Manual Convertidor Buck

1
Convertidor Buck
Docente: Eduardo Antonio Cano
Alumno: Maira Lizeth Villota Pabon Cod. 810080
Materia: Taller.
Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales
27 de Noviembre del ano 2015
I.
D ESCRIPCI ON
Esta conformado por tres etapas la primera es una fuente con

puente de diodos, la cual esta compuesta por un dispositivo de
4 terminales que empaqueta 4 diodos, y un gran condensador
electroltico de 18000 uF a 50v. Los diodos rectifican el voltaje
de entrada Vac que en este caso es de 33 v y el condensador
suaviza la tension de ondulacion de pico a pico en Vdc a un
valor razonable. A medida que aumenta la potencia de carga,
el condensador se descarga mas rapido, los la tension pico a
pico aumenta, y la tension de CC media cae. La conrriente y
la potencia fluyen del lado de CA solo cuando el condensador
esta cargando; cuando se carga, el voltaje en el capacitor es
mayor que el voltaje de la fuente recotificada, y los diodos
evitan que la corriente que fluya de nuevo al lado de la
corriente alterna, con esto podemos decir que la corriente en
AC y el flujo de potencia en el circuito son relativamente
cortos.
Figura 2. Circuito de disparo
La tercera etapa conformada por el convertidor Buck toma

la entrada del nivel de tension alta, en e ste caso de 31.56v y
la convierte a un nivel de tension inferior en e ste caso 15 v.
Figura 3. Circuito convertidor
Figura 1. Esquematico puente de diodos
La segunda parte del convertidor buck tenemos el circuito de

disparo del Mosfet; dicho mosfet es un interruptor controlado
por voltaje, puede ser apagado y encendido por control. El
mosfet actua como interruptor unidireccional entre el drenador
(D) y el terminal de la fuente (S), y tiene un diodo interno en
antiparalelo. Aplicando diferentes tensiones aproximadamente
en 4v en la compuerta (G) y as se enciende el mosfet y si su
voltaje es mayor de 4 como por ejemplo 12v o 18v que son
los voltajes de alimentacion de la parte de control y potencia.
Donde para hacer efectivo el disparo se utilizaron 3 circuitos
integrados, un modulador PWM, un driver, y el optoacoplador
que funciona para separar la parte de control y de potencia.
El interruptor de potencia se abre y se cierra con una tasa

de repeticion fija. El condensador es lo suficientemente grande
para que la ondulacion en el voltaje de saluda sea menor del
5 % y por lo tanto sea libre de rizado.
II.
E SPECIFICACIONES
Para la bobina se tubo en cuenta el voltaje de entrada 31.56,

el voltaje de salida que requerimos que se escogio 15v y la
frecuencia en e ste caso de 60Hz, con lo cual utilizamos una
bobina de un valor aproximado de 14 mHenrios. Y utilizamos
un capacitor de 3300 a 50v. Ya con estas especificaciones
tendremos a la salida del Buck un valor del 40 % del voltaje
de entrada aproximadamente de 12v.
Rango de alimentacion de accionamiento de puerta de 10

a 20V
Bloqueo de mnima tension para ambos canales.
Logica de 3.3V compatible, separa gama de alimentacion
logica de 3.3V a 20V, la logica y el poder de tierra 5V
compensado.
Entradas con desplegable CMOS Schmitt desencadenado.
Ciclo de ciclo de la logica de cierre disparado por flanco.
Retardo de propagacion igualados para ambos canales.
Salidas en fase con las entradas.
Figura 4. Senal triangular del PWM
Figura 7. Esquema IR2110
Figura 5. Salida del PWM pulso cuadrado
Figura 8. IR2110
Figura 6. Senal MOSFET
III.
III-A.
C ARACTER I STICAS ELEMENTOS
Driver IR2110
El IR2110 es de alto voltaje , MOSFET de potencia de

alta velocidad y Conductores IGBT con laterales referenciado,
canales de salida independientes de alta y baja tension .
Tecnologas patentadas CMOS inmunes HVIC y habilitacion
de retencion construido solidamente construccion monoltica.
Entradas logicas son compatibles con CMOS estandar o de
salida LSTTL . La salida de los conductores cuentan con
una etapa buffer, actual pulso alto disenado para mnimo
controlador cross- conduccion. Los retardos de propagacion
se emparejan para simplificar el uso en aplicaciones de alta
frecuencia. los canales flotantes se puede utilizar para conducir
un MOSFET de potencia de canal N o IGBT en la configuracion de lado alto que opera hasta 500 o 600 voltios.
Canal flotante disenado para la operacion de arranque en
pleno funcionamiento a + 500V o 600V +, Tolerante a
la tension transitoria negativa dV / dt inmunologico.
Figura 9. Componente
III-B.
Puente rectificador de diodos
Formado por cuatro diodos ensamblados de forma que

