MEMORIAS

Importante:
Comprender el funcionamiento bsico de los diferentes tipos de memorias hechas en
base a tecnologa digital.
Conocer las especificaciones tcnicas as como las caractersticas propias de cada IC de
memoria de semiconduccin.
Tener capacidad de anlisis de diferentes circuitos de almacenamiento bsico.

Veremos:
Tipos de memoria de semiconduccin, sus especificaciones tcnicas, funcionamiento as
como modos de escritura y lectura, es decir, nuestro objetivo ser exponer el
funcionamiento de las memorias de semiconduccin. 5 pasos fundamentales a seguir para
grabar datos en una memoria.

Utilizaremos:
Diagramas a bloques de circuitos bsicos de almacenamiento digital, diagramas de
funcionamiento de algunas memorias. Diagrama a bloques de un programador de
memorias RAM.

Iniciando
Los Flip-Flops representan los elementos bsicos de almacenamiento digital, todos ellos disponibles en los
sistemas digitales.

En los sistemas digitales podemos encontrar los dispositivos de almacenamiento de informacin bsica, como son
las memorias de semiconduccin. Podemos citar como ejemplo, los Flip-Flops, como dispositivos bsicos de
almacenamiento de un bit y asociando los Flip-Flops, formaremos registros, los cuales ya sern capaces de
almacenar una serie de bits para una mayor capacidad de extensin de palabra. Es decir, son circuitos que pueden
almacenar una gran capacidad de informacin.

La figura 1 muestra los bloques bsicos de dispositivos para el almacenamiento digital.


Desde hace tiempo, estos dispositivos tienen grandes aplicaciones en la electrnica digital, tanto en circuitos
pequeos, en las computadoras, en circuitos para aplicaciones industriales, equipos de medicin, autmatas,
entre muchas aplicaciones ms. Las memorias las podemos encontrar formando parte de un simple circuito
digital, en un circuito microprocesador o en un microcontrolador. Es decir, DSPs, PLDs o FPGAs (Procesador
Digital de Seal, Dispositivos Lgicos Programables) respectivamente.

Desde el punto de vista ms simple, se puede observar la organizacin de una memoria de forma matricial, as las
filas representan los registros de palabras de cierta cantidad de bits y las columnas forma los bits de manera
individual de los registros. Como se muestra en la siguiente figura.


Terminologa:
Direccin de memoria. Se denomina direccin de memoria a la posicin que ocupan cada
uno de los registros, desde la cero hasta N direcciones.
Celda de memoria. Lugar utilizado para el almacenamiento de un solo bit. Visto lo
anterior como dispositivo, este puede ser un F-F, un capacitor cargado un disco o cinta
magntica.
Palabra de memoria. Conjunto de bits de una memoria que representa datos o
instrucciones. Considerar que es necesaria una celda de memoria por cada bit que se
desee almacenar, es comn encontrar palabras de memoria con extensin de 8 bits, por
lo que sern necesarias la misma cantidad de celdas de memoria por direccin.
Capacidad de memoria (densidad). Forma de especificar la cantidad de bits que es
posible almacenar en un dispositivo de memoria o en un sistema completo. En la
actualidad, se han desarrollado memorias para una gran capacidad. Por ejemplo, una
memoria de 1M se representa 2
20
= 1, 048,576. As una memoria de 2M x 8 tiene como
capacidad 2, 097,152 x 8. Actualmente, el trmino giga nos muy familiar, este se refiere
a 2
30
= 1, 073, 741,824.
Direccin. Nmero que identifica la posicin de una palabra o dato en una memoria o
sistema. Cada dato o palabra tiene una direccin especfica dentro del sistema digital.



