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- Els HEMT (de l'anglès high-electron-mobility transistor) són transistors tipusFET, (de l'anglès field effect transistor) en què es reemplaça el canal de conducció per una juntura en la qual s'uneixen dos materials semiconductors amb diferents bretxes entre les bandes de conducció i de valència, el que produeix una capa molt prima a la qual el nivell de Fermi aquesta una mica per sobre la banda de conducció, d'altra banda els portadors queden confinats a una capa tan estreta que se'ls pot descriure com un gas d'electrons de dues dimensions. Per aquestes dues raons els portadors de càrrega adquireixen una molt alta mobilitat i una alta velocitat de saturació, capacitar-los per reaccionar a camps que varien a molt altes freqüències, com també redueix molt significativament l'efecte de dispersió que els àtoms de dopatge produeixen sobre els portadors de càrrega REDICE en gran manera el soroll que aquest dispositiu emet. Normalment els dos materials semiconductors té la mateixa estructura cristal permetent un adequat calci entre aquestes, això amb l'objectiu d'evitar que els portadors quedin atrapats en les discontinuïtats que es podrien produir. Reduint el seu rendiment. Hi ha un tipus de HEMT, conegut com pHEMT (de l'anglès pseudomorphic HEMT) en els quals això no es compleix i s'hi posa una capa extremadament prima de d'un dels materials, tant prima, que es deforma per encaixar amb l'altre material. Amb això s'aconsegueixen bretxes d'energia molt més altes permetent un millor rendiment del transistor. Una altra manera d'aconseguir això és la inserció, entre els dos materials, d'una capa molt prima d'adaptació que és l'encarregada d'unir les dues estructures cristal. Això presenta un avantatge quan la capa d'adaptacions està construïda amb Alina, en aquest material la concentració de In és graduada de manera de calçar les estructures cristal·lines, llavors s'ha d'una alta concentració de In produeix alt guany i una baixa concentració produeix sota soroll (ca)
- Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. „Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit“) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines MESFET. Andere Bezeichnungen für diesen Transistortyp sind modulation-doped field-effect transistor (MODFET), two-dimensional electron-gas field-effect transistor (TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) und heterojunction field-effect transistor (HFET). Er wurde von Takashi Mimura und Kollegen 1979 bei Fujitsu entwickelt. (de)
- Los HEMT, acrónimo del inglés High electron mobility transistor (Transistor de alta movilidad de electrones), también conocidos como HFET, acrónimo de Heterostructure FET (FET de Heteroestructura, que a su vez es el acrónimo de Field Effect Trasistor, transistor de efecto de campo) o también MODFET, Modulation-doped FET (Transistor FET de dopado modulado) son un tipo de transistor de efecto de campo que incorporan una unión entre dos materiales con diferentes bandas prohibidas, una heterounión, como canal de conducción en vez de una región dopada como es generalmente el caso de los MOSFET. La composición más habitual de estos transistores es una combinación de arseniuro de galio, GaAs, con arseniuro de galio-aluminio, AlGaAs; aunque existe una gran variabilidad en función de la aplicación a la que se destine. Existen transistores que contienen indio, que generalmente presentan mejores rendimientos a altas frecuencias, mientras que recientemente se han introducido transistores con , GaN, que presentan mejor rendimiento en alta potencia. Las aplicaciones de estos transistores son similares a los transistores , telecomunicación en las bandas de microondas y de onda milimétrica, radar, radioastronomía y en general en cualquier aplicación que requiera de alta ganancia y bajo ruido a altas frecuencias (es)
- A high-electron-mobility transistor (HEMT), also known as heterostructure FET (HFET) or modulation-doped FET (MODFET), is a field-effect transistor incorporating a junction between two materials with different band gaps (i.e. a heterojunction) as the channel instead of a doped region (as is generally the case for a MOSFET). A commonly used material combination is GaAs with AlGaAs, though there is wide variation, dependent on the application of the device. Devices incorporating more indium generally show better high-frequency performance, while in recent years, gallium nitride HEMTs have attracted attention due to their high-power performance. Like other FETs, HEMTs are used in integrated circuits as digital on-off switches. FETs can also be used as amplifiers for large amounts of current using a small voltage as a control signal. Both of these uses are made possible by the FET’s unique current–voltage characteristics. HEMT transistors are able to operate at higher frequencies than ordinary transistors, up to millimeter wave frequencies, and are used in high-frequency products such as cell phones, satellite television receivers, voltage converters, and radar equipment. They are widely used in satellite receivers, in low power amplifiers and in the defense industry. (en)
- Le MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou transistor à effet de champ à dopage modulé est un type de transistor à effet de champ (FET). Il est connu aussi sous le nom de HEMT (High Electron Mobility Transistor), ou transistor à électron à haute mobilité. Comme les autres FET, les MODFET sont utilisés dans les circuits intégrés comme interrupteur numérique. (fr)