una corriente alterna (AC) conectada a dos de los diodos
produce una corriente continua (DC) de salida en los dos
diodos restantes. Para hacer que funcionen aparatos CC con un
suministro de CA es necesario rectificar la polaridad alternante
de la corriente CA y producir una corriente con polaridad
estable. Sin esta rectificacion, la corriente CA podra provocar
danos graves en el aparato. En la mayora de aparatos la
rectificacion se consigue con un puente de diodos o con un
inversor de voltaje. Los diodos son unos dispositivos que
permiten el flujo electrico en un solo sentido y cada puente
rectificador lleva al menos cuatro. Para que la rectificacion de
la corriente alterna se produzca hay que conectar los cuatros
diodos en una disposicion especfica, llamada configuracion
de rectificacion, que efectivamente termina con una mitad del

ciclo de la corriente alterna de entrada y deja pasar solo la otra
mitad a traves del puente pero siempre con el polo negativo y
el positivo saliendo por los mismos diodos.
Figura 10. IR2110

Figura 13. Disipador
III-E.
Resistencias
Componente electronico que se opone al paso de la corriente

electrica a la hora de entrar en circulacion. Su valor se
designa en ohmios; ha sido fabricada especialmente para
generar una resistencia electrica concreta entre dos puntos de
un mismo circuito. Se utilizaron resistencias de varios valores
a diferentes valores de potencia.
Figura 11. Componente
III-C.
Termistores
los termistores NTC son semiconductores dependientes de

la temperatura. Operan en un rango de -200o C a + 1000
C. Un termistor NTC debe elegirse cuando es necesario un
cambio continuo de la resistencia en una amplia gama de temperaturas. Ofrecen estabilidad mecanica, termica y electrica,
junto con un alto grado de sensibilidad.
Figura 14. Resistencias 1/4w
Figura 15. Resistencias 10W,5W
III-F.
Figura 12. Termistor
III-D.
Disipador
Es un componente metalico generalmente de aluminio que

se utilizan para evitar que algunos dispositivos electronicos
como, transistores bipolares, reguladores, circuitos integrados
etc. se calienten y se danen. Se utilizaron 3 disipadores para
todo el circuito.
Condensadores
Dispositivo formado por dos placas conductoras cuyas

cargas son iguales pero de signo opuesto. Tpicamente con
mas capacidad por unidad de volumen que otros tipos de
condensadores, son valiosos en circuitos electricos con relativa
alta corriente y baja frecuencia. Este es especialmente el caso
en los filtros de alimentadores de corriente, donde se usan
para almacenar la carga, y moderar el voltaje de salida y las
fluctuaciones de corriente en la salida rectificada.Se utilizaron
condensadores tanto electrolticos como ceramicos.
III-H.
Figura 16. Condensadores electrolticos
Optocoplador 4N35
:
El 4N35 es un acoplador o ptico para aplicaciones de uso
general. Ello contiene un diodo emisor de luz acoplado o pticamente a un fototransistor. El producto esta envasado en un
paquete DIP de 6 pines y disponible en opcion espaciamiento
-Plomo amplia y la opcion de SMD curva plomo. El tiempo de
respuesta, tr, es tpicamente 3 microsegundo y mnimo CTR
es 100 % a la corriente de entrada de 10 mA.
Alta velocidad de transferencia de corriente ( CTR : Min.
100 % a SI = 10 mA , VCE = 10 V )
Tiempo de respuesta ( tr : tpico , 3 mus en VCE = 10
V , IC = 2 mA , RL = 100 )
Tension de aislamiento de entrada - salida ( Viso = 3550
Vrms )
Dual - in-line paquete
Conduce con 0,4 ( 10,16 mm )espaciamiento ( W00 )
Conduce curvas de superficie de montaje ( 300 )
Cinta y carrete de SMD ( 500 )
Figura 17. Condensador ceramico
III-G.
Amplificador operacional TL084
Amplificador operacional cuadruple con ancho de banda