Bus de direcciones. Lneas por las cuales nos permite el acceso a una posicin de memoria
especfica de donde ser ledo el dato o donde ser grabado un dato. Al disponer de una
memoria con M registros, entonces el bus de direcciones dispone de n lneas
individuales de direccionamiento. As se cumplir M = 2
n
. El bus de direcciones es
unidireccional.
Bus de datos. Por medio de ests lneas se obtiene el dato que se desea leer o se aplica el
dato que se desea almacenar en una direccin determinada (dependiendo el tipo de
memoria). Estas lneas son bidireccionales.
(Chip Select) Seleccin de integrado. Cuando esta lnea se encuentra en estado BAJO,
el bus de datos se conecta al exterior o se puede grabar un dato (en cierto tipo de
memorias). Si esta lnea se encuentra en estado ALTO, el IC de memoria se encuentra en
estado de Hi-Z (Alta impedancia). Esta funcin se usa para seleccionar uno de varios ICs
de memoria.
(Write Enable) Habilitador de Escritura. Lnea de los circuitos integrados por medio
de la cual se le indica a la circuitera de los mismos sobre la naturaleza de operacin que
se realizar. Si esta lnea tiene un estado BAJO la memoria se dispone para recibir datos,
es decir, grabar datos en la direccin seleccionada. Por el contrario, si esta lnea de
control es ALTA, la memoria estar siendo dispuesta para leer de ella.
(Output Enable) habilitador de salida. Lnea de habilitacin para habilitador a los
buffers de salida para leer el dato de la direccin previamente elegida. Si esta lnea de
control se encuentra en estado BAJO segn ejemplo, los datos podrn se ledos. Si por el
contrario, esta lnea es ALTA, los buffers de salida estarn en HI-Z (Alta impedancia).

Respecto a las caractersticas del bus de datos I/O. En algunos casos de aplicaciones muy especficas Dual-Port,
el bus de datos como lectura se encuentra separado del bus de datos de escritura.

En la Fig. 2. El accedo a cada clula de memoria para la operacin de lectura o escritura entra la fila Fi y columna
C
j
como seleccin de clula, ambas procedentes del bus de direccione. R/ de las lneas de control, identifican
como D
in
o D
out
del bus de datos.

Clasificando las memorias de semiconduccin:

Memorias de Acceso Aleatorio Random Acces Memory: son memorias en las cuales se puede acceder
normalmente a cada una de las direcciones de contenido de manera directa mediante la condificacin y
decodificacin adecuada de cada una de las direcciones.

Memorias de acceso secuencial: En este tipo de memoria, es preciso el acceso de manera ordenada para poder
obtener los datos, no se pueden obtener datos de diferentes direcciones si no se hace de manera secuencial.
A continuacin se presenta la MEMORIA SRAM co0mo ejemplo.

Memorias voltiles: El trmino voltil al cual se hace referencia este tipo de memorias, es que la informacin
que se programa en esta memoria va durar mientras el IC de memoria se encuentre conectado a la fuente de
alimentacin. En esta clasificacin se encuentran tanto las SRAM como las DRAM. Este tipo de memorias son
rpidas y de fcil manejo.










1. En el momento T0 se establece la direccin en donde ser grabado el dato dentro del IC de memoria.
2. En T0, la seal tiene que estar inactiva (1), simultneamente o antes que las lneas de direccin sean
estables. Adems, la seal tiene que permanecer inactiva (1) durante todo el ciclo de escritura.
Recordar que esta seal es para la funcin de lectura y en nuestro caso, se est escribiendo un dato en la
memoria.
3. Tambin en T0 se debe activar la seal de (0). Esto puede ser a la vez o antes que las lneas de
direccin sean estables. La seal tiene que permanecer activa (0) durante el ciclo de escritura. Esta
seal activa el IC de memoria.
4. T1 es el momento en el cual se debe activar la seal ; este tiempo est especificado como T
WP
.
Adems, para activar la seal se deben cumplir las condiciones siguientes:
a. Las lneas de direccin tienen que estas estables.
b. La seal tiene que estas inactiva (1).
c. La seal tiene que estar activa (0)
La seal es para indicar a la memoria que debe grabar los datos. El tiempo T
WR
que aparece marcado en la
tabla, es el periodo de tiempo mnimo obligatorio en el que la seal debe permanecer activa para grabar los
datos tambin, se puede apreciar en la figura 7, el dato debe permanecer estable.
5. El tiempo T2 est determinado por el IC de memoria, define el instante desde el cual, el dato, que se
quiere grabar en el IC de memoria tiene que permanecer estable, antes, de desactivar la seal . Este
tiempo es como mnimo T
DS
(tiempo de dato estable).
6. T3 es el instante en el que se desactiva la seal . Este tiempo tambin est determinado por el IC de
memoria, y est definido por el periodo T
WP
, el cual es medido hasta T4, que es el instante en el que se
inactiva la seal .
T4 es el momento en el cual se desactiva la seal ; de nuevo este tiempo est determinado por el IC de
memoria. El instante T4 marca el momento hasta el cual, el dato que se desea grabar en la las memoria tiene que
permanecer estable, despus de desactivar la seal , este periodo de tiempo es mnimo T
DH
(Tiempo de
sostenimiento de dato). El tiempo mximo T
WR
es para la seal con respecto a la seal .

