B13 Transistores NPN y PNP

Lección B13 : Transistores NPN y PNP
LECCIÓN B13: TRANSISTORES NPN y PNP
OBJETIVOS
• Reconocimiento de un transistor PNP o NPN.
• Medida de las resistencias interunión.
• Reconocimiento de los tres terminales: Base, Emisor y Colector
utilizando un óhmetro.
• Verificación de las relaciones fundamentales de corriente continua.
• Medida de la corriente de colector en función de la corriente de
base.
• Cálculo de los factores de amplificación α y β.
MATERIAL
• Unidad básica para sistema IPES (Unidad de alimentación mod.
PSU/EV, Caja de soporte de los módulos mod. MU/EV, Unidad de
control individual mod. SIS1/SIS2/SIS3)
• Módulo de experimentación mod. MCM4/EV
• Multímetro
B13.1 NOCIONES TEÓRICAS
Estructuras PNP y NPN
Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la

figura B13.1. La zona central se denomina "Base", mientras que las
zonas externas se denominan respectivamente "Emisor" y "Colector".
fig. B13.1
-1-
El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de

controlar la corriente que fluye entre Colector y Emisor a través de la
aplicación de una corriente en la base B, lo cual se obtiene polarizando
directamente la unión base-emisor e inversamente la unión base-
colector.
En ausencia de tensiones de polarización, las barreras de potencial
existentes se muestran en las figuras.
fig. B13.2
Funcionamiento del Transistor PNP
En la condición de funcionamiento normal el diodo base-emisor D2 está

polarizado directamente (polo positivo en el emisor y polo negativo en
la base); en cambio, el diodo colector-base D1 está polarizado
inversamente y el colector tiene un potencial negativo respecto a la base
(figura B13.3a).
Con el circuito base-colector abierto (figura B13.3b), ya que el diodo D2
está polarizado directamente, su barrera de potencial se reduce y de esta
forma favorece un desplazamiento de cargas positivas desde el emisor
hacia la base.
Consideremos ahora la situación en la cual el circuito colector-base está
cerrado y el circuito base-emisor está abierto (figura B13.3c). Debido a
la polarización inversa, la barrera de potencial del diodo colector-base
aumenta; de esta forma sólo una pequeña corriente de huecos positivos
fluye desde la base hacia el colector y al mismo tiempo una corriente de
electrones fluye desde el colector hacia la base.
Supongamos ahora que tanto el circuito base-emisor como el circuito

colector-base (figura B13.3d) se cierren simultáneamente. El espesor de
la base es muy delgado respecto a la distancia media que pueden
recorrer los huecos positivos procedentes del emisor; una parte
considerable de estas cargas puede atravesarla y llegar a la unión
colector-base, donde serán atraídas por el potencial negativo del
colector, creando así una corriente emisor-colector.
Un razonamiento análogo lleva a resultados similares en el caso de un
transistor NPN (figura B13.4).
-2-
fig. B13.3
fig. B13.4
Las estructuras PNP y NPN constituyen la base constructiva de los

transistores bipolares o "BJT" (Bipolar Junction Transistor).
Los símbolos gráficos correspondientes se muestran en las figuras
siguientes.
fig. B13.5
-3-
La flecha en el símbolo gráfico indica el sentido de la corriente de

emisor. La polarización correcta de un BJT se muestra en la figura
B13.6.
fig. B13.6
Las magnitudes que determinan el funcionamiento de un transistor de

corriente continua son (figura B13.7):
1. Las tres corrientes que circulan en el transistor (IB, IC, IE).
2. Las tres tensiones presentes en los extremos de los terminales (VBE,
VCE, VCB).
3. Los dos coeficientes de amplificación de corriente (α, β).
fig. B13.7
Ecuaciones fundamentales
Considerando como sentido de las corrientes el de las cargas móviles

positivas, se consideran válidas las siguientes relaciones:
IE = IC + IB B13.1
IC = α·IE + ICBO B13.2
donde:
• El coeficiente α tiene un valor comprendido entre 0,9 y 0,999.
-4-
• α⋅IE indica la fracción de la corriente de emisor que llega hasta el

colector (y α es muy próxima a 1.0).
• ICBO, del orden de los nA, es la corriente inversa medida de la unión
base-colector polarizada inversamente, dejando abierto el terminal de
emisor.
Sustituyendo el valor de IE en la ecuación B13.1, se puede obtener la

siguiente expresión en la B13.2:
IC = ß⋅⋅IB + ICEO B13.3
verificándose:
β= α/(1-α
α) B13.4
ICEO = (ß+1)·ICBO B13.5
A través de la B13.4, los valores propios de α se desprenden de β y

están comprendidos entre 10 y 100; por lo tanto, a través de las referidas
relaciones, se deduce que a un valor pequeño de la corriente de base IB
le corresponde un valor elevado de la corriente de colector IC, lo cual
demuestra que el transistor es un componente amplificador de corriente.
En lo referente a las tensiones puede escribirse:
VCE = VBE + VCB B13.6
Ganancia estática del transistor
A través de las relaciones B13.3 y B13.5 es posible obtener la siguiente

expresión para β:
IC - ICBO B13.7
β = 
IB + ICBO
Despreciando el aporte de ICBO tanto en el numerador como en el
denominador de la ecuación B13.7, se define el más importante
parámetro de los BJTs, la ganancia estática de corriente hFE:
hFE = IC / IB B13.8
-5-
Curvas características
Las relaciones anteriores pueden expresarse de forma gráfica mediante
las curvas características indicadas a continuación:
fig. B13.8 a. Curvas características de entrada de un transistor NPN de

emisor común
b. Curvas características de transferencia de un transistor NPN
de emisor común
c. Curvas características de salida de un transistor NPN de
emisor común
-6-

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B13.1 NOCIONES TEÓRICAS

Estructuras PNP y NPN

Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la

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Funcionamiento del Transistor PNP

En la condición de funcionamiento normal el diodo base-emisor D2 está

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IC = α·IE + ICBO B13.2

• El coeficiente α tiene un valor comprendido entre 0,9 y 0,999.

• α⋅IE indica la fracción de la corriente de emisor que llega hasta el

Sustituyendo el valor de IE en la ecuación B13.1, se puede obtener la

IC = ß⋅⋅IB + ICEO B13.3

ICEO = (ß+1)·ICBO B13.5

A través de la B13.4, los valores propios de α se desprenden de β y

VCE = VBE + VCB B13.6

Ganancia estática del transistor

A través de las relaciones B13.3 y B13.5 es posible obtener la siguiente

fig. B13.8 a. Curvas características de entrada de un transistor NPN de

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