Simulacin del problema N1

Simulacin del problema N2

Simulacin del problema N3















TRABAJO DE INVESTIGACION DE
ELECTRONICA
El transistor bipolar
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del
emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo
N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor
est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo
simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de
funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna
del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector
con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se
podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta
de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor
est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser
aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin
colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor
est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa
de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran
ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben
provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia
alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
FUNCIONAMIENTO
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en
inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera
de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron
son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.





CONTROL DE TENSIN, CARGA Y CORRIENTE
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control
de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-
corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin
PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la
corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es
aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No
obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
TIPOS DE TRANSISTOR BIPOLAR
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a
los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de
los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos
capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-
comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en
la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da
son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa.
Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde
el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.







REGIONES OPEARATIVAS DE UN TRANSISTOR
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por
la forma en que son polarizados:

Regin activa:
corriente del emisor = ( + 1)I
b
; corriente del colector= I
b

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces
est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato
del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y
emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar
la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (I
c
= I
e
= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley
de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito
abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector corriente de emisor = corriente maxima, (I
c
I
e
= I
max
)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se
presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por
debajo del valor umbral V
CE,sat
. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de
amplificacin I
c
=I
b
(y por ende, la relacin I
e
=(+1)I
b
) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que la
diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.