y n1=1,48 se tiene un valor de Rf= 3,7%, es decir que la potencia reflejada est 14 dB por debajo de la potencia incidente. La expresin anterior es vlida cuando el corte del extremo de la fibra ptica es perfectamente perpendicular. De lo contrario, la reflexin disminuye casi a 0% cuando el ngulo llega a 6. Para disminuir esta reflexin se suele colocar un medio adaptador de ndice de refraccin. Muchas veces se usan materiales epoxi de idnticas caractersticas para unir slidamente los elementos. 4.1- DISPERSIN DE RAYLEIGH El esparcimiento o dispersin de Rayleigh se debe a fluctuaciones de concentracin y densidad, burbujas en el material, inhomogeneidades y fisuras o imperfecciones de la gua de ondas por irregularidades interfaciales del ncleo y revestimiento. En este caso se produce una dispersin de la onda electromagntica (como en el caso de las ondas de agua chocando con un obstculo) que se traduce en una atenuacin de la onda incidente. El valor de la atenuacin responde a la ley: Ar = K/4 El valor de K depende de la diferencia relativa del ndice de refraccin. El valor de Ar en dB/Km se indica en la Tabla anexa. Estos valores se pueden extraer de la Fig 03 y son los lmites tericos de atenuacin ya que las absorciones son despreciables debajo de 1,55 m. % K =0,85m =1,30m =1,55m 0,2 0,86 1,65 0,3 0,15 0,5 1,02 1,95 0,36 0,18 1 1,27 2,43 0,44 0,22
Desde principios de la dcada de los aos 80' se han logrado alcanzar estos lmites tericos con fibras pticas de laboratorio de muy alta calidad y desde 1985 las fibras pticas comerciales estn muy cerca de dichos valores. No deben esperarse mejoras de atenuacin en el futuro con FO de SiO2. Existen otras dispersiones cuyo valor resulta ser muy inferior a la de Rayleigh, como ser los esparcimientos de Mie, Raman y Brillouin. 4.2- ABSORCIN DEL MATERIAL En lo que respecta a las absorciones el SiO2 produce una absorcin natural con un mnimo en 1,55 m. Se diferencian por ello dos zonas: una hacia el infrarrojo IR y otra ultravioleta UV. Las respectivas atenuaciones se pueden escribir como: -Infrarrojo Air = 7,8.1011.exp(-48,5/) -Ultravioleta Auv = [(154.x)/(44,6.x+60)].10-2.exp(4,63/) La concentracin de GeO2 (componente que se coloca para variar en ndice de refraccin) se expresa como x. Tambin se detectan absorciones de los radicales oxidrilo OH (producto del proceso de fabricacin), que se muestra en la Fig 04 en unidades de concentracin en ppm (partes por milln). Por razones histricas (hasta 1980, cuando el efecto del OH se reduce a valores despreciables) quedan determinadas las denominadas ventanas de baja atenuacin en longitudes de onda de 0,85 m; 1,3 m; 1,55 m. El pico de absorcin en 1,39 m corresponde a la segunda armnica de 2,76 m debido al Si-OH, mientras que el pico en 1,41 m corresponde a la segunda armnica de 2,83 m del Ge-OH.
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Los iones metlicos que tambin quedan como residuo del proceso de fabricacin, producen una atenuacin casi plana dentro de las ventanas de transmisin. En la Fig 04 se muestra la absorcin espectral en unidades de concentracin en ppb (partes por 1000 millones).
Fig 04. Componentes de atenuacin en las fibras pticas. 4.3- ATENUACIN EN CURVATURAS Una atenuacin adicional son los modos fugados cuya conocimiento resulta til para explicar la atenuacin en curvaturas. En una fibra ptica lineal el campo del modo de propagacin principal EH11 (transversal elctrico-magntico) tiene el mximo de energa en el centro del ncleo y decrece hacia la periferia. Fuera del ncleo existe una pequea parte del campo que se propaga acoplado al campo del ncleo constituyendo una onda plana. Puede pensarse que la curva de la Fig 02 muestra la densidad de probabilidad de encontrar un fotn; de forma que lo ms probable es que el fotn se encuentre en el centro del ncleo y la probabilidad que se encuentre fuera es infinitamente pequea, pero existente. En una fibra ptica con curvaturas se produce un desacoplamiento de la energa debido a que para mantener la propagacin de la onda plana deben existir velocidades tangenciales diferenciales. Cuando la velocidad tangencial supera la velocidad de la luz en el vaco (c), se produce la ruptura de la propagacin plana. La energa restante se pierde y se crea una zona por donde se drena constantemente energa. La densidad de potencia del modo fundamental se extiende fuera del rea del ncleo si la longitud de onda es superior a la longitud de onda de corte lo cual origina prdidas por propagacin en el revestimiento. Por ello la longitud de onda de aplicacin debe encontrarse entre la longitud de onda de corte cutoff y 1,3 de la misma cutoff. En una fibra ptica multimodo lineal se produce un efecto similar en los modos de propagacin de orden superior. Como la propagacin de un modo es a lo largo de la lnea helicoidal se tiene una curvatura similar al caso anterior (ver la Fig 02). Por el punto de desacoplamiento se produce el drenaje de energa que se denomina modos fugados.
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2- FO COMERCIALES Y NORMALIZADAS
Los esfuerzos de estandarizacin iniciados en la dcada de los aos 70 dieron sus frutos en las recomendaciones ITU-T (antes CCITT). En un principio (perodo 1977-1980) la G.651 normaliz las fibras pticas multimodo de 50/125m; luego (perodo 1981-1984) la G.652 normaliz la fibra ptica monomodo y la G.956 los sistemas de lnea. Las FO monomodo para tercera ventana se encuentran normalizadas en G.653/654/655. Las caractersticas se miden de acuerdo con normas del IEC 793, entre ellas se encuentran: la dispersin cromtica, la longitud de onda de corte, el dimetro del campo modal, las dimensiones geomtricas, el campo lejano y las caractersticas mecnicas. En la Tabla 01 se identifican distintos tipos de FO con su aplicacin se trata de las FO de plstico; las multimodo para redes de datos; las monomodo para redes de alta velocidad y las FO para aplicaciones especiales. En la Tabla 02 se elencan las caractersticas de las FO definidas por el ITU-T en la serie G.65x. En la Fig 01 se muestra el perfil de ndice de refraccin en la FO NZ-DS y la dispersin cromtica asociada a las FO de tipo estndar STD, de dispersin desplazada DS y NZ-DS.
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FO Plstica
PCS
FO 62,5/125 m
FO 50/125 m
FO STD
FO DS
FO Minimum Loss
FO NZ-DS
FO PDC
FO Erbio Doped
FO PM
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2- PRODUCCIN DE LA PREFORMA
La produccin comercial actual de las FO de slice para telecomunicaciones se realiza mediante el mtodo de la preforma que consiste en dos pasos, la fabricacin de la preforma (un bastn de slice de 1 m de longitud y 2 cm de dimetro cuyo perfil de ndice de refraccin es idntico a la FO deseada) y el estirado de la preforma. Los mtodos comerciales responden a procesos diseados en distintos laboratorios pudiendo identificarse: -OVD (Outside Vapor Deposition) de la Corning Glass W (Siecor). -MCVD (Modified Chemical Vapor Deposition) de la Bell Labs. -PCVD (Plasma Activated Vapor Deposition) de la Philips. -VAD (Vapor Axial Deposition) de la NTT. MATERIALES DE ORIGEN. Las FO estn constituidas por slice (SiO2), el mismo en forma natural tiene una alta concentracin de xidos metlicos. Por ello, mediante reduccin, clorinacin y destilacin con C y Cl se logra su purificacin, de forma tal que partiendo de: (SiO2Fe + C + Cl2) resulta (CO + FeCl3 + SiCl4). Tanto el CO como el FeCl3 son desechos de este proceso con lo que se elimina el Fe contenido en el SiO2 y se obtiene SiCl4 (Tetracloruro de Silicio) como material base para la produccin de la preforma. Si bien el SiCl4 es lquido a temperatura ambiente se trabaja en la fase de vapor para lograr un mejor control en la produccin, de forma que mediante oxidacin o hidrlisis se obtiene nuevamente el SiO2. En la Fig 01 se muestra el proceso de produccin de MCVD y OVD. A partir de una corriente de oxgeno molecular O2, la cual es filtrada y controlada en su densidad de flujo, se produce el "burbujeo" en saturadores. El O2 es un gas a temperatura ambiente, mientras que el contenido de las botellas (SiCl4, GeCl4, POCl3, etc.) son lquidos. Se tiene entonces una corriente de O2 con molculas de cloruros. El control de flujo permite dosificar la densidad de cada compuesto en la reaccin. La proporcin de ellos da lugar al ndice de refraccin deseado, as por ejemplo, mientras el Ge y P incrementan el ndice de refraccin, el B lo reduce. Hasta aqu los mtodos de produccin son idnticos.
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Siempre resulta como subproducto de la reaccin el Cl2 que es un gas a temperatura ambiente y se extrae mediante una bomba de vaco, mientras que los xidos son slidos y se depositan en la cara interior del tubo formando una fina capa cristalina. Para mantener una deposicin homognea se hace girar al tubo en el torno y se mueve la llama que cataliza la reaccin en forma longitudinal a una velocidad de algunos mm/seg. La deposicin resulta ser capa a capa. El perfil del ndice de refraccin deseado se logra variando la composicin de los reaccionantes para cada capa. La zona de deposicin se muestra en la misma Fig 01; tambin se tiene una ampliacin, mediante isotermas y recorridos de partculas. Se observa que la deposicin es posterior a la llama debido a que las partculas de la zona de reaccin siguen las isotermas. MTODO PCVD. Se crea una zona no-isotrmica producida por un generador de RF (2 a 3 GHz y 100 a 500 w). El mtodo PCVD es similar al MCVD cambiando la forma de calentamiento. El horno de RF tiene una menor inercia trmica, lo cual permite capas ms delgadas y en mayor nmero, obtenindose un perfil de ndice ms suave, con menos saltos. La deposicin en PCVD puede realizarse a temperatura ambiente pero el vidrio resulta agrietado por lo que se prefiere sumergir al sistema en un calefactor de grafito. La Bell Labs ha desarrollado una variante del MCVD denominado PMCVD (Plasma-enhanced MCVD) que usa un calefactor de cobre colocado luego de la llama para crear un plasma de O2 en el interior del tubo. La termoforesis del plasma produce fuerzas fsicas (isotermas) sobre las partculas de SiO2 que obligan a la deposicin entre la llama y el plasma. Con este mtodo se aumenta la eficiencia de deposicin de SiO2. El PCVD permite lograr ms de 1000 capas en FO multimodo y tiene una eficiencia de deposicin muy elevada (del orden del 100% para el SiO2 y del 90% para el GeO2). La tasa de deposicin es de 0,1 gr/min. Para los mtodos MCVD y PCVD pueden aplicarse las tcnicas "Rod in tube" que consiste en fabricar mediante una preforma solamente el ncleo y luego colocar un tubo exterior que da origen al revestimiento. Como las capas centrales de la preforma no pueden construirse, se realiza un colapsado para compactar la preforma. El mismo se efecta elevando la temperatura hasta cerca de 2000 C o ms. El Ge tiende a evaporarse durante el colapsado, con la consiguiente reduccin del ndice de refraccin y produciendo un "dip" en la curva de ndice; esto se previene colocando C2F6 y O2 en la ltima fase. Posterior al colapsado se colocar la camisa de slice que forma el revestimiento (rod in tube) y por sintetizando se colapsa. 2.2- DEPOSICIN EXTERNA MTODO OVD. El mtodo de mayor produccin en el mundo es el OVD que es usado por la Siecor (Corning-Siemens). La deposicin es por hidrlisis y se genera una preforma porosa (no es un slido macizo). La hidrlisis tiene la siguiente reaccin qumica: Con Con SiCl4 + 2.H2 + 2.O2 (2.Cl2 + 2.H2O) se forma se forma SiO2 + (2.Cl2 + 2.H2O) (a 1700C) 4.ClH + O2
Esta reaccin permite reducir el contenido de agua en la preforma porosa mediante la segunda fase eliminando el gas clorhdrico HCl. Posteriormente se realiza el secado de la misma mediante la circulacin por su interior de He+Cl2 de forma que el Cl reacciona con los OH residuales y forma O+He+2.HCl. Obsrvese que la deposicin es en el exterior de un sustrato slido que se extrae luego de la formacin de la preforma porosa y por este agujero se inyecta el gas para el secado. El ltimo paso es el compactado de la preforma porosa. MTODO VAD. El mtodo OVD es ms complejo que MCVD pero permite un mayor volumen de produccin. Tambin el mtodo VAD es ms complejo e interesante. El VAD es usado casi con exclusividad por las empresas japonesas y consiste en el crecimiento axial de una preforma porosa con reacciones idnticas al OVD. En la cmara se enfrentan los tubos que
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3- ESTIRADO DE LA PREFORMA
La preforma debe ser estirada para llevarse a las dimensiones normalizadas de las FO. Por ejemplo, de una preforma de 1 m de longitud se pueden estirar varios kilmetros de FO del tipo 9/125. El esquema del proceso de estirado se muestra en la Fig 02 y consiste en las siguientes etapas: horno de calentamiento, control de dimetro, colocacin del recubrimiento primario, horno de secado, capstan y enrollado. La preforma se coloca en la parte superior de la mquina de estirado que tiene cerca de 4 m de altura. El centrado de la preforma en el horno es manual. En este caso se eleva la temperatura del horno para reducir la viscosidad hasta un valor donde fluya por debajo debido a la gravedad un hilo de FO.
