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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > silicon tetrafluorideの意味・解説 > silicon tetrafluorideに関連した英語例文

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silicon tetrafluorideの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 29



例文

PRODUCTION METHOD FOR SILICON TETRAFLUORIDE例文帳に追加

四フッ化珪素の製造法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON TETRAFLUORIDE例文帳に追加

四フッ化珪素の製造法 - 特許庁

REMOVAL METHOD OF SILICON TETRAFLUORIDE例文帳に追加

四フッ化珪素の除去方法 - 特許庁

METHOD FOR PURIFYING SILICON TETRAFLUORIDE例文帳に追加

四フッ化珪素の精製方法 - 特許庁

例文

METHOD FOR PURIFYING SILICON TETRAFLUORIDE例文帳に追加

四弗化ケイ素の精製方法 - 特許庁


例文

METHOD FOR PRODUCING SILICON TETRAFLUORIDE例文帳に追加

四フッ化ケイ素の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR REFINING SILICON TETRAFLUORIDE例文帳に追加

四フッ化珪素の精製方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SILICON TETRAFLUORIDE AND MANUFACTURING APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

四フッ化ケイ素の製造方法、及びそれに用いる製造装置 - 特許庁

When silicon tetrafluoride gas is brought into contact with silicon to remove phosphorus and arsenic contained in the silicon tetrafluoride produced by the reaction of hydrogen fluoride with silicon, the contact of the silicon tetrafluoride gas with silicon is performed at 300-800°C under a condition of (V/Q)≥k.例文帳に追加

珪素とフッ化水素との反応で生成した四フッ化珪素ガス中に含有するリン、ヒ素を除去するため該四フッ化珪素ガスを珪素と接触させるに際し、300〜800℃の範囲で、(V/Q)≧kの条件で珪素と該四フッ化珪素ガスを接触させる。 - 特許庁

例文

To provide a method for obtaining purified silicon tetrafluoride gas having high purity by efficiently purifying the silicon tetrafluoride gas containing low boiling point components as impurities.例文帳に追加

不純物として、低沸点成分を含有する四弗化ケイ素ガスを効率よく精製し、高純度の精製四弗化ケイ素ガスを得る方法を提供する。 - 特許庁

例文

REMOVAL AND RECOVERY OF SILICON TETRAFLUORIDE BY USE OF METAL FLUORIDES例文帳に追加

フッ化金属類を使用した四フッ化ケイ素の除去方法および回収方法 - 特許庁

Hydrofluoric acid or hydrogen fluoride reacts with glass to form silicon tetrafluoride and water.例文帳に追加

フッ化水素酸あるいはフッ化水素は、ガラスと反応して四フッ化ケイ素と水になる。 - 特許庁

Phosphorus and arsenic which are impurities contained in silicon tetrafluoride are removed by bringing the silicon tetrafluoride into contact with at least one of a metal selected from silicon (Si) or germanium (Ge) at300°C and further adding ≥1 vol.% water into the silicon tetrafluoride.例文帳に追加

四フッ化珪素中に含まれる不純物であるリン、ヒ素を除去するために、珪素(Si)、またはゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも一つの金属と300℃以上の温度で接触させ、さらには、四フッ化珪素中に1vol%以上の水素を含有させる。 - 特許庁

The silicon fluoride is preferably silicon tetrafluoride and hexafluorosilicic acid, and phosphoric acid is preferably orthophosphoric acid, metaphosphoric acid and polyphosphoric acid.例文帳に追加

フッ化ケイ素としては四フッ化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸が好ましく、リン酸としてはオルトリン酸、メタリン酸、ポリリン酸が好ましい。 - 特許庁

When silicon tetrafluoride is produced by reacting silicon with hydrogen fluoride, a container in which silicon tetrafluoride has been solidified is filled with gaseous helium under ≥10 kPa pressure and then evacuated to ≤1 kPa pressure.例文帳に追加

珪素とフッ化水素をで反応させて四フッ化珪素を製造するにおいて、四フッ化珪素を固化させた容器内に10kPa以上の圧力のヘリウムガスを満たし、続いて該容器を1kPa以下の圧力まで排気する。 - 特許庁

To provide a method for refining high purity silicon tetrafluoride used in the electronics field, the optical field, and the like.例文帳に追加

エレクトロニクス分野、光学分野等で使用される高純度四フッ化珪素の精製法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing high purity silicon tetrafluoride used in an electronics field or an optical field or the like.例文帳に追加

エレクトロニクス分野、光学分野等で使用される高純度四フッ化珪素の製造法を提供する。 - 特許庁

A silicon tetrafluoride gas having a reduced content of low boiling point impurities is obtained by distilling the silicon tetrafluoride gas containing low boiling point components (such as nitrogen and oxygen) as impurities by pressurizing it at 0.2 MPa-3 MPa and cooling to liquify it to -90°C--15°C.例文帳に追加

不純物として低沸点成分(窒素、酸素等)を含有する四弗化ケイ素ガスを0.2MPa〜3MPaで加圧し、-90℃〜-15℃に冷却液化して蒸留することにより低沸点不純物含有量の減少した四弗化ケイ素ガスを取得する。 - 特許庁