Independientemente del tipo de memoria de la cual se hable, los pasos a seguir para poder grabar un dato en la
misma, son los siguientes:
Seleccionar direccin
Habilitar de manera adecuada la entrada CE.
Deshabilitar la salida OE.
Seleccionar el dato.
Dar la orden de escritura. Es decir, habilitar la entrada de control WE.




Memorias ROM

Una memoria ROM (Read Only Memory): memoria de solo lectura, es un dispositivo dedicado al almacenamiento
de informacin binaria del tipo permanente. Lo cual significa que, durante la etapa de operacin de la ROM, la
informacin se escribe en la memoria y, a partir de eso, solamente puede ser leda su informacin.

Normalmente, la informacin de la memoria ROM se graba (se programa) durante la fabricacin del chip. Pero,
sin embargo, existen memorias del tipo ROM que le permiten al usuario almacenar la informacin. A este tipo de
memorias se le conoce como ROM programables y PROM (programable ROM).

Tambin existen memorias ROM que permiten el borrado de la informacin que se ha cargado en el IC de
memoria con el propsito de cambiar el programa por otro. En tal caso, la operacin de escritura es realizada de
manera diferente. A este tipo de memorias se les llama EPROM (Eraser Programable Read Only Memory).

A este tipo de memorias se les conoce tambin como UVPROM por su manera de ser borradas, es decir, por
medio de Rayos Ultravioleta.

Como se ha visto, las memorias ROM estn en la clasificacin de las memorias no voltiles, debido a que no
pierden sus datos cuando se interrumpe la fuente de alimentacin. A esta memoria tambin se le conoce ROM
programada por mscara. La ROM se usa en aplicaciones de produccin de alto volumen, debido a sus elevados
costos en el proceso de fabricacin.

Las ROM programables por mscara se graban en la fbrica y su grabacin consiste en fabricar transistores MOS
de dos tipos, uno de capa gruesa (una micra de espesor) cuando se quiere grabar un 1, otro de 0.1 micra,
cuando se quiere grabar un 0. La diferencia en el espesor de la rejilla de control determina la tensin por aplicar
para que el transistor entre en estado de conduccin. Para el grosor de una micra, es necesaria una tensin diez
veces superior a la que necesita uno de 0.1 micra. Entonces, al aplicar los 5V a estos transistores, el de capa fina
conduce (se obtiene el estado BAJO) y el de capa gruesa no conduce (se obtiene el estado ALTO).

Memorias PROM
Cuando no se requiere de gran volumen, los fabricantes de ICs han desarrollado otro tipo de memorias,
estas pueden ser las PROM. Las memorias PROM son memorias programables por el usuario una sola
vez. Es decir, no pueden ser borradas y reprogramadas. El programa se lleva a cabo fundiendo fusibles y
dejando unos intactos, dependiendo del estado bit que se quiera grabar.
El usuario debe elegir fundir cualquiera de los enlaces de fusibles para llevar a cabo el almacenamiento
del dato deseado. Por lo general, los datos se programan o queman en la ubicacin de direccin
ubicada, aplicndola a las entradas de esta; colocando los pulsos datos deseados en los pines de acceso
a los datos y luego aplicando V
PP
, un pulso de alto voltaje entre 10 y 30 voltios, a su pin destinado para
ello. Los transistores de las filas seleccionadas se encienden y V
PP
se aplica a sus terminales del
drenador.

Las columnas (lneas de datos) que puede tener un 0 lgico en ella, proporcionarn una trayectoria de
alta corriente a travs del enlace de fusible, quemndolo y por consiguiente dejndolo abierto y
almacenando de manera permanente un 0 lgico. Las columnas que tengan un 1 lgico, tienen V
PP
en un
lado del fusible, y V
DD
en el otro por lo cual consumen mucho menos corriente y dejan intacto el fusible.
Una vez que todas las localizaciones de direccin hayan sido programadas de esta manera, los datos
quedarn permanentemente almacenados en la PROM y podrn ser ledos las veces que sea necesario
la ingresar a la direccin correspondiente. Los bits almacenados no cambiarn la remover la energa,
porque no causar que el enlace de fusible se cierre de nuevo.