Fig 02. Forma de estirado de la preforma y ensamble de cables. El horno puede ser de grafito o zirconio. El horno de grafito requiere estar inmerso en un flujo de gas inerte (N o He/Ar) para evitar la migracin de contaminantes; es enfriado en un cuerpo de agua y controlada la temperatura mediante un pirmetro. El tiempo de vida medio es entre 1500 y 2000 hs y funciona a 30 KVA. Para lograr un mejor control se recurre al horno de induccin de zirconio (introducido en 1977 para evitar el uso de gas inerte) que trabaja entre 150 y 400 kHz. En todos los casos se realizar un flujo laminar ascendente a lo largo de la FO y la preforma en calentamiento dentro del horno para impedir turbulencias trmicas que se traducen en variaciones del dimetro de la FO. Sin embargo, no se requiere de un gas inerte pues el zirconio no reacciona con el oxgeno. El medidor de dimetro controla el posicionador x-y de la preforma y la velocidad de estirado del capstan a partir de un sistema de control por ordenador. La resolucin del instrumento debe ser superior a 1 m y de rpida lectura por lo que se recurre a medidores lser. Posteriormente se coloca un recubrimiento primario (Coating) de acrilato. Esta capa de 250 m de dimetro nominal y 10% de tolerancia, protege la superficie de la FO del ataque de los iones OH. Los radicales oxidrilos producen la oxidacin de la superficie de la FO, rompiendo los enlaces Si-O-Si y formando grupos silanol Si-OH. Este proceso produce microfracturas en la superficie con lo que incrementa la posibilidad de fractura de la FO. El material sinttico (acrilato curado con UV o tambin hace algn tiempo silicona) se coloca por estrusin en un embudo que puede ser una punta flexible y que permite que la FO permanezca en el centro debido a la accin de las fuerzas
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) El Nylon fue sintetizado por vez primera en 1934 por W. Carothers en DuPond. El Nylon es un polmero sinttico cuya estructura qumica es: (-CO-NH-(CH2)6-NH-CO-(CH2)4-), 2 ) El oxgeno es un elemento muy necesario y a la vez peligro para la vida. Cuando 2000 millones de aos atrs la demanda de H por parte de las bacterias terminaron con el CO2, los antepasados de las actuales cianobacterias tomaron el oxgeno del agua H2O y liberaron O2. Se produjo entonces una saturacin de oxgeno libre provocando un holocausto en la vida. Aparecieron entonces aquellos seres que consuman oxgeno, para ello se dispone de la Hemoglobina. Se trata de una gran molcula que en su centro dispone de una anillo de tomos de Fe para transportar solo un tomo de O hasta las clulas que lo necesitan.
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3 ) El Kevlar es usado en neumticos junto con fibras de acero y goma natural (el caucho es un derivado de la planta tropical Hevea Brasiliensis) o artificial (sintetizada en laboratorio). En la actualidad se investigan otras fibras con mejores propiedades que el kevlar: la fibra producida por la araa (es ms resistente y elstica que el kevlar, adems es reciclable). La seda producida por el capullo de un gusano es de fcil recoleccin, pero las araas son canbales y no se pueden criar en grupos. Por ello deben transferirse los genes a bacterias que la produzcan. El filamento antes de abandonar a la araa sufre un proceso de acidificacin que elimina el hidrgeno y arquea las fibras generando puentes entre las mismas, permitiendo la cohesin y endurecimiento.
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Fig 03a. Tipos de cables pticos. C- CABLE A CINTAS: Este cable consiste en 12 cintas de 12 FO cada una, lo cual permite formar un cuadrado de 144 FO. Este mdulo tiene una estructura helicoidal. La cubierta consiste en 2 capas de hilos de acero con helicoicidad opuesta y PE exterior. Obsrvese que el elemento de traccin se encuentra en la periferia del ncleo de cable. D- CABLE AREO: Para la Administracin alemana los cables del tipo slotted core (E, F y G) con ranuras helicoidales tiene problemas en el huelgo longitudinal y bilateral entre FO; por ello adopt el modelo de recubrimiento suelto a tubo simple o mltiple. La FO tiene dos capas de acrilato, la exterior con mayor resistencia mecnica y admite colorantes. El tubo tiene un dimetro exterior de 1,4 mm si contiene una FO y de 3 mm para 10 FO. El espesor del tubo es del 15% del dimetro. El tubo est relleno de aceite
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Fig 03b. Tipos de cables pticos. H- CABLE DE ENERGA: Este tipo de cable es un cable trifsico con cubierta de acero y PE y tiene en uno de los huecos que queda entre cada fase un cable ptico de las caractersticas deseadas. Este cable ptico consiste solamente en el ncleo del cable sin la cubierta. I- HILO DE GUARDIA (OPGW): Este es uno de los varios modelos de hilo de guardia. Consiste en 8 segmentos de Al y acero, con un dimetro exterior de 17,4 mm y con un peso de 769 kg/km. Dentro del tubo de Al central se coloca un ncleo de cable ptico. J- CABLE PARA EDIFICIOS: Consiste en un cable de 2 FO y un alambre central de acero. Las dimensiones exteriores del cable son de 10x5 mm. La cubierta exterior es de PVC, pesa 40 kg/km y soporta una carga mxima de 40 kg.
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En el presente trabajo se realizan permanentes referencias a cables instalados en los ltimos 20 aos. Esta es la mejor forma de ilustrar un tema en el cual la experiencia puede tener tanto valor como la teora.
1- INSTALACIN EN CONDUCTOS
GENERALIDADES. Como regla general todos los mtodos de instalacin deben permitir hacer uso de herramientas convencionales para reducir la necesidad de mquinas y herramientas especiales. Entre los cuidados ms importantes en una instalacin de fibras pticas FO se tendr en cuenta que nunca deber excederse la carga mxima del cable debido al peligro de rotura de las FO. Durante la instalacin es deseable grandes longitudes de tendido para reducir al mnimo el nmero de empalmes. La ventaja de los cables con FO es el reducido tamao y peso, lo cual permite el tendido de entre 2000 y 4000 m de cable haciendo uso de los mtodos convencionales. Esta distancia se reduce cuando la canalizacin est en mal estado, tienen excesivas curvaturas o existen muchos cambios de direccin en las cmaras. 1.1- SUBCONDUCTOS Y LUBRICANTES SUBCONDUCTOS. Los conductos pueden mejorarse con la colocacin de sub-conductos, lo cual incrementa la eficiencia en el uso de la infraestructura existente ya que permite instalar ms de un cable por ducto. Adems introduce una superficie de alta calidad, limpia y continua. Existen soluciones de compromiso que permiten colocar 3 tubos de 27 mm en el ducto de 100 mm de dimetro. Algunas Administraciones han usado 4 tubos. En la fotografa en la lmina anexa se muestra un rollo de tritubo y las cajas de fibrocemento para registro de empalmes en la instalacin de Bariloche-Esquel para Telefnica de Argentina. Los tubos de plstico corrugados transversalmente tienen la particularidad que los pliegues poseen un elevado grado de elasticidad longitudinal plegndose en la direccin del tendido e incrementando algunas veces la friccin. Existen tambin subductos con pliegues longitudinales que permiten un menor contacto con el cable y sirven como canal para los lubricantes. Los subductos, que se proveen en bobinas como los cables de grandes longitudes, tienen una cinta de Nylon para el tendido del cable. Esta lnea mensajera se coloca mediante aire comprimido. Los tubos son anclados en el extremo del ducto mayor mediante piezas estancas al agua que impide el acceso de la humedad desde el ducto al subducto. Comercialmente se encuentran conductos de un tubo (ducto) de dos tubos (biducto) y de tres tubos (tritubo). Los elementos que completan los materiales de instalacin son: uniones dobles para tritubos, sujetador de ducto a la cmara de inspeccin y tapn de cierre de tubo. LUBRICANTES. Para facilitar la instalacin, el tendido puede realizarse con la ayuda de lubricantes que disminuyen el rozamiento entre el cable y el conducto. Algunos lubricantes muy viscosos pueden llegar a aumentar la carga de traccin. Cuando el tendido se efecta a mano el lubricante puede llegar a causar problemas al personal si se lo usa en abundancia. En tal caso es conveniente no usarlo. Desde la primer instalacin en Buenos Aires-1981 no se us lubricante. En otra instalacin en Montevideo-1986 se us en un principio lubricante y se comprob que incrementaba la resistencia a la traccin por lo que dej de usarse. En el proyecto COS-2 (Italia) se us vaselina lquida al 1% de disulfuro de Molibdeno (lubricante slido) lo cual permiti reducir en un 20% la carga de traccin. El tendido se complet con poleas intermedias en las cmaras que contenan cambios de nivel o direccin. En el proyecto de Biarritz (Francia) se usaron como lubricante microbolas de Nylon de 0,2 a 0,6 mm mezcladas con parafina. Segn Comstock&Co la lubricacin con microesferas de polmeros produce una reduccin del coeficiente de friccin del 70 %. En Suecia se investigaron los coeficientes de friccin entre diferentes conductos (concreto, fibras de vidrio, fibrocemento, plstico y PVC) y lubricantes apropiados. Se obtuvieron mejoras del 50 % con grasa parafinadas y del 75 % con bentonita y glicol etileno. Los valores obtenidos se modifican con la temperatura, cantidad de lubricante, dimetro y material de la cubierta del cable as como su rigidez.
