Copper silicideとは 意味・読み方・使い方

To surely suppress diffusion and penetration of copper atoms into a metal silicide film, while using a diffusion barrier layer composed of manganese oxide in the form of a thin film as a diffusion barrier layer between the metal silicide film and a copper contact plug body.例文帳に追加

金属シリサイド膜と銅コンタクトプラグ本体との間の拡散バリア層として、薄膜の酸化マンガンで構成された拡散バリア層を用いてはいるものの、金属シリサイド膜への銅原子の拡散、侵入を確実に抑止することができるようにする。 - 特許庁

The semiconductor substrate 100 is held on a lower part electrode 107 in a low-pressure chamber, then, with the inside of the low-pressure chamber kept about 400°C or less, the surface of the semiconductor substrate 100 is supplied with an SiH4 gas 109, so that a copper silicide layer 110 is formed on the surface of the copper film 104.例文帳に追加

半導体基板１００を低圧チャンバー内の下部電極１０７の上に保持した後、低圧チャンバー内を４００℃程度の温度下に保持しつつ、半導体基板１００の表面にＳｉＨ_4 ガス１０９を供給して、銅膜１０４の表面に銅シリサイド層１１０を形成する。 - 特許庁

By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜６，８，３２、および、この膜と銅配線７，３１との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜Ｂ，Ｂ２，Ｂ５、窒化シリコン膜Ｂ１，Ｂ３または、銅シリサイド膜Ｂ４を連続して成膜する。 - 特許庁

A silane passivation process, carried out in-situ together with the formation of a subsequent dielectric film, converts the exposed Cu surfaces of the Cu interconnect structure, to copper silicide.例文帳に追加

その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Ｃｕ相互接続構造の露出したＣｕ表面をケイ化銅に転化する。 - 特許庁

In addition, the plated layer formed over the metal silicide layer may include, at least as a metal, any of tin, zinc, silver, copper, or nickel.例文帳に追加

また、金属シリサイド層上に形成されためっき層に、少なくとも金属としてスズ、亜鉛、銀、銅またはニッケルのいずれかを含有することができる。 - 特許庁

The copper silicide suppresses Cu diffusion and electromigration and serves as a barrier material in the regions where contact to further conductive material is made.例文帳に追加

ケイ化銅は、Ｃｕ拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。 - 特許庁

The overlaying abrasion-resistant copper-based alloy has a composition comprising, by wt.%, 5.0-20.0% nickel, 0.5-5.0% silicon, 3.0-30.0% manganese, 3.0 to 30.0% of such an element as to form both a Laves phase and a silicide by combining with manganese, and the balance copper with unavoidable impurities.例文帳に追加

肉盛耐摩耗銅基合金は、重量％で、ニッケル：５．０〜２０．０％、シリコン：０．５〜５．０％、マンガン：３．０〜３０．０％、及び、マンガンと結合してラーベス相を形成すると共にシリサイドを形成する元素：３．０〜３０．０％、不可避不純物を含むと共に、残部が銅の組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

A mixed gas 111 of SiH4 and NH3 is introduced in the low-pressure chamber while the lower part electrode 107 is applied with a high-frequency power so that the mixed gas 111 comes ionized, so a second insulating film 112 of a silicon nitride film is deposited on the insulating film 101 including above the copper silicide layer 110, under the plasma.例文帳に追加

低圧チャンバー内にＳｉＨ_4 とＮＨ_3 との混合ガス１１１を導入すると共に下部電極１０７に高周波電力を供給して、ＳｉＨ_4 とＮＨ_3 との混合ガス１１１をプラズマ化し、該プラズマにより銅シリサイド層１１０の上を含む絶縁膜１０１の上にシリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜１１２を堆積する。 - 特許庁