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Hardmaskとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ハードマスクとは、半導体プロセスでエッチマスクとしてポリマーやその他のソフトな有機レジスト材料の代わりに用いられる材料のこと。
「Hardmask」を含む例文一覧
該当件数 : 32件
LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND HARDMASK例文帳に追加
液晶表示装置およびその製造方法、ハードマスク - 特許庁
To provide an antireflective hardmask composition and a method for using the antireflective hardmask composition for processing a semiconductor device.例文帳に追加
反射防止ハードマスク組成物および半導体デバイスの加工に反射防止ハードマスク組成物を使用する方法が提供される。 - 特許庁
LITHOGRAPHIC ANTIREFLECTIVE HARDMASK COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME例文帳に追加
リソグラフィ用反射防止ハードマスク組成物およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
In one integrated circuit manufacturing process, the fluoro-organosilicate layer is used as a hardmask.例文帳に追加
1つの集積回路製造工程で、上記フルオロ有機珪酸塩層はハードマスクとして用いられる。 - 特許庁
A first ashable hardmask (AHM) layer 10 that is carbon-based is deposited on the substrate.例文帳に追加
炭素系の第1のアッシング可能ハードマスク(AHM)層10を基板上に成膜する。 - 特許庁
In one integrated circuit fabrication process, the amorphous carbon film is used as a hardmask.例文帳に追加
1つの集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜はハードマスクとして使用される。 - 特許庁
ANTIREFLECTIVE HARDMASK COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME例文帳に追加
反射防止ハードマスク組成物とそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
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「Hardmask」を含む例文一覧
該当件数 : 32件
In some embodiments, a hardmask film includes a germanium-rich GeN_x hardmask material containing at least about 60 atom% of germanium.例文帳に追加
ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約60原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いGeN_xハードマスク材料を含む。 - 特許庁
A gate hardmask, the gate electrode 34 and a gate insulating film 33 are formed on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加
半導体基板32上にゲートハードマスク、ゲート電極34及びゲート絶縁膜33を形成する。 - 特許庁
HARDMASK COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM INCLUDING ORGANOSILANE POLYMER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
有機シラン系重合体を含むレジスト下層膜用ハードマスク組成物およびこれを用いた半導体集積回路デバイスの製造方法 - 特許庁
An S/D extension 36 is formed after narrowing a line width of the gate hardmask more than that of the gate electrode.例文帳に追加
ゲートハードマスクの線幅をゲート電極よりも狭くした後、S/Dエクステンション36を形成する。 - 特許庁
The hardmask is opened by plasma etching using an etching gas composed of H, N, and CO.例文帳に追加
ハードマスクは、H、N及びCOで構成されるエッチングガスを使用するプラズマエッチングにより開かれる。 - 特許庁
The method comprises steps of: providing a material layer on a substrate; and forming an antireflective hardmask layer over the material layer.例文帳に追加
本発明の方法は、基板上に材料層を設けるステップと、この材料層の上に反射防止ハードマスク層を形成するステップとを含む。 - 特許庁
In some embodiments, a hardmask film has a stress of between about -600 MPa and 600 MPa and a hardness of at least about 12 Gpa.例文帳に追加
ハードマスク膜は、応力が約−600MPaから600MPaの範囲内であり、硬度は少なくとも約12Gpaである。 - 特許庁
A contact junction 38 is formed by using, as masks, the gate electrode and the insulating member, after removing the hardmask.例文帳に追加
ゲートハードマスクを除去した後、ゲート電極と絶縁部材をマスクにしてコンタクトジャンクション38を形成する。 - 特許庁
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