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EL TENDIDO. Fundamentalmente el tendido de cables se efecta a mano, aunque se han diseado mquinas neumticas controladas por microprocesador para ayudar al tendido. Ver por ejemplo la fotografa anexa de una mquina Plumett. Para la instalacin se requiere de la comunicacin entre cmaras, pudiendo ser realizadas mediante radiocomunicaciones o con un canal auxiliar. El par auxiliar de cobre no se lo utiliza desde mediados de la dcada de los 80; en los aos 90 se introdujo el uso de un telfono ptico que utiliza una FO vacante del cable para una comunicacin vocal analgica. En los primeros aos se han hecho pruebas y correcciones en la instalacin. Por ejemplo, en 1980 en Mxico D.F. se instal un cable ptico de 7,6 km de longitud. El cable, que no tena proteccin exterior ya que era totalmente dielctrico, fue atacado por roedores. Se inyect aire caliente para ahuyentarlos de los conductos y luego se los sell. Ante nuevos ataques en las cmaras en lugar del conducto se reemplaz el cable por otro con una vaina de acero. Existen diversas opiniones con respecto a la identificacin exterior de los cables. Algunos proponen sealarlos con pintura exterior para indicar su importancia, mientras que otros piensan que esto puede facilitar los actos vandlicos o de sabotaje. Tngase presente la costumbre del robo de cables de cobre para recuperacin de la materia prima. En la mayora de los casos se adopt el criterio de ubicar los cables en lugares aislados de las cmaras, generalmente lo ms elevado y sin pintura exterior. Para los cables instalados en tneles es conveniente suministrarle un soporte plano y continuo al cable de FO para evitar compresiones localizadas o deformaciones en los puntos de soporte. En los edificios el recorrido es ms tortuoso que en los conductos, por ello el cable ser ms flexible y robusto, debiendo estar diseado para soportar subidas verticales prolongadas sin afectar a las FO. Se prefiere el recubrimiento adherente en este caso. Tambin existe preferencia por la cubierta exterior de PVC o materiales no-algenos. TIEMPOS DE INSTALACIN. Como ejemplo se realiza una comparacin en lo referente a los tiempos de instalacin (en unidades de horas/hombre) de un cable de 10 km de longitud. Se toma un cable multipar de 1200 pares de conductores de cobre de 0,4 mm, un cable coaxial de 6 tubos de 2,6-9,5 mm de dimetro y un cable con 8 FO. Las hiptesis de tiempo de trabajo son (Tabla 01): -Se toman longitudes de tramos de cable tpicos; -Los grupos de instalacin son de 6 personas y 7 horas de trabajo (un tramo por turno); -Los grupos de empalme se consideran de 3 personas y 7 hs de trabajo; -Luego resulta en, 2 turnos por empalme para multipar y un turno por empalme para coaxial y FO. Tabla 01: Comparacin de instalacin de cables respecto a las fibras pticas. Dimetro Tramo Peso kg/km Capacidad Instalacin 70mm 200m 5900kg/km 1200 canal 2100hs/h 55mm 300m 2100kg/km 8100 1400hs/h 25mm 800m 510kg/km 30000 500hs/h
Se observa que el tiempo de instalacin del cable y los empalmes es menor en los cables con FO que en los cables convencionales. Una nueva ventaja que se suma a las dems ya mencionadas antes. 1.2- DIGRESIN: INSTALACIN CIDIBA-1980 Tan slo como ejemplo se dan los datos ms importantes del proyecto CIDIBA en Buenos Aires-Argentina en lo que respecta al sistema de transmisin por fibras pticas. Fue licitado en octubre de 1979 y contratado en marzo de 1980 (el primer gran proyecto con FO en Argentina). Los cables fueron instalados entre octubre de 1980 y noviembre de 1981. La red es una combinacin estrella-malla que ocupa 548 sistemas de 34 Mb/s y 340 sistemas de 140 Mb/s. Las longitudes mximas entre repetidores son de 11,9 y 11,5 km respectivamente. Son 64 rutas con 340 km de cable y 7845 km de FO. Los cables tienen entre 8 y 60 FO. Existen 517 cajas de empalme de FO realizada la unin por el mtodo de fusin por arco elctrico (atenuacin media de 0,15 dB y mxima de 0,22 dB). El promedio de longitud entre empalmes es de 770 m. El manipuleo e instalacin de cables con FO para el Cidiba sufri pocas modificaciones con respecto al mtodo empleado en cables convencionales. Las pocas diferencias incluyen el uso de traccin manual aprovechando el bajo peso del cable y la reserva de algunos metros de cable en las cmaras intermedias. En los preparativos previos para la instalacin del cable por los conductos urbanos se realizaron las siguientes acciones: -Inspeccin de cmaras y conductos para comprobar la presencia de gases nocivos y aguas estancadas. -Se ventilan los gases y se drenan las aguas. -Verificacin de la presin del gas dentro del cable antes del tendido con lo que se comprueban daos en la cubierta. -Implementacin de medidas de seguridad como ser las seales de precaucin. -Instalacin de un alambre de acero galvanizado de 4 mm de dimetro como elemento de traccin. -Se efecta la limpieza del interior del conducto con un cepillo de alambre y trapos unidos al alambre.
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-Atenuador. -Acopladores.
-Circulador ptico
-Aislador.
-Filtro ptico. -WDM -Lente Grin Rod -Modulador ptico -Amplificador ptico
1.2- DESCRIPCION DE COMPONENTES OPTICOS 1-TUBO TERMOCONTRAIBLE. El mtodo tradicional de empalme para fibras pticas recurre a la unin mediante tensin superficial catalizada mediante el calentamiento por arco elctrico. Para esta operacin se utilizan tubos de plstico termocontraibles. Se trata de una camisa protectora que contiene 3 elementos. Un miembro de traccin de acero inoxidable de 50 mm de largo otorga la resistencia transversal necesaria para evitar stress al empalme. Un tubo interior repone las caractersticas de proteccin originales contra la humedad a la superficie de la fibra ptica. Un tubo exterior
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Fig 01. Conectores SC (izquierda) y FC (derecha). -SC. Sigue la norma americana de la Bell, sin partes metlicas. Las dimensiones estn de acuerdo con la norma EN 186000 A. El casquillo (Ferrule) utilizado en los conectores FC y SC es el mismo. El material utilizado es la zirconia con un dimetro exterior de 2,499 mm (tolerancia 0,5%). Se admite un desvo de la forma cilndrica, de la rugosidad de la superficie
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El splitter o coupler se encuentra disponible en distintas longitudes de onda para segunda y tercera ventana (1310 y 1550 nm). Se obtiene una atenuacin uniforme en un amplio ancho de banda, inferior a 0,2 dB en una banda de 100 nm. La estructura de puertas es NxM (nmero de entrada y nmero de salida). Una configuracin til para derivaciones y control es la 1x2. En aplicaciones de CATV se utiliza la estructura 1xN para efectuar derivaciones de seal de vdeo. Debido a los parmetros de tpicos de prdida de insercin los coupler se clasifican en Premium, Grade A y Grade B. En una configuracin 1x2 se puede realizar una relacin entre puertas de tipo 50/50 (igual potencia ptica en cada puerta), 40/60, 30/70, 20/80 y 10/90 (10% de potencia en una puerta y 90% en la otra). Puede realizarse una distribucin de potencia a solicitud del cliente. A continuacin se indican los valores para un splitter 1x2: 5-ROTADOR FARADAY. Este efecto fue descubierto por Faraday-1845. Seala la existencia de substancias y materiales capaces de rotar el plano de polarizacin de la luz polarizada en presencia de un campo magntico con una componente en la direccin de rotacin. Este diseo permite realizar varios de los componentes bajo estudio, como ser: aislador, circulador, switch ptico, etc. Se realiza mediante dos tecnologas: mono-cristal YIG (Y3 Fe5 O12) que es un material magneto-ptico o mediante un thick-film producido por crecimiento epitaxial en fase lquida LPE (Liquid Phase Epitaxy) de (Tb Bi)3 (Al Fe)5 O12. 6-DWDM (Dense Wavelength Division Multiplexing). Esta tcnica de multiplexacin permite transmitir varias longitudes de onda por la misma FO. Es un mtodo varias veces propuesto en la historia de los ltimos 20 aos, a fines de los aos 90 ha tomado un nuevo impulso. Este impulso esta dado por las dificultades tecnolgicas para llegar a 10 Gb/s en la estructura SDH y la posibilidad de hacerlo mediante 4x2,5 Gb/s en DWDM (ver la Fig 02). El ITU-T ha definido dos bandas de longitudes de onda denominadas banda-C entre 1525-1565 nm y banda-L entre 1570 y 1600 nm. Los DWDM son componentes del tipo NxM (N entradas y M salidas) que puede ser utilizado para cross-connects de longitud de onda y multiplexacin add-drop. Fig 02. Imagen de la pantalla de un medidor DWDM.
Los mdulo DWM se construyen con 3 tipos de tcnicas: Filtro dielctrico, AWG y ranuras de Bragg. -Filtro dielctrico: Es un film depositado sobre el substrato de vidrio. Deja pasar una solo longitud de onda desde el WDM. Las reflejadas pueden ser vueltas a filtrar hasta separar todas las longitudes de onda. Las tcnicas de film convensionales aplican ZnS (sulfuro de zinc) o criolita como depsitos para disear una cavidad Fabry-Perot. -AWG (Arrayed Waveguide Grating) se trata de un substrato de Silicio sobre el que se dibujan las guas de ondas (una por cada FO de entrada) progresivamente de longitud mayor. Las mismas se encuentran estranguladas en 2 puntos donde se realiza la focalizacin entre distintas longitudes de onda. Se crea as un diagrama de interferencia en la puerta de salida. -Filtro del tipo Bragg Grating. En esta tcnica la realimentacin se provee por la perturbacin peridica geomtrica a lo largo de la cavidad. El perodo de las ranuras es T=/2.n. La longitud de onda se toma en el vaco y n es el ndice de refraccin. Estas ranuras actan como espejos para la longitud de onda calculada y son transparentes para las dems.