- Transistor pergerakan elektron tinggi (HEMT), juga disebut dengan FET struktur-taksejenis (HFET) atau FET terkotori-modulasi(MODFET). HEMT adalah sebuah transistor efek medan yang mencakup sebuah pertemuan antara dua bahan dengan celah-jalur yang berbeda (dengan kata lain, pertemuan tak sejenis) sebagai bahan kanal, bukannya daerah terkotori seperti pada MOSFET pada umumnya. Kombinasi bahan yang umum adalah (GaAs) dengan (AlGaAs), walaupun begitu ada berbagai variasi berbeda, tergantung pada penggunaan utama peranti. Peranti yang menggunakan lebih banyak indium menunjukkan performansi frekuensi tinggi yang lebih baik, sedangkan akhir-akhir ini penelitian untuk penggunaan sangat meningkat dikarenakan kemampuannya menangani daya tinggi. Pada umumnya, untuk memungkinkan konduksi, semikonduktor harus dikotori dengan pengotor untuk menghasilkan elektron bebas pada lapisan. Namun ini menyebabkan elektron melambat karena bertabrakan dengan pengotor yang digunakan untuk menghasilkannya. HEMT adalah peranti pintar yang dirancang untuk menyelesaikan masalah ini. (in)
- Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde. L'HEMT sfrutta la formazione di elettroni ad alta mobilità elettronica presenti nella buca di potenziale, generata dall'eterogiunzione tra i due semiconduttori, ad esempio l'arseniuro di gallio e l'n-AlGaAs, al di sotto del livello di Fermi. Questo strato di elettroni ad alta mobilità, formatosi al di sotto della giunzione, è detto strato 2deg (2-dimensional-electron-gas, ), e costituisce il vero canale del dispositivo. La densità di elettroni nel canale 2deg dipende dalla tensione gate-source. Quando la regione n-AlGaAs non viene più mantenuta in completo svuotamento da questa tensione si forma un "MESFET parassita" che riduce notevolmente le prestazioni dell'HEMT, a causa dell'interazione elettrostatica fra gli elettroni nello strato 2deg e gli ioni di impurità superficiali dell'n-AlGaAs. Per ottimizzare il funzionamento del transistor solitamente si inserisce uno strato di AlGaAs non drogato, detto spacer, tra l'n-AlGaAs e il GaAs intrinseco. Così facendo, gli elettroni ad elevata mobilità risultano più distanti dagli ioni di impurità superficiali dell'n-AlGaAs e di conseguenza si riduce considerevolmente la loro interazione elettrostatica. Dato che gli elettroni nella buca vi finiscono per costruzione della barriera è possibile intuire come si sia separato il fatto di avere molti portatori (e quindi alta mobilità) dal fatto di avere molto drogaggio (alto scattering). Visto che la trans-conduttanza del transistor dipende dal prodotto di entrambi questi valori (mobilità e drogaggio), e dato che generalmente l'aumento di uno induce il calo dell'altro, è possibile massimizzare entrambi e ottenere dunque un elevato guadagno il che si traduce in una risposta più pronta durante la commutazione, per questo motivo gli HEMT riescono ad avere elevata velocità. Grazie alla sua particolarità l'HEMT è un transistor molto utilizzato per dispositivi che lavorano in alta frequenza. (it)
- 高電子移動度トランジスタ（こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor）は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。 2019年、IEEEより、HEMTは世界中の人々を映像で楽しませる手段として大きな役割を果たしていることが高く評価され、IEEEマイルストーンに認定された。 (ja)
- Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów (ang. High Electron Mobility Transistor), znany również jako heterostruktura FET (HFET) lub FET z domieszką modulacji (MODFET), jest tranzystorem polowym zawierającym połączenie dwóch materiałów o różnych pasmach wzbronionych (tj. heterozłącze) tworzących kanał zamiast domieszkowanego obszaru jak na ogół w przypadku tranzystorów MOSFET.Powszechnie stosowaną kombinacją materiałów jest GaAs i AlGaAs, jednakże zastosowane materiały zależą od typu urządzenia, w którym ten typ tranzystora zostanie zastosowany. Urządzenia zawierające więcej indu generalnie wykazują lepszą wydajność przy wysokich częstotliwościach, podczas gdy w ostatnich latach tranzystory HEMT wykonane z azotku galu zyskały popularność ze względu na ich wysoką moc.Podobnie jak inne tranzystory FET, HEMT są używane w układach scalonych jako przełączniki cyfrowe. Tranzystory HEMT są w stanie działać na wyższych częstotliwościach niż zwykłe tranzystory, aż do częstotliwości fal milimetrowych, dlatego mają również zastosowanie w produktach działających z wysoką częstotliwością, takich jak telefony komórkowe, odbiorniki telewizji satelitarnej, konwertery napięcia i sprzęt radarowy. Są szeroko stosowane w odbiornikach satelitarnych, we wzmacniaczach małej mocy oraz w przemyśle obronnym (np. radary). (pl)
- Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов). В отечественной и зарубежной литературе такие приборы часто обозначают HEMT — от англ. High Electron Mobility Transistor. Также в зависимости от структуры используются аналогичные названия: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT. Другие названия этих транзисторов: полевые транзисторы с управляющим переходом металл — полупроводник и гетеропереходом, ГМеП транзисторы, полевые транзисторы с модулированным легированием, селективно-легированные гетероструктурные транзисторы (СЛГТ). (ru)