In this refining method of carbony difluoride, silicon tetrafluoride is removed by contacting a gas mixture containing the silicon tetrafluoride and the carbony difluoride with a metal fluoride in a gaseous state or a supercritical state at 60-250°C.例文帳に追加

四フッ化珪素と二フッ化カルボニルを含む混合ガスをガス状態または超臨界状態において60℃〜250℃で金属フッ化物と接触させることにより四フッ化珪素を除去することを特徴とする二フッ化カルボニルの精製方法。 - 特許庁

To provide a method of reducing silicon tetrafluoride contained in carbonyl difluoride to a quantity as low as it will not affect in judging the end point of cleaning.例文帳に追加

二フッ化カルボニル中に含まれる四フッ化珪素を、クリーニングの終点の判断に影響しない程度の量まで低減する。 - 特許庁

Then when the substrate 107 is heated in hydrogen gas H2, saturated with silane gas SiH4 and silicon tetrafluoride gas SiCl4, silicon in the saturated state is deposited as needle-like crystal bodies 105 on base silicon crystal along the axis <111> of the silicon substrate.例文帳に追加

そして、シランガスSiH_4 、四塩化ケイ素ガスSiCl_4 の飽和した水素ガスH_2 中で基板107を加熱すると、過飽和状態のシリコンはシリコン基板の<111>軸方向に沿って、下地シリコン結晶上に針状結晶体105として析出する。 - 特許庁

The weight of the tray is 0.8kg or less, and the contact part between the rack part of the interior side wall and the tray is coated with tetrafluoride resin or silicon resin.例文帳に追加

また、トレーの重量が0.8kg以下とし、庫内側壁の棚部と、トレーとの接触部が4フッ化樹脂またはシリコーン樹脂で被覆する。 - 特許庁

Where, V represents the volume (L) of a part of a vessel where silicon is filled; Q represents the flow rate (NL/min) of the produced silicon tetrafluoride gas; (k) is defined by k=18/(d-291)+0.04 and (d) represents a temperature (°C).例文帳に追加

ただし、Vは、珪素を充填した部分の容器の容積[リットル]を、Qは、該四フッ化珪素ガス生成ガスの流量[Nリットル/分]を、kは、k=18/(d−291)+0.04で定義され、dは、温度[℃]をそれぞれ表す。 - 特許庁

A valve 8 on a line 9 is opened, and hydrogen fluoride gas 7 is fed from a gas filled vessel 3 into the reaction vessel 2, and silicon tetrafluoride 25 in gas phase is produced.例文帳に追加

次いで、管路9のバルブ8を開いて、ガス充填容器3から反応容器2の内部にフッ化水素ガス7を送給し、気相の四フッ化ケイ素25を生成する。 - 特許庁

A composition for etching containing a fluoride such as hydrofluoric acid, ammonium fluoride, silicon tetrafluoride, or hexafluorosilicic acid, and a chloride such as hydrochloric acid or ammonium chloride, is used.例文帳に追加

フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、四フッ化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸等のフッ化物、及び塩化水素酸、塩化アンモニウム等の塩化物を含んでなるエッチング用組成物を用いる。 - 特許庁

Then, if soot 1 is held in a hydrogen fluoride atmosphere, the hydrogen fluoride diffused from the surface into the inside of the soot 1 reacts with the glass of the soot and produces the silicon tetrafluoride.例文帳に追加

従ってスート1をフッ化水素雰囲気に保持すると、スート1の表面から内部に拡散したフッ化水素がスートのガラスと反応して四フッ化ケイ素が生じる。 - 特許庁

A gate nitride film 4 containing fluorine is formed on an N-type well layer 2 by a plasma CVD method in a gas atmosphere containing silicon tetrafluoride (SiF4) and ammonium (NH3).例文帳に追加

四フッ化珪素(SiF_4)とアンモニア(NH_3)を含むガス雰囲気にて、プラズマCVD法により、N型ウェル層2の上にフッ素を含んだゲート窒化膜4を成膜する。 - 特許庁

The valve 8 is closed, and a valve 10 on a line 11 is opened, and the silicon tetrafluoride 25 in gas phase is introduced to a scrubber 4, and at the same time, a valve 14 on a line 15 is opened and water 26 is sprayed into the scrubber 4, and a sludge of silicates 27 is produced.例文帳に追加

更に、バルブ8を閉じたうえ、管路11のバルブ10を開き、気相の四フッ化ケイ素25をスクラバ4へ導入させ、同時に、管路15のバルブ14を開いて、スクラバ4内へ水26を噴霧し、ケイ酸塩スラッジ27を生成する。 - 特許庁

例文

The new optically active fluorine-containing cyclic compound of formula (I) is produced by reacting silicon tetrafluoride with an optically active cyclic epoxy compound of formula (II) in the presence of an amine or in the presence of the amine and water.例文帳に追加

式(II)の光学活性な環状エポキシ化合物に、アミンの存在下、又はアミンとアンモニウム塩との存在下、又はアミンと水との存在下で、四フッ化ケイ素を反応させることにより、式(I)の新規な光学活性含フッ素環状化合物を製造する。 - 特許庁




  
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