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2- EMPALMES DE FUSION
2.1- ATENUACION EN EMPALMES Las uniones entre FO producen una atenuacin de valores pequeos pero que acumulados en varios kilmetros de trayecto puede ser una limitacin importante en la longitud del enlace. Por ejemplo, en 1,55 m se producen FO de 0,25 dB/km, la atenuacin del empalme es inferior a 0,10 dB, lo cual indica valores comparables de atenuacin de la FO y los empalmes. Deber cuidarse tanto la FO como el empalme de ellas. La atenuacin en los empalmes tiene dos orgenes: -Extrnsecos al sistema de unin (desplazamiento transversales, axiales y longitudinales, reflexin en los extremos) -Intrnsecos (desadaptacin de ndice de refraccin, de la apertura numrica, del perfil de ndice, del dimetro, etc.). En la Fig 03 se resumen las atenuaciones tpicas entre FO para distintas condiciones de ensayo. -Separacin longitudinal s (referido al radio R): -Separacin transversal e (referido al radio R): -Separacin angular respecto del eje de alineamiento: -Separacin angular del corte respecto de la perpendicular: -Rugosidad r normalizada respecto de la longitud de onda: -Diferencia de radios R1 y R2 respecto de (R1+R2)/2=R: -Diferencia apertura AN1 y AN2 respecto (AN1+AN2)/2: -Diferencia de circularidad c normalizada a radio R: -Prdida por reflexin de Fresnell: 0,5<s/R<1 0,1<e/R<0,2 0,5<<2 0,2<<2 0,2<r/<2 R/R<0,1 /AN<0,05 c/R<0,05 0,2<dB<0,4 0,2<dB<0,8 0,05<dB<0,5 0,01<dB<0,2 0,01<dB<0,3 dB<0,7 dB<0,4 dB<0,1 0,3<dB<0,38
Fig 03. Atenuaciones de los empalmes de fusin o conectores. Los empalmes pueden clasificarse segn la forma de realizacin en: soldadura por fusin, unin mecnica o adhesiva. Dentro de cada tipo hay varias formas segn el fabricante. Se debe considerar una amplia gama de caractersticas en la eleccin del mtodo apropiado de unin, como ser:
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-Empalme pasivo (FO con FO) o activo (FO con semiconductor) -Empalme simple o mltiple -Empalme fijo o desmontable 2.2- EMPALME POR FUSIN Se considerarn las condiciones de trabajo para el empalme: acceso a fuentes de energa, complejidad y capacitacin del personal, herramientas y repuestos necesarios, etc. Diferentes fuentes de calor se han usado: la resistencia elctrica, el Lser de CO2, la microllama de oxgeno-propano, el arco elctrico, etc. En la mayora de los casos se usa el arco elctrico que permite una buena distribucin de calor y es fcilmente controlable. Donde no existe energa elctrica, existen mquinas con bateras para tal fin o puede recurrirse a la microllama que requiere de pequeos tanques de gas. Una mquina empalme de fusin dispone de los siguientes componentes: -Panel de control y display. Para modificar los parmetros del Splicing. -Caja de embalaje. Permite acomodar los componentes usados durante la operacin. -Cleaver. Permite el corte de la fibra ptica en forma perpendicular y plana. -Sistema de control de energa. Dispone de batera recargable para aplicaciones en lugares sin alimentacin de red. -Proteccin del empalme. Se trata de un tubo termocontraible de silicona vulcanizable. -Electrodos. Forma el arco elctrico para el calentamiento de las fibras pticas. -V:grooves. Estas ranuras en V permite alinear las FO una frente a la otra. -Sistema de alineamiento automtico mediante inyeccin de luz para optimizar el alineamiento del ncleo. METODO DE EMPALME DE FUSION. Para el empalme por el mtodo de fusin los pasos a seguir son: a- Limpieza y corte de la fibra ptica. Para realizar el empalme se deben retirar los recubrimientos de las FO. En general el recubrimiento secundario se extrae mecnicamente mediante una pinza de corte controlado. El recubrimiento primario se quita qumicamente embebiendo una gasa en acetona (CH3-CO-CH3) y limpiando el extremo de la FO hasta extraer todo el acrilato. Los extremos de la FO una vez limpios deben ser cortados. La operacin consiste en marcar el extremo de la FO con una hoja cortante para producir una microfractura y mediante una tensin axial se produce el corte perpendicular. Existen varios tipos de herramientas que permiten efectuar ambas operaciones de corte mecnicamente. b- Prefusin y fusin de la interfaz. En el caso de la unin por fusin, la operacin contina con el alineamiento de los extremos en la mquina de empalmar. En la Fig 03 se observa que consiste en una doble ranura en V donde se colocan las FO. La prefusin es un breve calentamiento de los extremos sin entrar en contacto, lo que permite redondear el corte y evitar la formacin de burbujas de aire en la unin. La fusin se realiza durante un tiempo ms prolongado y con una presin axial para evitar el estrangulamiento del material en la interfaz. La temperatura en esta zona debe ser suficiente para lograr reducir la viscosidad y permitir la autoalineacin por tensin superficial de los ncleos. El tiempo de duracin de la descarga depende de la temperatura que se alcance en la juntura. Por ejemplo, para una T= 2000C se tiene una duracin del arco de t= 3,5 seg (como referencia la temperatura de la superficie del Sol es de 5550C). Los distintos tiempos del ejemplo se muestran en la Fig 03. Obsrvese que luego de un tiempo t1 se produce una compresin para evitar el estrangulamiento, mientras que antes se desarrollaba la prefusin. c- Verificacin de la calidad. La verificacin consta de dos pasos. Por un lado, la prueba de traccin sobre el empalme que se efecta mediante una pesa de 250 gr. Por otro lado, se prueba la atenuacin. Esta medida se realiza por el mtodo reflectomtrico OTDR. El personal necesario para esta operacin tiene un mnimo de 2 operarios (uno empalmando y otro midiendo con el OTDR). El tiempo requerido para efectuar el empalme del cable puede resultar demasiado largo cuando el nmero de FO es elevado. d- Proteccin del empalme. La proteccin del empalme se efecta para restablecer el recubrimiento primario de la FO. Algunas empresas usan una resina epoxi que se endurece ocupando ambas funciones. En otros casos se us un mango termocontrable (fotografa anexa en la lmina) con un gel copolmero (etileno vinil acetato) como proteccin primaria. Dispone adems de un alambre de acero como proteccin mecnica ms una capa exterior cilndrica de nylon como proteccin secundaria. Debe tenerse cuidado en la compactacin del termocontraible pues la contraccin y la expansin trmica de la manga puede transferirse directamente a la FO ocasionando un aumento de la atenuacin. CAJAS DE EMPALMES. La caja del empalme debe cumplir con variadas caractersticas, muchas de ellas comunes a los cables convencionales: debe restablecer la continuidad de la cubierta, proveer de conexin a tierra para los elementos metlicos y permitir la continuidad neumtica en cables presurizados siendo hermtica para el aire comprimido, proporcionar una proteccin a las uniones de FO con la organizacin y almacenamiento adecuado y permitir un fcil acceso a su interior. Un aspecto particular a considerar es la necesidad de acomodar un largo adicional de FO para futuras reparaciones en el interior de la caja. La distribucin de la FO queda determinada por la forma de la caja. Existen cajas de empalmes lineales (los cables entran por ambos extremos) y plegadas (los extremos de los cables entran por el mismo lado de la caja). La FO se
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LAMINA COMPONENTES OPTICOS. En la parte superior se muestra el despiece interno del conector SC, Europa-2000 y FC. Por otro lado se tiene un distribuidor de conectores (Patch-Panel) y atenuadores pticos. Los conectores estn construidos mediante un cuerpo principal de plstico o metlico y una ferrula central. Esta ferrula, generalmente de zirconia, posee un hueco por donde se ingresa la FO para su armado. El armado de conectores con FO multimodo se realiza en campo, en tanto que con FO monomodo requiere del armado en fbrica para obtener ptimas prestaciones. Debajo se muestra el proceso de empalme de fusin. La empalmeadora y un detalle del arco elctrico y el manguito termocontraible que restituye el recubrimiento de la fibra pticas para proteccin contra la humedad y la traccin.
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La supervisin del estado de los cables con FO se sustenta en varias alternativas. En primer lugar si el cable est presurizado cualquier deterioro del mismo producir una prdida de presin de gas lo cual se detecta por los medios convencionales midiendo la presin en las cajas de empalme. En la dcada de los aos 80 en el Cidiba en Buenos Aires se dispuso de una alarma cuando la bomba de inyeccin de aire seco detecta una fuga de presin. En el proyecto COS-2 en Italia no se us presurizacin y se solucion colocando un par de conductores metlicos sin aislar (desnudos) para detectar la penetracin de humedad. En el Brasil se opt por la presurizacin y la colocacin de detectores de presin en los empalmes unidos a un centro de alarmas mediante un par de Cu. Los cables de Siecor usados en USA pueden llevar a un cable adicional de Cu para circuitos de servicios tcnicos, telemedidas y supervisin de la presin del gas. Hasta 1981 el 70% de los cables con FO era presurizado y el resto aireado o relleno. Hoy da los cables rellenos son amplia mayora. Otro es el caso cuando el deterioro afecta a la FO solamente. En tal caso la falla puede detectarse mediante 2 mtodos. El mtodo de reflexin de Fresnel enva impulsos de luz a lo largo de la FO y detecta la luz reflejada en el extremo que retorna al emisor. 3.2- REFLECTMETRO PTICO EN EL DOMINIO DEL TIEMPO ). Cuando una onda EH incide sobre una inhomogeneidad, la energa interferente se transforma en una onda esfrica. Una parte de la energa se encuentra dentro del cono de aceptacin de luz (apertura numrica) en el sentido progresivo y otra en el sentido regresivo (retrodifusin) y el resto se pierde por difraccin. Se denomina espaciamiento o dispersin de Rayleigh. El mtodo OTDR consiste en introducir un impulso de luz en la FO y observar las condiciones de retorno de energa. En los conductores metlicos se usa el mtodo reflectomtrico que es similar al descrito pero se inyecta un impulso de corriente y se mide el eco. Sin embargo, como el conductor tiene gran distorsin de amplitud y fase se traduce en una deformacin del impulso y una menor precisin. El diagrama obtenido con el mtodo OTDR consiste en varios puntos de inters. En el extremo de la FO la reflexin (Fresnel) es parcial pudiendo llegar a ser nula si existe un adaptador de ndice de refraccin. En el conductor metlico, en cambio, la corriente se refleja completamente desde el punto de vista terico con una inversin de fase si existe un cortocircuito. Por otro lado, la retrodifusin produce informacin a lo largo de toda la FO lo cual permite hacer un diagnstico general del cable a lo largo de toda su longitud. La imagen en el OTDR tendr una cada exponencial, con picos en los extremos. La fuente de luz usada es un Lser alimentado con un generador de impulsos de por ejemplo 40 ns (FHWH al 50% de altura) y repetidos cada 333 s. Se coloca un acoplador direccional que permite inyectar luz del lser a la FO y dirigir la recepcin del extremo de la FO al diodo detector APD. Esta seal es promediada y visualizada en el osciloscopio. Un anlisis matemtico del problema indica que la potencia retrodifusa Ps que se tiene en la entrada (L= 0 mts) se calcula mediante la relacin Ps= 2,2.10-6.Po. La potencia Ps est cerca de 57 dB por debajo de la potencia Po incidente. Por ello
1 ) El mtodo Reflectomtrico Optico en el Dominio del Tiempo OTDR fue sugerido por Barnosky-1976. Se basa en los anteriores conceptos de Sonar (Sound Navigation and Ranging, propuesto por Langevin-1917) y Radar (Radio Detection and Ranging, propuesto Watson y Watt-1935). El mtodo reflectomtrico se especifica en IEC 793-1-C1A. 1
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Fig 01. Diagrama de bandas del semiconductor directo e indirecto. 1.1- TRANSICIONES ENTRE NIVELES DE ENERGA 1-Transicin banda-banda: El electrn de la BC se recombina con una laguna (hueco o vacante electrnica) de la BV. Como resultado del salto la energa se emite en forma de un fotn (partcula asociada a la energa electromagntica). La longitud de onda del fotn se expresa mediante la ecuacin de Planck-1905: E = h.c/. Donde E es el salto de energa; h la constante de Planck; c la velocidad de la luz en el vaco y la longitud de onda del fotn de luz. 2-Transicin entre niveles: El caso anterior ocurre en un semiconductor intrnseco; cuando se disponen de dopantes (aceptores o donores) aparecen niveles intermedios de energa. Se tienen combinaciones de electrones del semiconductor con
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II B M C S
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TABLA PERIODICA. El nmero total de protones y neutrones en el ncleo del tomo determina el Peso Atmico. Los electrones se colocan en capas con un nmero mximo de 2, 8 y 18 electrones en las 3 primeras capas (obsrvese la estructura de filas de la Tabla). El tomo de Helio, que tiene dos protones y dos electrones, es qumicamente estable. Por esta razn no reacciona como el Hidrgeno (el dirigible Hindenburg que estall en llamas en 1937 llevaba H, luego se cambi por He). Los primeros Lser de nitruro de Galio (GaN) datan de 1993 denominados lser azules pues trabajan a 400 nm. La principal aplicacin se estima en lectores de CD-ROM y vdeo-discos. Permiten almacenar 4 veces ms informacin debido a la reducido de la longitud de onda. Tambin se espera usar el material en amplificadores de telefona celular satelital ya que permiten una mayor potencia que el AsGa (1 watt/mm) para frecuencias de 10 GHz.