de 3 MHz, alta velocidad, entradas de alta impedancia JFET,
bajo consumo de potencia. Los dispositivos cuentan con altas
velocidades de respuesta , baja polarizacion de entrada y
corrientes de compensacion, y baja compensacion coeficiente
de temperatura de tension.
amplio modo comun (hasta vcc+)y el diferencial del
rango de voltaje.
baja polarizacion de entrada y compensar corriente.
salida de proteccion contra corto circuitos.
alta impedancia de entrada j -fet.
compensacion de frecuencia interna.
alta velocidad de respuesta : 16v / mu s (tpico) .
Figura 20. Esquema 4N35
III-I.
Mosfet IRF830
Este MOSFET de potencia se ha disenado utilizando el

proceso de superposicion MESH basado en el diseno de tira
empresa consolidada. Este matchesand tecnologa mejora el
rendimiento en comparacion con las piezas estandar de varias
fuentes.
extremadamente alta capacidad de dv / dt
100 % probado avalancha
capacitancias intrnsecas muy bajos
carga de puerta minimizado
Figura 18. Esquema TL084
Figura 21. Mosfet
III-J.
Figura 19. TL084
Diodo SF84
Caso : moldeado de plastico.
Epoxi : retardante de llama UL 94V - 0 tasa.
Plomo : El plomo soldable por MIL- STD- 202.
Metodo 208 guranteed.

Polaridad : Como los marcados.
Posicion de montaje: Conectado a un disipador.
Peso: 2,24 gramos.
Baja cada de tension directa.
Alta capacidad de corriente.
Alta fiabilidad.
Alta capacidad de corriente de sobretension.
Bueno para cambiar el modo de aplicacion.
Altos frecuencia, poder mas elevado y eficacia de trabajo,

funcionamiento estable
Cargamento de gran intensidad, salida baja, baja temperatura que sube, poca perdida
Poder grande de la transmision
La muestra libre proporcionara rapidamente.
Figura 24. Transformador de alta frecuencia
Figura 22. Esquematico Diodo
III-K.
Transformador
El transformador para una alimentacion estabilizada debe ser, un transformador separador, esto quiere decir, que
ha de disponer por seguridad, de dos devanados separados
galvanicamente (electricamente), no es conveniente utilizar
los llamados auto-transformadores los cuales como se sabe
estan construidos por una u nica bobina o devanado, el cual
esta provisto de diferentes tomas para obtener varias tensiones
de salida. Para e ste caso utilizamos un transformador +12 -12
a 3A.
Figura 25. Circuito Total
R EFERENCIAS
[1] http://http://www.alldatasheet.com/
[2] http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/electronica-practica
Figura 23. Transformador
III-L.
Tranformador de alta frecuencia
Fue utilizado como la bobina del circuito debido a que se
ajusta al valor requerido. Estos

transformadores son de alta
frecuencia estables, de la sol CC32/de la energa eolica para
los instrumentos electronicos.

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Esta conformado por tres etapas la primera es una fuente con

Figura 2. Circuito de disparo

La tercera etapa conformada por el convertidor Buck toma

Figura 3. Circuito convertidor

Figura 1. Esquematico puente de diodos

La segunda parte del convertidor buck tenemos el circuito de

El interruptor de potencia se abre y se cierra con una tasa

Para la bobina se tubo en cuenta el voltaje de entrada 31.56,

Rango de alimentacion de accionamiento de puerta de 10

Figura 7. Esquema IR2110

Figura 5. Salida del PWM pulso cuadrado

Figura 6. Senal MOSFET

C ARACTER I STICAS ELEMENTOS

El IR2110 es de alto voltaje , MOSFET de potencia de

Puente rectificador de diodos

Formado por cuatro diodos ensamblados de forma que

de rectificacion, que efectivamente termina con una mitad del

Figura 10. IR2110

Componente electronico que se opone al paso de la corriente

los termistores NTC son semiconductores dependientes de

Figura 14. Resistencias 1/4w

Figura 15. Resistencias 10W,5W

Es un componente metalico generalmente de aluminio que

Dispositivo formado por dos placas conductoras cuyas

Figura 16. Condensadores electrolticos

Figura 17. Condensador ceramico

Amplificador operacional TL084

Amplificador operacional cuadruple con ancho de banda

Figura 20. Esquema 4N35

Este MOSFET de potencia se ha disenado utilizando el

Figura 18. Esquema TL084

Figura 21. Mosfet

Figura 19. TL084

Metodo 208 guranteed.

Altos frecuencia, poder mas elevado y eficacia de trabajo,

Figura 24. Transformador de alta frecuencia

Figura 22. Esquematico Diodo

Figura 25. Circuito Total

Figura 23. Transformador

Tranformador de alta frecuencia

Fue utilizado como la bobina del circuito debido a que se

ajusta al valor requerido. Estos

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