El proceso de programacin y verificacin se realiza de manera automtica mediante un equipo llamado
programador PROM. El programador de circuitera selecciona cada direccin de la PROM, quema los
datos correctos en la direccin seleccionada de IC de memoria, se verifican los datos y se selecciona la
siguiente direccin para repetir el proceso anterior. Los datos grabados en la PROM ingresan al
programador mediante un teclado o controlador de disco o son transferidos desde una computadora. A
esta ltima operacin se le conoce como descarga, permitiendo al usuario el desarrollo y prueba de los
datos almacenados en el IC de memoria desde la PC.

En la actualidad existen muy pocas PROM bipolares. En su mayora se usa la tecnologa MOS, con CMOS,
siendo estas las ms populares. El IC TMS27PC256 es una PROM CMOS muy usual con capacidad de 32K
x 8 con una disipacin de calor potencia en stanby de 14 mW. Su tiempo de acceso vara entre 100 y 250
nS



Memorias EPROM

Las memorias EPROM son memorias borrables. Se identifican por tener una ventana de cuarzo sensible
a la luz ultravioleta en la parte superior al chip. El funcionamiento de este tipo de memoria depende de
cargas estticas en capacitores internos dispuestos de manera matricial de manera similar a una RAM
dinmica.



La carga descarga o de estos capacitores determina el estado de conduccin de los transistores, por ello,
los estados lgicos.

Si la memoria es expuesta a los rayos ultravioleta el programa grabado se altera, la razn es que los
capacitores se descargan aunque para borrarse por completo se requiere entre 15 y 20 minutos, para
poder reprogramase nuevamente, la memoria tiene que estar borrada por completo.

Algunas fuentes de luz intensas comunes son capaces de alterar el contenido de la memoria. Por esta
razn, una vez programada la memoria, se debe asegurar que la ventana quede cubierta con una cinta
negra, puede servir la cinta aislante, con el fin de garantizar la preservacin de la informacin
almacenada.

La figura 20 muestra la distribucin de patillas y la forma fsica de una memoria EPROM 2716 con una
capacidad de 2K x 8. Este es una de los ICs de memoria ms conocidas para el diseo de circuitos
digitales de lgica programable.



A
0
A
10
Bus de direcciones.
D
0
D
7
Bus de entrada y salida de datos.
Habilitador de cpsula.
Habilitador de salida de datos.
Vpp Entrada para programacin.
Vss Alimentacin comn (tierra) del IC.
Vdd Alimentacin positiva de 5V del IC.

Despus del borrado, la matriz son 1s. Los datos se introducen programando 0s en las posiciones
deseadas. Aunque slo los 0s se programan, en la programacin se introducen, tanto ceros como unos.
La nica manera de cambiar un 0 por un 1 es mediante la accin de borrado aplicando la luz UV.

En el modo de programacin en la memoria 2716, se aplican 25V en la lnea de Vpp y se manda a ALTO
la seal de control . La palabra de 8 bits que se desea programar se coloca en paralelo en la entrada
de datos (D
0
D
7
).

Al inicio despus del borrado todos los bits de la memoria 2716 se encuentran en 1 lgico. Los datos se
introducen programando 0s en las posiciones deseadas.

Para llevar a cabo la programacin del IC de memoria 2716, se aplican 25V en la lnea Vpp y se hace
ALTA la seal de control . La palabra de 8 bits que se vas a grabar se coloca en paralelo en las lneas
de datos (D
0
D
7
). Los niveles de voltaje de los datos deben estar entre 0 = 0V y 1 = 5V.

Cuando las lneas de direccin y las lneas de datos son estables, se aplica un estado ALTO durante 50
mS en la lnea de control . Este pulso de programacin debe aplicarse en cada direccin que se desee
programar. Slo durante la programacin de escritura, la lnea Vpp debe estar en el nivel de voltaje de
25V. En la operacin de escritura, el nivel de voltaje aplicado al pin 21 debe estar fijo en 5V. Por lo
anteriormente descrito, la programacin de este tipo de memoria de manera manual es muy compleja.
Existen programas de computadoras que permiten desarrollar este proceso de manera automtica y
muy rpida. Simplemente con escribir todo el contenido del programa que se desea introducir, donde ya
se incluyan lista de direcciones y su contenido y descargarlo en un programador, posteriormente, en la
memoria y el esta quedar ya programada.
Otros ICs de memoria EPROM son los que se observan en la Figura 21, y corresponden a las memorias
2732 y 2764, tambin se adjuntan las tablas de operacin de cada IC.
Estas memorias pueden identificarse con facilidad en cuanto a su capacidad y tipo de memoria.