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Fig 02. Diagrama de bandas para junturas entre semiconductores. 1-Diagrama de bandas del semiconductor. Se indican los niveles correspondientes a la separacin entre Bandas de Conduccin, Prohibida y de Valencia. El nivel de Fermi Fo es el nivel medio de probabilidad de ocupacin de los electrones. En equilibrio trmico la probabilidad de ocupacin de algn estado de energa E est descrito por la distribucin de densidad de probabilidad de Fermi-Dirac, cuya expresin es: f = (1 + exp(e-Fo/K.T))-1 donde k es la constante de Boltzman y T la temperatura en grados Kelvin. Si E=Fo el valor de f es 0,5 es decir el nivel medio de probabilidad de ocupacin. 2-Diagrama de probabilidad de Fermi-Dirac. Se indica el nivel de energa de Fermi Fo cuando f=0,5. 3-Concentracin de electrones. Debido a la distribucin del punto anterior la mayora de los electrones estn en la BV, sin embargo a temperatura ambiente existen electrones en la BC y lagunas en la BV debido a la agitacin trmica. No existen electrones en la BP. En 0 K no tenemos electrones en la BC estando todos ellos ligados al ncleo en la BV. 4-Diagrama de bandas en semiconductores dopados tipo P y N. Con el propsito de tener abundancia de electrones en la BC y de lagunas en la BV se recurre a los semiconductores dopados tipos P y N. En el N existen tomos donores (con exceso de electrones) que corren el nivel de Fermi hacia la BC creando un nivel Fc. En el tipo P se colocan tomos aceptores (con exceso de lagunas) que corren al nivel Fo hacia la BV creando el nivel Fv. 5-Diagrama de probabilidades de Fermi-Dirac. Cada cuasinivel de Fermi indica el exceso de electrones o lagunas.
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6-Concentracin de electrones a 0K. En un material tipo N existen electrones en exceso en la BC y en el tipo P exceso de lagunas en la BV, combinando ambos materiales, es decir formando una juntura PN, se logran simultneamente ambas condiciones. Una distribucin de portadores por el estilo se denomina poblacin invertida; la misma ocurre cuando Fc-Fv es mayor que BC-BV. 7-Concentracin a temperatura ambiente. Se caracteriza por una distribucin estadstica de los electrones en lugar de ser predecible como en el caso anterior. Para incentivar la emisin de luz se debe lograr que existan portadores en exceso para aumentar las transiciones radiactivas. Para ello se forma una juntura PN. En la Fig 02 se sigue el orden de anlisis: En el diagrama de niveles para la juntura PN se observa que en la juntura se alinean los niveles de Fermi Fc y Fv. Mientras en los semiconductores aislados se alinean los niveles de BC y BV, cuando estn en contacto formando una juntura se alinean los niveles Fc y Fv. En esta condicin, en la juntura hay exceso de lagunas y electrones aportados por los semiconductores tipo P y N respectivamente. En el diagrama de niveles con la juntura en polarizacin directa se modifican los valores de energa para que los electrones tengan mayor energa que las lagunas. En la juntura conviven los dos cuasi-niveles de Fermi Fv-Fc. La transicin es radioactiva y la alimentacin en directa de ella permite el aporte de lagunas y electrones desde la fuente a la juntura con lo que se mantiene la poblacin de portadores y la emisin de luz. En principio una juntura simple como la mostrada es suficiente para la emisin continua de luz. La performance es mejorada substancialmente si se crea una juntura mltiple de varias capas (heteroestructura). La emisin en una estructura simple es casi esfrica reducindose la luz acoplada a la fibra ptica. Para obtener una emisin concentrada en una direccin se recurre a la heteroestructura. En 1968 se tena desarrollada una estructura bastante eficiente en la primer ventana y ya en 1972 estaba desarrollada la estructura mltiple actual. En el ejemplo de la Fig 02 tienen 5 capas siendo la central la zona de juntura donde se produce la emisin de luz. Las capas aledaas actan para el confinamiento de la emisin. La capa inferior es el sustrato donde se crecen las otras capas; desde el sustrato hasta la capa superior el tipo de material se modifica. As para 0,85 m se tienen AsGa, GaAl, As, AsGa, GaAlAs, AsGa; en cambio, para longitudes de onda largas 1,3 m tenemos: InGaAs, InP, InGaAsP, InP, InP. El confinamiento de la emisin en la juntura se logra con la heteroestructura y se recurre a dos estrategias (Fig 02): -Por un lado, se hace incrementar el ndice de refraccin hacia la juntura para producir reflexin total como en el ncleo de las fibras pticas; por otro lado, la separacin entre BC y BV se reduce al valor adecuado a la longitud de onda deseada en la zona de juntura y se incrementa en las zonas aledaas. -Por otro lado, la segunda estrategia se permite que los portadores emitan slo en la zona de juntura, se impide de tal manera la absorcin de luz fuera de dicha zona de juntura. Si el confinamiento es eficiente se permite lograr la densidad de fotones necesaria para la emisin estimulada, lo cual da lugar a la emisin monocromtica coherente efecto Lser. Un Diodo Emisor de Luz LED tiene una estructura tal que no logra el umbral de concentracin necesario para la emisin estimulada por lo que la eficiencia cuntica externa puede ser muy baja. Se define eficiencia cuntica externa a la relacin entre la potencia ptica de salida y la potencia elctrica de entrada. Esto se debe a que el ndice de refraccin del semiconductor es elevado (3,4 para el InP y 3,6 para el AsGa) y el ngulo crtico (Apertura Numrica) para la extraccin de la emisin es pequeo. Cuando se incrementa el nmero de portadores inyectados (1018 cm-3) comienza la emisin Lser.
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De acuerdo con la Fig 03 se tienen los siguientes tipos de Lser semiconductor para comunicaciones: 1-Lser de franja aislado por xido. Consiste en una estructura mltiple de capas donde el contacto metlico superior se encuentra aislado por SiO2 o Al2O3. Este contacto con el semiconductor ocupa una franja de 3 a 20 m de ancho y se extiende a lo largo de la cavidad. La corriente circula desde esta franja hacia el contacto de la base, dispersndose. Se requiere un alto confinamiento para producir una elevada concentracin de fotones y lograr la emisin estimulada. El alto ndice de refraccin del semiconductor asegura una reflexin del 30% en los extremos lo que es suficiente para asegurar la realimentacin interna y mantener la emisin estimulada. La emisin de luz es a lo largo de la juntura (emisin axial). 2-Lser de franja aislado por protn. Para lograr un efecto de circulacin de corriente similar al caso anterior se bombardea con protones de alta energa la superficie del material, protegiendo la franja activa con una mscara. Los protones incrementan la resistividad del semiconductor. Esta tcnica es ms precisa y mejora el resultado respecto a la anterior. 3-Lser con sustrato en canal. En este caso se crea un canal en el sustrato que por el salto de ndice de refraccin confina la zona de emisin. 4-Lser con ranura de Bragg. En esta tcnica la realimentacin se provee por la perturbacin peridica geomtrica a lo largo de la cavidad, perdiendo importancia la reflectividad en las caras. El perodo de las ranuras es T=/2.n. La longitud de onda se toma en el vaco y n es el ndice de refraccin. Con n=3,6 y =800 nm se tiene un valor de T=111 nm. Estas ranuras actan como espejos para la longitud de onda calculada y son transparentes para las dems. Puede pensarse en dos
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Fig 04. Caractersticas elctricas de los emisores pticos. La Popt es reducida mientras la I no es suficiente para lograr la densidad de portadores necesarios para la emisin estimulada. Ms all de un valor de I denominado corriente umbral Ith se logra la emisin estimulada y la Popt aumenta rpidamente. La Ith se define como la I obtenida por la prolongacin de una recta imaginaria proveniente de la linealizacin de la curva hasta el eje. Cuando la I es inferior a la Ith no existe emisin estimulada slo hay la emisin espontnea como en el Led; cuando I es superior a Ith existe emisin estimulada. Para valores muy elevados de corriente I se produce una oscilacin regenerativa que aplana la curva. El Lser se usar con I mayores a Ith y antes de la zona de oscilacin, es decir en la zona recta. En los Lser se produce un corrimiento de la curva con el incremento de la temperatura y con el envejecimiento del componente. El incremento es exponencial: Ith2 = Ith1.exp(T2-T1/T0) El valor de T0 para los Lser de AsGaAl est comprendido entre 150 y 250 C y para los de PAsInGa entre 50 y 70 C. El valor de T es la temperatura de juntura. Esto corresponde a un incremento de la corriente umbral de 0,6 a 1%/C y de 1,2 a 2 %/C respectivamente. La elevada sensibilidad a la temperatura se debe al incremento de las recombinaciones no radiactivas entre bandas del semiconductor. Este corrimiento de las curvas implica que con variaciones de temperatura se produce, a corriente constante, una variacin de la potencia de salida, lo cual debe evitarse. Este aspecto ser ampliado al estudiar la polarizacin de los emisores.
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Se observa que si bien los Lser tienen una mayor potencia ptica de salida la gran diferencia con los Led es que la atenuacin de acoplamiento a la fibra ptica en el Lser es mucho menor. Tambin es menor el ancho espectral de emisin y se puede modular con anchos de banda mayores. Sin embargo, los Led pueden modularse con seales analgicas adems de digitales y tienen un perodo de vida mayor. Los Lser son interesantes cuando se usan acompaando a FO monomodo por el reducido ancho espectral, lo cual tiene relacin con la dispersin cromtica y por ello con el ancho de banda del sistema. Si modulamos el Lser con una seal digital cuya corriente de excitacin tiene la mxima excursin (desde cero al mximo en la zona de linealidad) se tiene que el emisor pasa de la emisin espontnea a la estimulada y el espectro de emisin se modifica substancialmente. Un impulso de luz tendr entonces un rgimen transitorio (si el Lser no se polariza por encima de la Ith) en lo que respecta a la emisin espectral, la cual limita el ancho de banda de modulacin. 4.1- CIRCUITO DE POLARIZACIN Los Lser requieren una corriente de polarizacin Ipol sobre la Ith. Como la Ith se incrementa con el crecimiento de la temperatura y envejecimiento debe realizarse un control de la polarizacin. Un esquema en bloques tpico se muestra en la Fig 05. Un detector de luz APD o PIN se coloca en la cara trasera del Lser de forma de obtener una parte de la energa de salida. La seal detectada por el APD es promediada a largo plazo (filtro pasabajos) y comparada con el promedio a largo plazo de la seal digital. De esta forma se realiza un control sobre la potencia de salida modificando la corriente de polarizacin del Lser a fin de mantener la Potencia ptica constante. Por otro lado, las variaciones a corto plazo de la Popt debida a la seal digital transmitida se elimina con el filtrado. Por ltimo, se tiene un ajuste manual de la corriente de polarizacin. El circuito de realimentacin es negativo incrementado la I cuando baja la Popt. En la medida que el Lser envejece se incrementa la Ipol y se obtiene una alarma previa a la degradacin definitiva (ajustada al doble de la corriente inicial). Debido a la necesidad de la realimentacin el encapsulado del Lser debe prever el detector de luz. Existen 3 tipos generales de encapsulado; solo el ltimo es usado en telecomunicaciones: -El emisor libre donde se debe enfrentar la FO al emisor, en este caso la Popt de salida es elevada pero la atenuacin de acoplamiento tambin lo es. Por ejemplo, el Lser emite en esta condicin 8 mw. -Emisor con lente donde el encapsulado incluye una lente que concentra la luz en la FO, teniendo adems un orificio por donde se introduce la FO para mayor precisin. En tal caso la potencia medida en la salida es, por ejemplo, de 6 mw ya que se incluye la atenuacin de acoplamiento al lente. -Emisor con Pig Tail (cola de FO) donde el encapsulado (realizado en fbrica) enfrenta y une slidamente la FO al emisor. En tal caso el acoplamiento ya est hecho y la Popt medida es de 2,5 mw. En la Fig 05 se muestra el encapsulado con lente usado en algunas pocas oportunidades (hasta 1985). En la misma figura se muestra la conexin con Pig Tail (la ms popular en los aos '90). Obsrvese que el Lser se une a la FO y que se tiene un termistor (resistencia variable con la temperatura) para controlar la temperatura cercana al Lser. El mismo acta sobre una celda Peltier termoelctrica.
