TMgとは 意味・読み方・使い方

In the growth method of the nitride semiconductor thin film, TMG or TEG is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth step) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting at a second set value T2 which is a substrate temperature lower than that of the first growth step.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

As the material gas, TMA is used for an Al material, the mixed gas of TEG and TMG is used for a Ga material, and arsine is used for an arsenic material.例文帳に追加

原料ガスとしては、Ａｌ原料にＴＭＡ、Ｇａ原料にＴＥＧとＴＭＧの混合ガス、砒素原料にアルシンを用いた。 - 特許庁

A correction signal generation circuit 40 generates a signal Scp based on the signal TMG and a correction value Vcp and imparts it to the counter 10.例文帳に追加

補正信号生成回路４０は、信号ＴＭＧと補正値Ｖｃｐとに基づき、信号Ｓｃｐを生成してカウンタ１０に与える。 - 特許庁

When the engine start instruction is not issued (NO in S60), the present differential torque ΔTEn is set as the torque assist amount Tmg as it is (S90, S80).例文帳に追加

エンジン始動時でないならば（Ｓ６０否定）、現在の差分トルクΔＴＥｎをそのままトルクアシスト量Ｔｍｇとする（Ｓ９０、Ｓ８０）。 - 特許庁

As the source material 28, an organic source of TMG (trimethylgallium) or the like can be used, and as the nitrogen-containing gas, a nitrogen radical-containing gas can be used.例文帳に追加

ソース物質２８としては、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）等の有機ソースを用いてもよく、窒素含有ガスとしては、窒素ラジカルを含むガスを用いてもよい。 - 特許庁

When a carrying sensor 27 detects a rear end of a former sheet material S, the operation for preparing feeding of a following sheet material S is started, and a register sensor 7 detects re-carrying of the former sheet material S to the image forming unit by a register roller 8, and informs with the TMG signal 47 to start the feeding operation of the following sheet material S.例文帳に追加

先のシート材Ｓの後端を搬送センサ２７で検知したら次のシート材Ｓの給送準備動作を開始し、先のシート材Ｓのレジストローラ８による画像形成部への再搬送をレジセンサ７で検知し、TMG信号４７によって通知して次のシート材Ｓの給送動作を開始する。 - 特許庁

Shift registers 15, 17 latch as a system changeover control signal (g) an output of the shift register 11 of the signal extract section 1 by 4 frames based on a TMG signal (c).例文帳に追加

信号抽出部１のシフトレジスタ１１の出力をＴＭＧ信号ｃによって、シフトレジスタ１５，１７にて系切り替え制御情報ｇが４フレーム分ラッチされる。 - 特許庁

During the course of growing the GaN buffer layer by heating, a GaN film is formed by introducing AsH3 (process C), and thereafter, introducing DMHy and TMG.例文帳に追加

ＧａＮバッファ層を加熱して成長させる過程において、ＡｓＨ_3を導入し（プロセスＣ）、その後ＤＭＨｙとＴＭＧを導入してＧａＮ膜を形成する。 - 特許庁