Para la programacin de una memoria EPROM es necesario extraer el IC del socket donde se encuentra
e introducirlo a un borrador especial de luz ultravioleta durante unos 15 o 20 minutos. Este proceso
pude deteriorar el IC de memoria, pero es necesario para poder ser programada de nuevo la EPROM.

Las memorias EPROM originalmente fueron diseadas en aplicaciones de investigacin y desarrollo,
donde haba la necesidad de alterar continuamente el programa almacenado. Conforme se hicieron ms
confiables y menos costosas, se emplearon en productos de bajo y medio volumen.




EEPROM
EEPROM FLASH
Memorias EEPROM

Las diferencias ms importantes entre stas y las memorias borrables por luz (EPROM) son:

stas se pueden borrar elctricamente, y por lo tanto no se es necesario extraerlas del circuito don se ha
colocado para poder borrarlas. Para ello slo hay que incluir una serie de circuitos que permitan realizar
esta funcin.

Pueden ser borradas todas las posiciones de memoria o por bloques.
No requiere de tensiones elevadas para ser programadas; sta puede ser programada y borrada por una
fuente de 5V.

El tiempo que dura la informacin que se graba en una memoria de estas sin borrarse es similar al de las
EPROM, es decir, un mnimo de 10 aos y el nmero de ciclos que se puede borrar y reprogramar sin
que aparezcan problemas, es de 1000 al igual que las EPROM.

La memoria X28C64A de XICOR, cuenta con caractersticas especiales; la informacin
dura sin deteriorarse durante 100 aos y los ciclos de borrado y grabado que soporta son de 100,00.

La matrcula de la memoria identifica lo siguiente:


X: Es el fabricante (XICOR).
28: Corresponde a una memoria EEPROM
C: Tecnologa o familia utilizada en la fabricacin del IC de memoria.
64: La cantidad de miles enteros de bits que la memoria es capaz de almacenar.



La figura 22 muestra la memora 2864 y su distribucin de pines. ste IC de memoria est organizado
como matriz de 8 x 8, de la siguiente manera:


A
0
A
12
: Entradas de direcciones (2
13
= 8192).
I/O
0
I/O
7
: Entrada y salida de datos.
: Habilitador de salida.
: Habilitador de chip.
: Habilitador de escritura.
Vss: Fuente comn.
Vdd: Fuente positiva de 5V.

En general, la tabla de funcionamiento de esta memoria se puede ver en la B, mientras que el diagrama
a bloques de esta memoria del tipo EEPROM se ve en la figura A. al igual que la mayora de los circuitos
digitales, tambin este tipo de ICs cuentan con entradas de control, en nuestro ejemplo, estas son ,
y mientras que Ready/Busy es una salida del IC.

Para leer el contenido de una ubicacin de memoria, la direccin deseada se aplica a los pines de
direccin (A0 A12), debe ser activo en BAJO; mientras que el pin de habilitacin de salida, al
igual que , se activa en BAJO para que los buffers de salida se activen. La habilitacin de escritura,
se mantiene en ALTO, recordar que este pin es para la accin de escritura, y ahora lo que se hace es
una operacin de lectura.

Para la operacin de escritura y escribir un dato en una direccin especfica de memoria, los buffers de
salida deben estar en su estado deshabilitado, de manera que los datos puedan ser aceptados como
entrada al IC de memoria.


La sincronizacin para la operacin de escritura puede apreciarse en la figura. Antes de que aparezca el
tiempo 1 el IC debe estar en modo de espera, para elegir una direccin en ese instante en el tiempo 2
las entradas y se activan, es decir se van al estado BAJO para poder iniciar as la operacin de
escritura; la entrada debe ser ALTA, de manera que los pines de salida de datos estarn en estado de
ALTA IMPEDANCIA. En el tiempo 3 se aplican los datos seleccionados a las entadas I/O y se escriben en
la direccin antes seleccionada durante el borde ascendente de la seal de control .

El IC 2864 tiene un modo mejorado de escritura que permite al usuario escribir hasta 16 bytes de datos
en la parte intermedia, donde se mantiene mientras la circuitera borra las ubicaciones de la memoria
seleccionada.