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Fig 01. Absorcin de luz y responsividad de los detectores de luz. La eleccin recae sobre los detectores cunticos fotoconductivos con semiconductores dopados. Las razones son: tienen el menor peso y tamao, son ms robustos que los tubos de vaco. Tienen estabilidad trmica y temporal. Su costo es reducido. 1 Tienen gran respuesta espectral, ms linealidad y velocidad de conmutacin ).
) Berzelius en 1817 descubri el Selenio y en 1954 se desarroll la primer celda fotoelctrica. Sin embargo, la eficiencia en la conversin de luz en electricidad del Selenio es del 1% y por ello se recurri al Germanio y Silicio.
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RECEPTOR DE ENLACE OPTICO 1.2- DETECTORES FOTODIODOS La eleccin del semiconductor adecuado para la longitud de onda se realiza mediante la respuesta espectral. En la Fig 01 se representa el coeficiente de absorcin en unidades de cm-1 para distintos semiconductores. La inversa del coeficiente es la longitud de penetracin de la radiacin en el material. Para lograr altas velocidades el valor de 1/ debe ser menor que 1 m. El Si tiene en la primer ventana 0,85 m un valor de 1/=10 m. Sin embargo, por el alto grado de conocimiento de este semiconductor se lo ha adoptado como detector en esta ventana. Fig 02. Esquema de los detectores PIN y APD para seales pticas.
RESPONSIVIDAD. Se denomina responsividad o factor de respuesta R a la relacin que existe entre la corriente I que entrega el fotodiodo al circuito elctrico y la potencia ptica P que recibe de aqul. En un amplio margen de dependencia la misma es lineal y se expresa como: R = I / P = (e.re)/(E.rf) = e../h.c donde e es la carga del electrn, E la energa del fotn, re y rf son el nmero promedio de electrones y fotones, la eficiencia cuntica (re/rf). El valor de R se aproxima por: R = 0,8.. si la longitud de onda se mide en m. Se observa que R aumenta con en forma lineal. Sin embargo, existe un valor de la longitud de onda donde los fotones tienen una energa E inferior al salto entre las bandas BC-BV. A partir de este punto los pares electrn-laguna generados por los fotones disminuyen rpidamente. En el Si la R se torna insignificante ms all de 1,1 m. Por ello debemos adoptar otros materiales para las longitudes de onda ms largas. Entre los materiales posibles se encuentra el Ge y InP. En el mejor de los casos (con =1) se tiene que un fotn genera un par electrn-laguna. En condiciones normales este par se vuelve a recombinar. Para separarlo y extraer una corriente del material es necesario disponer de una juntura PN con una polarizacin inversa de forma que slo hay corriente cuando incide luz. En la juntura existe una diferencia de potencial que separa al par.
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RECEPTOR DE ENLACE OPTICO En la Fig 02 se muestra las distintas formas de junturas. En una juntura simple PN los pares creados fuera de la zona de juntura se vuelven a recombinar. Para incrementar la zona de deteccin se coloca una capa intermedia levemente dopada o intrnseca constituyendo un diodo PIN. Si ahora se agrega una capa adicional altamente dopada se crea una elevada diferencia de potencial que produce una ganancia interna debido a una avalancha de electrones, dando lugar al fotodiodo por avalancha APD. FOTODIODO AVALANCHA. La elevada diferencia de potencial del APD permite que algunos electrones cedan parte de la energa para formar otros pares adicionales, lo cual se logra cuando el campo elctrico de la juntura supera los 3.105 V/cm. El proceso de multiplicacin por avalancha crea una ganancia interna M que es aleatoria. Desde el punto de vista elctrico del APD se comporta como un diodo ideal en paralelo con un generador de corriente proporcional a la luz incidente. Cuando llega a un valor de tensin de polarizacin inversa que crea un campo interno suficiente para iniciar la avalancha, se produce un aumento de la fotocorriente. La tensin necesaria es de 150 a 400 V en el Si y de 10 a 50 V en el Ge. Sin incidencia de luz se tiene una corriente residual de oscuridad, que resulta ser la suma producida por la difusin de portadores minoritarios generados trmicamente fuera de la zona de deplexin y la tunelizacin de electrones entre la BV y BC. En resumen se usarn el Si en 0,85 m; y el Ge o InP en 1,3 1,55 m y con dos estructuras posibles el PIN o APD. En general se usa la estructura APD para el Si y Ge y la estructura PIN para los derivados del InP. En el diodo PIN la velocidad de los portadores en un campo tpico de 2 V/m es de 84 m/ns para el electrn y de 44 m/ns para las lagunas. Para un ancho de carga espacial de 20 m, con 40 V de tensin externa el electrn lo recorre en 250 ps y la laguna en 500 ps; la luz es absorbida cerca de la juntura PI y las lagunas recorren por ello un camino menor. La eficiencia cuntica del diodo PIN es del 80%.
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Por ello con =1 se requieren 21 fotones por cada "uno" lgico para tener una tasa de error BER=10-9. Si consideramos los "ceros" y los "unos" equiprobables se tiene: Er = 10,5.Ef es decir, se requieren 10,5 fotones por cada bit de informacin. Este valor se denomina lmite cuntico de sensibilidad (potencia umbral) para las comunicaciones pticas digitales. Para las longitudes de onda usadas se tiene: =0,85 m implica una sensibilidad S=-146 dBm/bit/seg =1,3 m implica una sensibilidad S=-148 dBm/bit/seg =1,55 m implica una sensibilidad S=-148,7 dBm/bit/seg En la Fig 03 se muestran estos lmites expresados en unidades de dBm/Mb/s. La sensibilidad o potencia umbral del receptor es la mnima potencia ptica que asegura una determinada tasa de error. La misma disminuye con la velocidad de transmisin Vtx. En otras palabras, debemos aumentar la potencia de recepcin para mantener la misma BER. Es obvio que los valores prcticos estn por encima de los tericos. En la misma figura se indican los valores prcticos comerciales de equipos disponibles en el mercado.
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Fig 03. Caractersticas elctricas de los detectores pticos. CONCLUSIONES: -La sensibilidad se mide en presencia de ruido cuntico y trmico con un ancho de banda infinito. -Esto obliga a considerar los efectos de la limitacin de banda del sistema. -El gap tecnolgico entre el valor terico y el prctico para los detectores APD-Si es menor que en APD-Ge y PIN-InP. -Los valores prcticos se curvan hacia arriba para los valores de Vtx mayores a 100 Mb/s. -Por ejemplo para 622 Mb/s el valor terico es de -60 dBm y el valor prctico es menor a -35 dBm. Tambin es posible indicar un lmite cuntico para sistemas analgicos. Se ha probado que la salida posee una S/N: S/N = Pr/(2.Ef.B/) Por ejemplo, para tener una S/N de 50 dB (105 veces), con un ancho de banda de B=10 MHz trabajando a 1 m de longitud de onda, se requiere (con =1) Pr = 4.10-7 w = -34 dBm Algunos informes ubican los valores prcticos para S/N=50 dB en: S = -40+10.log AB con el AB en MHz
2.3- MODULACIN DE POTENCIA Y MODULACIN COHERENTE Digresin acerca del tipo de luz usada. El ancho espectral de los emisores se encuentra cercano a 1 nm para los Lser. Este ancho espectral para longitudes de onda en 1 m representa un ancho de banda de 3.1011 Hz. Es decir, mientras que el ancho de banda de las seales a transmitir llegan al orden de 2,5 GHz para los sistemas para SDH (Jerarqua Digital Sincrnica), el ancho de banda de la fuente emisora es de 300 GHz. Como se ve, aqu no existe el concepto tradicional de modulacin, no se distingue una portadora y una modulante. Se dice que es ms bien una modulacin de potencia de luz incoherente de baja monocromaticidad; resulta como la variacin del nivel de un espectro plano y continuo. Esto es un beneficio ya que el receptor no requiere una demodulacin sino slo un detector de potencia. Cuando el grado de monocromaticidad y el ancho de banda aumentan se debe recurrir a la demodulacin coherente (en actual desarrollo).
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RECEPTOR DE ENLACE OPTICO A continuacin se indican las expresiones que caracterizan a la modulacin de intensidad de luz y deteccin directa y a la modulacin coherente. En el primer caso el rendimiento cuntico es la relacin entre el nmero de electrones y el nmero de fotones: = Jph/e. donde Jph es la densidad de corriente fotoelctrica y e. la densidad de fotones. Si ahora usamos la potencia incidente Pr en la expresin se tiene: = Iph.h.v/e.Pr con v= c/
La responsividad segn ya se defini es la relacin entre la corriente elctrica de salida y la potencia incidente: R = e./h.v y Iph = R.Pr
Es el resultado bsico de la deteccin directa no-coherente. Ahora bien, para la deteccin coherente se combina la seal recibida Es con un oscilador local El. Como la potencia ptica es proporcional al cuadrado de la suma de la potencia recibida Pops y la local Popl se tiene que la corriente fotoelctrica es proporcional a: (Es.exp[j(st+s)]+El.exp[j(Lt+L)])2 lo que promediado resulta en: (Es2/2)+(El2/2)+Es.El.cos(FI.t+); El valor de la corriente ser entonces: Ihp = R.[Ps+Pl+2.(Ps.Pl)1/2.cos(FI.t+)] El cual se considera como resultado bsico de la deteccin coherente. 2.4- RUIDO DE MULTIPLICACIN POR AVALANCHA La ganancia interna del APD produce una amplificacin media M, pero por ser un proceso aleatorio la desviacin de M se la considera un ruido. El APD es como un amplificador que tiene una figura de ruido F dependiente de M. La F(M) se escribe como: F(M) = M2a donde a est entre 0,15 y 0,25 para el APD=Si y cerca de 0,5 para el APD-Ge. Se observa que F(M) aumenta ms rpidamente en el Ge que en el Si, por lo que se dice que el Ge es ms ruidoso que el Si. En los detectores APD tanto la seal como el ruido cuntico se incrementa con M2 en el valor de tensin cuadrtico medio. Pero para el ruido cuntico es F(M)=M2a. Para los APD adaptamos la expresin de S/N anterior de la siguiente manera: S/N = [I2.R2.M2] / ([4.k.T.AB.R.F]+[2.e.I.AB.R2.M2.F(M)]) Mientras la seal se incrementa con M2 el ruido cuntico lo hace con M2+2a. El ruido cuntico crece ms rpidamente que la seal. En la Fig 03 se muestra un ejemplo para un APD-Ge con un valor ptimo de M donde la S/N es mxima. Para un mejor anlisis se realiza un cambio de variable en la expresin anterior: y = I/2.e.AB y K = k.T.F/2.e.R.AB implica S/N = y2/(y.M2a+K.M-2) FI= S-L
En la Fig 03 se representa S/N como funcin de (M; y). Se muestran las lneas de cresta de Mptimo. Obsrvese que S/N vs M tiene dos asntotas de pendiente con distinto signo, lo cual determina el Mpt. Lo ms notable es que al incrementar M no se incrementa la S/N. El Mpt ocurre cuando la S/N es mxima: d(y.M2a+K.M-2)/dM = 0 luego Mpt = (K/a.y)1/2+2a En los APD-Si el valor de Mpt es cercano a 100 y en los APD-Ge a 10.
