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multi-emitter transistorとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 マルチエミッタートランジスター
「multi-emitter transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5件
The transistor 5 for compensating the temperature, the transistor 2 for supplying the bias, and the resistor 13 are constituted of one multi-emitter type transistor.例文帳に追加
温度補償用トランジスタ5とバイアス供給用トランジスタ2と抵抗13とは一つのマルチエミッタ型トランジスタで構成される。 - 特許庁
The p-type base layer Tr1B of the multi-collector type npn transistor has a dopant concentration profile which is inclined so that the concentration may be high on the emitter layer Tr1E side while being low on the collector layer Tr1C side.例文帳に追加
マルチコレクタ型NPNトランジスタのP型ベース層Tr1Bは、エミッタ層Tr1E側で高く、かつコレクタ層Tr1C側で低くなるように傾斜した不純物濃度プロファイルを持つ。 - 特許庁
A multi-collector type npn transistor Tr1 included in the IIL element comprises an n-type emitter layer Tr1E, p-type base layer Tr1B, and n-type collector layer Tr1C which are formed vertically in this order from the rear face to the front face side of a semiconductor substrate 101.例文帳に追加
IIL素子に含まれたマルチコレクタ型NPNトランジスタTr1は、半導体基板101の裏面側から表面側へ向かう縦方向に順にN型エミッタ層Tr1E、P型ベース層Tr1B、N型コレクタ層Tr1Cを備える。 - 特許庁
And when a signal outputted to the base of the NPN transistor 17 from the mono- multi vibrator 16 is restored to high, the impedance between the collector and the emitter is made smaller, and as the current inputted from the spindle driver 15 is made larger, the spindle motor 2 is rotated with the high acceleration.例文帳に追加
そして、モノマルチバイブレータ16からのNPNトランジスタ17のベースに出力される信号がhighに戻ると、NPNトランジスタ17のコレクタ−エミッタ間のインピーダンスが小さくなり、スピンドルモータ2は、スピンドルドライバ15から入力される電流が大きくなるので、高加速度で回転する。 - 特許庁
To overcome the problem of a prior art such that it is difficult for a multi-chip semiconductor device which has two or more element chips mounted in one package to have the respective chips and external lead-out leads electrically connected and the problem that a die pad can not have a transistor and a diode mounted as a collector, an emitter, an anode, or a cathode.例文帳に追加
2以上の素子チップを1つのパッケージ内に装着しているマルチチップ半導体装置では、各素子チップと外部導出リードとの電気接続が複雑困難であり、かつダイパッド上に素子チップを装着するため、前記ダイパッドがコレクタ、エミッタ、アノード、またはカソードとなるトランジスタ及びダイオードを装着することはできない。 - 特許庁
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