tellurium filmとは 意味・読み方・使い方

The ultrathin film comprising tellurium oxide is formed on a solid surface using an organic ditelluride compound.例文帳に追加

固体表面に有機ジテルリド化合物を用いて作製されるテルル酸化物を含む超薄膜である。 - 特許庁

To easily provide a tellurium oxide-base ultrathin film having excellent physical properties at a low cost without requiring large energy.例文帳に追加

多大なエネルギーを要することなく、低コストで簡便に優れた物性を有するテルル酸化物系の超薄膜を提供する。 - 特許庁

The present invention is a process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using the process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silyltellurium precursor is used as the source of tellurium for the alloy film and is reacted with an alcohol during the deposition process.例文帳に追加

シリルテルル前駆体がゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜のためのテルル源として用いられ、堆積プロセスの際にアルコールと反応する、原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition.例文帳に追加

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The photoconductive element is composed of a compound thin film containing aluminum, gallium or indium and sulfur, selenium or tellurium and a pair of electrodes attached with a space on the surface of the compound thin film.例文帳に追加

アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜、および該化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて付設された一対の電極からなる光導電素子。 - 特許庁

When the tellurium oxide-base ultrathin film is used, weight reduction, energy saving and densification of various parts used for an electric material, an optical material, etc., are enabled.例文帳に追加

このテルル酸化物系超薄膜を用いると、電気材料や光学材料等に用いられる各種部品の軽量化、省エネ化及び高密度化が可能である。 - 特許庁

In the process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film.例文帳に追加

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。 - 特許庁

The gas sensor is equipped with: a platelike sensor substrate 1; electrodes 2, 2 formed on the sensor substrate 1; and a thin film layer 3 which is composed of a tellurium oxide nano-wire and formed on the electrodes 2, 2.例文帳に追加

平板状のセンサー基板１と、該センサー基板１上に形成される電極２，２と、該電極２，２上に形成される、酸化テルルナノワイヤーからなる薄膜層３と、を備えるガスセンサーである。 - 特許庁