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2.5- OTROS RUIDOS E INTERFERENCIA INTERSMBOLO Ruido de oscuridad. Resulta de la interpretacin de la corriente de oscuridad como ruido. La misma es producida por fuga superficial de corriente y por la generacin y recombinacin de pares en la zona de juntura por razones trmicas. Por esta razn es conveniente controlar la temperatura del diodo. El valor del ruido es bajo y menor en el InP que en el Ge. Ruido modal. Al propagarse varios modos por la fibra ptica se produce un patrn de interferencia Speckle Patterns. Como existe la dispersin de los modos de propagacin el patrn no es estable, siendo sensible a variaciones del ndice de refraccin y curvaturas. Esta distribucin aleatoria se considera un ruido que en tanto el nmero de modos sea elevado es despreciable. El peor caso ocurre en las fibras pticas monomodo, debido a las dos polarizaciones ortogonales del modo y a la birefrigencia de la fibra ptica que produce condiciones de propagacin distintas para las dos polarizaciones y por lo tanto una dispersin. El patrn de interferencia puede modificarse entonces en forma dramtica. Para reducir este ruido es conveniente una fuente de ancho espectral elevado o fibras pticas con gran dispersin. Cuando se modula a un emisor Lser la potencia relativa entre los distintos modos de resonancia longitudinales vara dando lugar a la denominada "particin modal" que se interpreta tambin como ruido producido en este caso por el retardo de grupo entre distintas longitudes de onda. Interferencia intersmbolo. La sensibilidad se mide en dBm cuando no existe ISI, es decir cuando el ancho de banda es infinito. La ISI introduce una deformacin de la seal que incrementa la BER en presencia de ruido. Por ello cuando el ancho de banda de la fibra ptica es reducido se debe considerar un empeoramiento de la sensibilidad que se describe como una penalidad por ISI. El valor de Pisi se expresa en dB y se suma al valor de sensibilidad. En la Fig F5-03 se muestra Pisi vs Vtx/AB (relacin entre la velocidad de transmisin y el ancho de banda), para el uso de ecualizadores fijos (filtro coseno realzado) y autoadaptables. Cuando la banda de la fibra ptica AB es muy grande en el ecualizador adaptable la penalidad Pisi se reduce a cero; pero como el ecualizador fijo se disea para una banda cuya relacin Vtx/AB= 1,5 (con =0,5) en dicho punto la Pisi tiene un valor mnimo. En la misma figura se muestra la sensibilidad en un equipo comercial para 34 Mb/s, cdigo CMI, en primer ventana 0,85 m y BER= 10-9. El ecualizador fijo usado indica que con una relacin Vtx/B= 1,5 la Pisi es de 3 dB. El roll off del filtro es =1. En el equipo de 565 Mb/s o 622 Mb/s se puede considerar una penalidad de 2 dB debido al ruido de particin modal (producto del reparto de potencia entre los varios modos de emisin) que produce un cierre del diagrama de ojo horizontal como una fluctuacin de fase de alta frecuencia.
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Fig 04. Layout de detectores pticos. En la Fig 04 se muestran el encapsulado mediante una lente usado en el APD. Tambin se muestra el encapsulado tipo Pig tail. La principal dificultad del ensamblado es el enfoque de la FO con el detector. Se han ensayado diversas soluciones a tal fin. Cuando el diodo se coloca perpendicular a la FO, debe estar perpendicular al sustrato; esto crea capacidades parsitas que bajan el rendimiento del circuito hbrido PIN-FET. Una propuesta es guiar la luz con un microprisma desde la FO hasta el detector. Una resina epoxi impide la reflexin en la interfaz. En otros casos se coloca un pigtail de FO multimodo 50/125 para mejorar el acoplamiento y el APD perpendicular a la FO se encuentra separado del sustrato que contiene el amplificador de entrada.
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RECEPTOR DE ENLACE OPTICO LAMINA: CIRCUITO DETECTOR OPTICO. Un equipo de fibras pticas SDH, la unidad de transmisin y recepcin ptica y un detalle del detector.
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Sobre la ptica-integrada, los amplificadores pticos, los solitones y la DWDM.
La luz que se propaga en este material acumula un cambio de fase que puede expresarse mediante: = 2..n.L/ donde n es el cambio del ndice de refraccin, L la longitud del material donde se propaga la luz y la longitud de onda de sta. Con el propsito de usar este efecto correctamente se aplica el campo elctrico en forma perpendicular a la direccin de propagacin. Por lo tanto: = -.no3.r.V.(L/d). Con el objetivo de reducir el valor de tensin V se puede aumentar el cociente L/d. Sin embargo, ambos valores no son independientes ya que d est limitado por la difraccin a un mnimo: d (2.L./n)1/2 El material tpicamente usado en optoelectrnica es el cristal de LiNbO3 (Niobato de litio) conocido originalmente como Perovskita. Sobre el cual se difunde Ti con el propsito de obtener una gua de onda monomodo. El cristal tiene n=2,18; r=30.10-12 m/V lo cual produce un = con 50 V de campo elctrico. Con la correcta difusin de Ti se obtienen valores de tensin del orden de 1 V para un desfasaje . POLIAMIDA. Un material muy interesante para ptica integrada es el polmero de Poliamida. Los requerimientos que debe cumplir el polmero es: baja y estable prdida de insercin, estabilidad trmica y mecnica, actividad electroptica. La Poliamida se puede usar en filtros WDM, splitter de potencia, switch NxM para aplicaciones add-drop, moduladores y atenuadores. La comparacin de sus caractersticas son: Material Indice de refraccin Prdida de insercin Acoplamiento a la FO Max Frec de Modulacin Li Nb O3 2,14 0,5 dB/cm 2 dB 40 GHz Silicio 1,44 0,1 0,5 In P 3,4 3 7,5 20 Poliamida 0,2 0,5 100
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TABLA PERIODICA. El nmero total de protones y neutrones en el ncleo del tomo determina el Peso Atmico. Los electrones se colocan en capas con un nmero mximo de 2, 8 y 18 electrones en las 3 primeras capas (obsrvese la estructura de filas de la Tabla 01). El tomo de Helio, que tiene dos protones y dos electrones, es qumicamente estable. Por esta razn no reacciona como el Hidrgeno (el dirigible Hindenburg que estall en llamas en 1937 llevaba H, luego se cambi por He).
Fig 01. Tabla peridica de los elementos. 1.2- MODULADOR PTICO El modulador ptico puede ser realizado mediante tcnica de Li Nb O3, Mach-Zehnder MZ o electro-absorcin de In P. En la Fig 02 se muestra un esquema tpico de modulador Mach-Zender. El material sustrato (LiNbO3 o AsGa) tiene dibujado mediante Ti una gua de onda monomodo. El voltaje aplicado modifica el tensor de permeabilidad ptica del material produciendo un cambio de fase o un efecto de acoplamiento modal en el desplazamiento de la onda dentro de la gua. Dando lugar a una modulacin (AM, PM), giro de polarizacin o conversin de frecuencia. El modulador Mach-Zender acta como modulador AM ya que cada rama introduce una modulacin de fase de igual magnitud pero de sentido opuesto con lo cual se obtiene una suma (interfermetro) diferencial. Por esto se llama modulador interferomtrico. El uso de LiNbO3 como sustrato produce una atenuacin de 0,5 dB por cada interfaz de unin con la fibra ptica y una prdida de propagacin de 0,5 dB/cm. Esto implica que cada componente modulador puede introducir una atenuacin total de 2 dB. La tecnologa de AsGa est an a muchos aos de laboratorio respecto del LiNbO3 pero tiene la ventaja de poder integrar circuitos electrnicos en el mismo sustrato. El LiNbO3 requiere altos voltajes y por ello pone un lmite a la miniaturizacin de componentes. En la misma figura se muestra en acoplador direccional. En ausencia de tensin aplicada la luz cambia de fibra ptica peridicamente. Con voltaje aplicado el ndice de refraccin vara y se modifica la velocidad de propagacin y la
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periodicidad del acoplamiento entre guas. De esta forma la luz que ingresa por una gua puede pasar a la otra o salir por la misma al final del componente que trabaja como un switch ptico. Esta misma estructura se puede usar como modulador digital a la salida de un Lser; como aislador; como generador de pulsos de luz a partir de un emisor que trabaja en onda continua; etc. FENMENO TERMOELCTRICO. Descubierto por J.Peltier-1834, encontr que la unin de dos metales por la que pasa una corriente se calienta o se enfra de acuerdo al sentido de sta. Por ejemplo, en el bismuto-cobre la temperatura disminuye si la corriente fluye desde el Bi al Cu. La eficiencia de estos metales era muy baja hasta que aparecieron los semiconductores como materiales dopantes. Con materiales como el Teluro de Bismuto se construyen uniones PN elctricamente en serie y trmicamente en paralelo. El enfriador Peltier consiste en un "evaporador", un "compresor" y un "condensador". La celda aporta energa a los portadores en el condensador (placa conductora a enfriar cercana al Lser) mientras el semiconductor (Teluro-BismutoSelenio-Antimonio) trabaja de compresor. La otra placa conductora se une al encapsulado del conjunto y acta de condensador o disipador. Cada mdulo consiste en varias termocuplas; en cada una de ellas los portadores toman energa en la zona a enfriar y son orientados por la polarizacin exterior hasta el disipador. La polarizacin depende de la temperatura detectada en el Lser por el termistor.
