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相界電位の英語
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英訳・英語 phase boundary potential
「相界電位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
相対的移動の間、基板と複数の導体との間に電位差を与えて電界を印加し、基板を電界処理する。例文帳に追加
During a period of relative displacement, an electric field is applied by giving an electric potential difference between the substrate and the plurality of the conductors, and an electric field-treatment is applied to the substrate. - 特許庁
理想ダイオード回路11,12は互いに相補的な不感帯を有しており、その不感帯の境界は抵抗R1が接続される第2接地G2の電位となる。例文帳に追加
The ideal diode circuits 11, 12 have mutually complementary dead zones, and the boundary of the dead zones has the potential of a second grounding G2 to which the resistance R1 is connected. - 特許庁
これにより、電荷転送チャネル領域30のうち1poly電極40,2poly電極42によりそれぞれチャネル電位を制御される1poly対応区画及び2poly対応区画の相互の境界を電荷転送方向に対して傾斜させる。例文帳に追加
In this configuration, the 1poly electrode 40 and the 2poly electrode 42 of the charge transfer channel region 30 cause the mutual boundaries of 1poly and 2poly sections, under channel potential control, to be inclined in the charge transfer direction. - 特許庁
そして、この容量素子Cの上部電極となる電極層ELに正電位を印加することにより、電極層ELに相対する界面キャリア層SCLの電子を固定している。例文帳に追加
A positive potential is put on the electrode layer EL making an upper electrode of the capacitive element C, whereby electrons in the interface carrier layer SCL opposed to the electrode layer EL are fixed. - 特許庁
液晶等の電気光学装置において、例えばフィールド反転駆動の如く、相隣接する画素電極の電位を同極性で駆動しつつ、縦電界の歪みを低減し、よって高品位の画像表示を可能にする。例文帳に追加
To permit high-quality image display in an electro-optical device such as a liquid crystal, by reducing distortion in a vertical electric field while driving the electric potential of pixel electrodes adjacent to each other at the same polarity, like field inversion driving. - 特許庁
また、ホッピング電界発生手段に第1の電源の低電位側をアノードとし正相用パルス電圧発生回路の出力端側をカソードとする第1のダイオード及び第1の電源の低電位側をアノードとし逆相用パルス電圧発生回路の出力端側をカソードとする第2のダイオードを接続した。例文帳に追加
A first diode and a second diode are connected to the hopping field generation means, the first diode having an anode on the low potential side of the first power source and having a cathode on the output end side of the normal phase pulse voltage generation circuit, and the second diode having an anode on the low potential side of the first power source and having a cathode on the output end side of the reversed phase pulse voltage generation circuit. - 特許庁
画素電極9a1及び9a2の夫々に段差部27及び28が形成されているため、液晶装置1の動作時に画素電極9a1及び9a2の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された場合でも、段差部27及び28間で基板面に沿って生じる横電界がこれら画素電極間に存在する液晶の配向状態に及ぼす影響を低減できる。例文帳に追加
Step portions 27 and 28 are formed at pixel electrodes 9a1 and 9a2 respectively, so that even when potentials of the pixel electrodes 9a1 and 9a2 are set to mutually different potentials during operation of a liquid crystal device 1, an influence of a lateral electric field produced along a substrate surface between the step portions 27 and 28 on an alignment state of liquid crystal between the pixel electrodes is reducible. - 特許庁
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「相界電位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
これにより、プリチャージ期間であらゆる走査電極ラインに相対的に高い電位が印加され、あらゆる電界発光セルに逆方向電圧が印加されるので、プリチャージ期間でのデータ電極ラインを通したクロストークが防止される。例文帳に追加
Consequently, since a relatively high potential is applied to all the scanning electrode lines in the precharging period and a voltage is reversely applied to all electroluminescence cells, a crosstalk through data electrode lines in the precharging period is prevented. - 特許庁
モータ30が備える3相界磁巻線の中性点Nの電位、および中性点Nに流れる電流を適切な値に制御するため、二次電池10の正極端子と中性点Nとの間にはコンバータ34が接続される。例文帳に追加
For controlling the potential of a neutral point N of a three-phase field winding provided in the motor 30 and a current flowing in the neutral point N to proper values, a converter 34 is connected between a positive-electrode terminal of the secondary battery 10 and the neutral point N. - 特許庁
メモリセルにおいて、各インバータの出力ノードにそれぞれ相当する記憶ノードの電位変化は、ポリメタル構造を構成するシリコン層と金属層との界面の接触抵抗を介して、交差結合されたもう1つのインバータの負荷トランジスタのゲートへ伝達される。例文帳に追加
In the memory cell, a variation in potential of a storage node corresponding respectively to an output node of each inverter is transmitted to a gate of the other load transistor being cross-coupled through contact resistance of an interface between a silicon layer constituting poly-metal structure and a metal layer. - 特許庁
微小電位差の相補信号を増幅するための回路を必要とする半導体装置に搭載して使用されるラッチ型センスアンプに関し、駆動素子をなす一対の電界効果トランジスタのスレッショルド電圧にアンバランスがある場合であっても、微小電圧差の相補信号のラッチを確実に行うことができるようにする。例文帳に追加
To enable to perform surely latch of complementary signals having minute potential difference even when threshold voltage of a pair of field effect transistors being a driving element are unbalanced, with respect to a latch type sense amplifier incorporated and used in a semiconductor device requiring a circuit for amplifying a complementary signal having minute potential difference. - 特許庁
相補型スイッチ回路の入力電圧をVinとし、電源電圧をVddとした場合、Vin−Vdd/2の電圧をこのバックゲート電極に印加することにより、スイッチが切れる瞬間に生じる出力電位変動を低減して、n型とp型の電界効果トランジスタのスイッチのオフ時の突き抜け電圧をほぼ0にすることができる。例文帳に追加
Output potential variation occurring instantaneously upon turning off the switch is suppressed and a penetration voltage can be brought substantially to zero when a switch comprising n-type and p-type field effect transistors is turned off by applying a voltage Vin-Vdd/2 to the back gate electrode, where Vin is the input voltage of the complementary switch circuit and Vdd is a power supply voltage. - 特許庁
本発明のメモリセルレイアウトによれば、ビットライン対をウェル境界面と平行した方向、すなわち短軸方向に配置することによってビットラインの長さが縮められ、併せてビットライン及び相補ビットライン間に固定された電位を有する導電ラインを配置することによってビットライン対間で発生する干渉現象が防止できる。例文帳に追加
According to the memory cell layout, by arranging a pair of bit lines in a direction parallel to the well boundary surface, that is, in a minor axis direction, the lengths of the bit lines are shortened, and further, by arranging a conductive line having a fixed potential between the bit line and the complementary bit line, interference phenomenon caused between the pair of the bit lines can be prevented. - 特許庁
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※この記事は「北里大学医療衛生学部 医療情報学研究室」ホームページ内の「医学用語集」(2001.06.10. 改訂)の情報を転載しております。 | |
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