拡散電位の英語

ソース拡散層とウェル領域（半導体基板）との電位を同電位とする半導体装置の微細化を促進させる。例文帳に追加

To promote microfabrication of a semiconductor device in which the potential of a source diffusion layer is made equal with that of a well region (semiconductor wafer). - 特許庁

電圧源１１ｂは、駆動対象のセルを除く他のセル中のＮ^＋拡散層４１に対して、Ｐ^＋拡散層４３よりも高い電位を与える。例文帳に追加

A voltage source 11b applies a potential higher than the potential of the p^+ diffusion layer 43 to the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven. - 特許庁

トランジスタのゲート電極４はワード線９に、ドレイン拡散層５はビット線８に、ソース拡散層６は固定電位線にそれぞれ接続される。例文帳に追加

The gate electrodes 4, drain diffusion layer 5, and source diffusion layer 6 of the transistor are connected to a word line 9, bit line 8, and fixed potential line, respectively. - 特許庁

第２のソース・ドレイン拡散層２１Ｂは、第３のソース・ドレイン拡散層２２Ａと電気的に接続され且つ第１のウェル５１と同電位である。例文帳に追加

A second source-drain diffusion layer 21B is electrically connected to a third source-drain diffusion layer 22A, and has the same potential as that of the first well 51. - 特許庁

本発明の電荷転送トランジスタは、第１の拡散領域及び第２の拡散領域と、制御信号により、前記第１の拡散領域から第２の拡散領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第１の拡散領域がピンドフォトダイオードであることを特徴とする。例文帳に追加

The charge transfer transistor has first and second diffusion regions, a gate for controlling charge transfer from the first diffusion region to the second diffusion region by a control signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate wherein the first diffusion region is a pinned photodiode. - 特許庁

たとえば、Ｐ^+ 型ソース拡散層２２とＮウェル領域１２とが同電位になるＰチャネルＭＯＳトランジスタにおいては、Ｎウェル領域１２の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層２２と、ソース拡散層２２とは異種拡散領域となるＮ^+ 型基板拡散層２３とを形成する。例文帳に追加

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region. - 特許庁

半導体素子は電位を印加され電位コントラストを持つことから、２次電子像は電位コントラストを持った拡散層のドーパントプロファイルや電流パスを示す像となる。例文帳に追加

Since the potential is so applied to the semiconductor element that it has a potential contrast, its secondary electron images become the images for showing the dopant profile and current path of its diffusing layer having the potential contrast. - 特許庁

また、ソース電位接続トランジスタを構成する拡散層の形状をメモリセルトランジスタの拡散層の形状と同一パターンにすることで、マスク作成の容易化を実現できる。例文帳に追加

Formation of a mask can be facilitated by employing an identical pattern in the diffusion layer constituting the source potential connection transistor and in the diffusion layer of a memory cell transistor. - 特許庁