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2- COMPONENTES ACTIVOS
2.1- AMPLIFICADORES PTICOS Se trata de los denominados EDFA (Erbium Doped Fiber Amplifiers). Consisten en un tramo de decenas de metros de fibra ptica dopada con Tierras Raras. Koster y Snitzer-1964, usaron Neodimio y Payne-1984 adopt el ion trivalente de Erbio Er3+ para realizar estas fibras pticas activas. Se trata de tierras raras (Lantnidos), definidas as por las dificultades de aislamiento desde el mineral base; ocupan la serie con pesos atmicos de 57 a 71. Se tienen: -Tierras raras livianas: Lantanido, Cerio, Praseodimio, Neodimio y Prometio. -Tierras raras medianas: Samario, Europio, Gabolinio, Terbio, Disprosio y Holmio. -Tierras raras pesadas: Erbio, Tulio, Yterbio, Lutecio. Mediante un Lser, operando en emisin continua (980 o 1480 nm), se produce un bombeo ptico de electrones del Er (el electrn absorbe el fotn) y pasa un nivel de energa excitado incrementndola. El Lser de bombeo es de alta potencia (250 mw) pero es usado a menor valor que el mximo (40 mw) para incrementar la vida til del componente. Desde este nivel de energa se pasa a un estado meta-estable desde donde se produce la emisin estimulada en coherencia con la radiacin de entrada (1550 nm) a amplificar. Por ejemplo, con una bomba de 980 nm y una entrada de -5 dBm (mnimo valor segn G.957 para STM-16 de la SDH a 1550 nm) se puede obtener una salida de +13,5 dBm a 1550 nm. Se los usa tanto como amplificador de salida Booster (alta potencia de transmisin); en puntos intermedios o como amplificador de entrada Preamplifier. En la Fig 02 se muestra un diagrama del amplificador ptico. Para incrementar la disponibilidad en la versin Booster se colocan 2 Lser como bombas una en cada extremo de la fibra ptica activa. Como Preamplificador usa solo un lser bomba para mejorar la figura de ruido. Algunas de las caractersticas comerciales tpicas de estos amplificadores son: -Tienen bajo consumo energtico y son independientes de la polarizacin de la luz; -Son tiles para seales digitales y analgicas y disponen de elevada linealidad an con alta potencia; -Tienen ganancia de 30 dB0 y potencia de saturacin de +15 dBm. La figura de ruido es 4,5 dB; -La sensibilidad del preamplificador es -37 dBm a BER=10-10 en STM-16; -Ancho de banda ptico de 35 nm; -Se puede supervisar la temperatura y corriente de Lser bomba, la potencia de entrada y salida; -La supervisin se efecta mediante una interfaz F/Q; -Disponen del corte automtico shutdown para proteccin en ausencia de potencia o conector (G.958). Se encuentra en diseo amplificadores pticos para 1300 nm. Se trata de un diseo basado en fibras pticas de vidrio fluorado dopadas con praseodimio. Las FO de Si tienen una actividad de fonones incompatible con la S/N requerida. El problema radica en la distinta temperatura de fusin para los empalmes entre las fibras de flor y silicio. Los EDFA se han fabricado normalmente sobre FO de Silicio. Sin embargo, la respuesta de ganancia en funcin de la longitud de onda no es suficientemente plana dentro de la banda de 1525 a 1560 nm (ms de 12 dB). Este efecto es perjudicial si el EDFA se utiliza en aplicaciones de multiplexacin por divisin de longitud de onda densa DWDM (Dense WDM). En este caso se requiere un reciente diseo de EDFA sobre FO de fluoruro la cual mantiene en la banda de 15251560 nm una variacin de respuesta inferior a 3 dB. 2.2- SOLITN. J.Russell-1834 observ una onda de agua solitaria en un canal de Escocia y tard varios aos en obtener la expresin matemtica que la definiera. En 1965 la Bell Labs observ que una onda solitaria de luz sobrevive a la colisin con otra y la llamaron Solitn. En aplicaciones pticas se trata de una onda diseada para automantenerse en un medio especfico. Se trata de FO inmune a la dispersin cromtica. A.Hasegawa-1973 sugiri que un impulso de fotones puede existir aislado en una FO como la onda de Russell. Se requiere de un Boost (bomba lser) para mantener la forma original. Desde hace aos se menciona el solitn como argumento para incremento de ancho de banda. Se han definido tambin las fibras pticas del tipo DCF (Dispersion Compensating Fibres) para compensar la dispersin cromtica en la tercer ventana sobre FO de segunda ventana.
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2.3- DWDM (Dense Wavelength Division Multiplexing). Esta tcnica de multiplexacin permite transmitir varias longitudes de onda por la misma FO. Es un mtodo varias veces propuesto en la historia de los ltimos 20 aos, a fines de los aos 90 ha tomado un nuevo impulso. Este impulso esta dado por las dificultades tecnolgicas para llegar a 10 Gb/s en la estructura SDH y la posibilidad de hacerlo mediante 4x2,5 Gb/s en DWDM (ver la Fig 03). El ITU-T ha definido dos bandas de longitudes de onda denominadas banda-C entre 1525-1565 nm y banda-L entre 1570 y 1600 nm. Los DWDM son componentes del tipo NxM (N entradas y M salidas) que puede ser utilizado para cross-connects de longitud de onda y multiplexacin add-drop.
Fig 03. Imagen de la pantalla de un medidor DWDM. Los mdulo DWM se construyen con 3 tipos de tcnicas: Filtro dielctrico, AWG y ranuras de Bragg. -Filtro dielctrico: Es un film depositado sobre el substrato de vidrio. Deja pasar una solo longitud de onda desde el WDM. Las reflejadas pueden ser vueltas a filtrar hasta separar todas las longitudes de onda. Las tcnicas de film convensionales aplican ZnS (sulfuro de zinc) o criolita como depsitos para disear una cavidad Fabry-Perot. -AWG (Arrayed Waveguide Grating) se trata de un substrato de Silicio sobre el que se dibujan las guas de ondas (una por cada FO de entrada) progresivamente de longitud mayor. Las mismas se encuentran estranguladas en 2 puntos donde se realiza la focalizacin entre distintas longitudes de onda. Se crea as un diagrama de interferencia en la puerta de salida. -Filtro del tipo Bragg Grating. En esta tcnica la realimentacin se provee por la perturbacin peridica geomtrica a lo largo de la cavidad. El perodo de las ranuras es T=/2.n. La longitud de onda se toma en el vaco y n es el ndice de refraccin. Estas ranuras actan como espejos para la longitud de onda calculada y son transparentes para las dems.
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Fotografas. Se muestran a la izquierda el banco de medicin denominado interfermetro. A la derecha el reporte escrito de la medida y debajo una imagen 3D del extremo de un conector. Una interesante caracterizacin geomtrica es la de los conectores de fibras pticas. El instrumento de medida y la hoja de resultados mostrados en esta pgina permiten identificar problemas sobre la frrula y la FO en los conectores.
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1.2- CARACTERIZACION GEOMETRICA La medicin se fundamenta en la interferencia que se produce entre dos rayos de luz. Uno de ello se refleja contra un espejo plano tomado como referencia; mientras que el otro lo hace sobre el extremo de la frrula. De la interferencia de ambos rayos surge un diagrama de interferencia (denominado anillos de Newton) que permite interpretar los siguientes parmetros: -Radio de curvatura del extremo de la frrula medido en milmetros (simulada una esfera). -Apex Offset definido como la distancia entre el centro de la FO y la esfera del extremo medido en micrmetro y grados. -Fiber Height es la distancia que sobresale o est unidad la FO respecto de la esfera o de un plano. -Rugosidad de la FO es la indicacin en nm del valor RMS (Root Mean Squares)de rugosidad respecto de la esfera. -Rugosidad de la frrula es una indicacin similar para la frrula en lugar de la FO. -Dimetro de la FO/epoxi en micrmetros. -Key error se refiere al corrimiento vertical en unidades de grados del Apex offset. 1.3- APERTURA NUMERICA Y DISPERSIN CROMTICA APERTURA NUMRICA AN. Es el valor sin unidad (sen ). Donde es el ngulo mximo de entrada de luz. Si dos fibras pticas FO tienen igual AN se tiene que el ngulo de emisin de luz es igual al de aceptacin de la siguiente y por lo tanto se produce un acoplamiento de luz perfecto. En los cables de cobre la caracterstica que determina una condicin semejante es la impedancia de la lnea; si dos lneas tienen igual impedancia el acoplamiento de energa es completo y no existe onda reflejada. Por lo tanto, se suele comparar la caracterstica de apertura numrica AN de las FO con la impedancia caracterstica de las lneas o guas de ondas. DISPERSIN CROMTICA. Es la suma de la dispersin del material y de la dispersin de gua de ondas. La dispersin del material se debe a que el ndice de refraccin del material es funcin de la longitud de onda. El tiempo de propagacin de las distintas longitudes de onda es distinto. Luego, existe una dispersin a la salida del modo de propagacin debido a que las longitudes de onda que lo componen tienen velocidades diferentes. Se define como dispersin del material a la variacin diferencial del ndice de refraccin: M() = (-1/c).dng/d = (/c).d2n/d2 Cuando n disminuye la velocidad aumenta y el tiempo de propagacin es menor. Existe un valor de longitud de onda cercana a 1,3 m donde la dispersin del material es nula. En otras palabras, cerca de 1,3 m los tiempos de propagacin de las distintas longitudes de onda tienden a ser iguales. El valor de para el cual M()=0 se denomina longitud de onda de dispersin cromtica nula y depende del material. La dispersin de gua de ondas se debe a imperfecciones en la relacin entre el radio del ncleo ra y la longitud de onda de la luz que se transmite. Como consecuencia de ello la distribucin del campo y el tiempo de propagacin son dependientes de ra/. En general, esta dispersin se presenta en comn con la dispersin del material y resultan inseparables. Los instrumentos que miden la dispersin cromtica son de laboratorio. Difcilmente en la prctica se requiere verificar este valor. Se trata de generar un pulso de luz de caractersticas definidas (amplitud gaussiana W1 nseg) y medir la dispersin del mismo pulso a la salida (W2 nseg) de una longitud unitaria de FO (1 km). La fuente de luz posee un ancho espectral unitario (1 nm). La dispersin M() se obtiene como (W22-W12)1/2 y la unidad de medida es nseg/km.nm. 1.4- ATENUACIN Y ESPECTRAL As como el ancho de banda se define como el valor de frecuencia de la modulacin para la cual se tiene una atenuacin de 3 dB respecto de la frecuencia cero, podemos definir la atenuacin de la FO como el valor de atenuacin para una frecuencia modulante nula. La atenuacin difiere de la producida por un par conductor. Mientras en el par la atenuacin se incrementa con la funcin f (f es la frecuencia de la seal transmitida) en la FO la atenuacin permanece constante hasta una frecuencia de corte (ancho de banda). Existen diversos mecanismos que contribuyen a la atenuacin de las FO, entre ellos se tiene: REFLEXIN DE FRESNEL. Se produce en los extremos de las FO debido al salto de ndice de refraccin entre el exterior y el ncleo. Se tiene un valor de reflexin del 3,7%, es decir que la potencia reflejada est 14 dB por debajo de la potencia incidente. Es vlido cuando el corte del extremo de la FO es perfectamente perpendicular. De lo contrario, la reflexin disminuye casi a 0% cuando el ngulo llega a 6. Para disminuir esta reflexin se suele colocar un medio adaptador de ndice de refraccin. Muchas veces se usan materiales epoxi de idnticas caractersticas para unir slidamente los elementos.
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Fig 02. Propiedades de emisin y deteccin de los terminales pticos. PROPIEDAD MODAL DE EMISIN. La cavidad emisora tiene modos de resonancia que actan sobre la salida de la radiacin. Hay modos longitudinales (modo de resonancia a lo largo de la cavidad) y transversales (modo de resonancia vertical u horizontal de una cara de la cavidad). Los primeros dan lugar al espectro de emisin, es decir a la densidad de potencia Popt en funcin de la longitud de onda. Los segundos dan lugar al patrn del campo emitido. El campo de emisin
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En la Fig 02 se muestran estos lmites expresados en unidades de dBm/Mb/s. La sensibilidad o potencia umbral del receptor es la mnima potencia ptica que asegura una determinada BER. La misma disminuye con la velocidad de transmisin. En otras palabras, debemos aumentar la potencia de recepcin para mantener la misma BER. Es obvio que los valores prcticos estn por encima de los tericos. En la misma figura se indican los valores prcticos comerciales de equipos disponibles en el mercado. OBSERVACIONES: -La sensibilidad se mide en presencia de ruido cuntico y trmico con un ancho de banda infinito lo cual obliga a considerar los efectos de la limitacin de banda del sistema. -El gap tecnolgico entre el valor terico y el prctico para los detectores APD-Si es menor que en los APD-Ge o PIN-InP. -Los valores prcticos se curvan hacia arriba para los valores de velocidad mayores a 100 Mb/s, abandonando una aproximacin recta como la ley terica. Por ejemplo para 622 Mb/s el valor terico es de -60 dBm y el valor prctico es menor a -33 dBm.
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