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    Dispositivos y Componentes Electrónicos

    Cargado por

    Carlos Francisco Flores Ramos
    El documento explica 1) por qué un semiconductor se comporta como un aislante a 0K y cómo su conductividad aumenta con la temperatura, 2) cómo calcular la concentración de electrones y huecos en un semiconductor de germanio dopado con indio a 300K, y 3) cómo resolver ejercicios relacionados con la resistencia estática y dinámica de diodos.

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    Carlos Francisco Flores Ramos
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    El documento explica 1) por qué un semiconductor se comporta como un aislante a 0K y cómo su conductividad aumenta con la temperatura, 2) cómo calcular la concentración de electrones y huecos en un semiconductor de germanio dopado con indio a 300K, y 3) cómo resolver ejercicios relacionados con la resistencia estática y dinámica de diodos.

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    Dispositivos y Componentes Electrónicos

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    Dispositivos y componentes electrnicos

    1. Explicar porque un semiconductor acta como aislante a 0K y


    porque su
    Conductividad aumenta con su temperatura.
    A 0K se comporta como aislante porque todos los electrones estn
    formando enlaces.
    Y su conductividad aumenta con la temperatura debido a que al
    aumentar la temperatura algn enlace covalente se puede romper y
    quedar libre un electrn.
    2. Si una barra de germanio se dopa con indio (grupo IIIA de la
    tabla peridica) en una concentracin de 2,10 12 at/cm3 a una
    temperatura de 300K, calcular la concentracin de electrones
    y huecos en el semiconductor en estas circunstancias. dato:
    ni(300K) = 2,36.1013 cm-3.
    3. Ejercicios del boylestad (tema: niveles de resistencia)
    25) determine la resistencia esttica o de Cd del diodo
    comercialmente disponible de la fig. 1.15 con una corriente en
    directa de 2mA.

    Solucin:
    Verificando los valores en la tabla:
    VD= 0,66V, ID= 2mA
    RDC=

    VD
    ID

    0,60V
    2 mA

    = 300

    Facultad de ingenieria electrica y electronica-ing electrica | GH: 01T

    Dispositivos y componentes electrnicos

    27) Determine la Resistencia estatica o de cd del diodo


    comercialmente disponible de la figura 1.15 con un voltaje en
    inversa de -10V. Como se compara con el valor determinado
    con un voltaje en inversa de -30V?

    Solucin:
    Verificando
    los valores en la fig. 1.15
    VD= -10V; ID=IS = -0,1A
    RDC=

    VD
    ID

    10 V
    0,1 A

    = 100M

    VD= -30V; ID=IS = -0,1A


    RDC=

    VD
    ID

    30 V
    0,1 A

    = 300M

    A medida que aumenta el voltaje en inversa, la Resistencia en


    inversa aumenta (ya que las corrientes de diodo permanecen
    constantes).

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    Dispositivos y componentes electrnicos


    29) calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la fig. 1.27
    con una corriente en directa de 10mA y compare sus
    magnitudes.

    Solucin:
    ID =10mA; VD= 0,76V
    RDC=

    rd =

    VD
    ID

    0,76V
    10 mA

    V d
    Id

    0,79V 0,76 V
    15 mA 5 mA

    = 76

    = 3

    RDC es mayor a rd.

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