- Транзистор з високою рухливістю електронів (HEMT — англ. High Electron Mobility Transistor) — польовий транзистор, в якому для створення каналу замість легованої області, на відміну від звичайних МДН- транзисторів, використовується контакт двох напівпровідникових матеріалів з різною шириною забороненої зони (Гетероперехід). Інші назви цих транзисторів: польові транзистори з керуючим переходом метал—напівпровідник і гетеропереходом, польові транзистори з модульованим легуванням, селективно—леговані гетероструктурні транзистори. У зарубіжній літературі їх позначають: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT. (uk)
- HEMT (High Electron Mobility Transistor) är en transistor med hög elektronmobilitet baserad på en heteroövergång i en transistor. Används i första hand i mikrovågskretsar. (sv)
- 高电子迁移率晶体管（英語：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应電晶體的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。例如，含铟的器件普遍表现出更好的高频性能，而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。高电子迁移率晶体管可以在极高频下工作，因此在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。 (zh)
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- Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. „Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit“) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines MESFET. Andere Bezeichnungen für diesen Transistortyp sind modulation-doped field-effect transistor (MODFET), two-dimensional electron-gas field-effect transistor (TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) und heterojunction field-effect transistor (HFET). Er wurde von Takashi Mimura und Kollegen 1979 bei Fujitsu entwickelt. (de)
- Le MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou transistor à effet de champ à dopage modulé est un type de transistor à effet de champ (FET). Il est connu aussi sous le nom de HEMT (High Electron Mobility Transistor), ou transistor à électron à haute mobilité. Comme les autres FET, les MODFET sont utilisés dans les circuits intégrés comme interrupteur numérique. (fr)
- 高電子移動度トランジスタ（こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor）は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。 2019年、IEEEより、HEMTは世界中の人々を映像で楽しませる手段として大きな役割を果たしていることが高く評価され、IEEEマイルストーンに認定された。 (ja)
- Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов). В отечественной и зарубежной литературе такие приборы часто обозначают HEMT — от англ. High Electron Mobility Transistor. Также в зависимости от структуры используются аналогичные названия: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT. Другие названия этих транзисторов: полевые транзисторы с управляющим переходом металл — полупроводник и гетеропереходом, ГМеП транзисторы, полевые транзисторы с модулированным легированием, селективно-легированные гетероструктурные транзисторы (СЛГТ). (ru)
- Транзистор з високою рухливістю електронів (HEMT — англ. High Electron Mobility Transistor) — польовий транзистор, в якому для створення каналу замість легованої області, на відміну від звичайних МДН- транзисторів, використовується контакт двох напівпровідникових матеріалів з різною шириною забороненої зони (Гетероперехід). Інші назви цих транзисторів: польові транзистори з керуючим переходом метал—напівпровідник і гетеропереходом, польові транзистори з модульованим легуванням, селективно—леговані гетероструктурні транзистори. У зарубіжній літературі їх позначають: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT. (uk)
- HEMT (High Electron Mobility Transistor) är en transistor med hög elektronmobilitet baserad på en heteroövergång i en transistor. Används i första hand i mikrovågskretsar. (sv)
- 高电子迁移率晶体管（英語：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应電晶體的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。例如，含铟的器件普遍表现出更好的高频性能，而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。高电子迁移率晶体管可以在极高频下工作，因此在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。 (zh)
- Els HEMT (de l'anglès high-electron-mobility transistor) són transistors tipusFET, (de l'anglès field effect transistor) en què es reemplaça el canal de conducció per una juntura en la qual s'uneixen dos materials semiconductors amb diferents bretxes entre les bandes de conducció i de valència, el que produeix una capa molt prima a la qual el nivell de Fermi aquesta una mica per sobre la banda de conducció, d'altra banda els portadors queden confinats a una capa tan estreta que se'ls pot descriure com un gas d'electrons de dues dimensions. Per aquestes dues raons els portadors de càrrega adquireixen una molt alta mobilitat i una alta velocitat de saturació, capacitar-los per reaccionar a camps que varien a molt altes freqüències, com també redueix molt significativament l'efecte de dispers (ca)
- Los HEMT, acrónimo del inglés High electron mobility transistor (Transistor de alta movilidad de electrones), también conocidos como HFET, acrónimo de Heterostructure FET (FET de Heteroestructura, que a su vez es el acrónimo de Field Effect Trasistor, transistor de efecto de campo) o también MODFET, Modulation-doped FET (Transistor FET de dopado modulado) son un tipo de transistor de efecto de campo que incorporan una unión entre dos materiales con diferentes bandas prohibidas, una heterounión, como canal de conducción en vez de una región dopada como es generalmente el caso de los MOSFET. (es)
- A high-electron-mobility transistor (HEMT), also known as heterostructure FET (HFET) or modulation-doped FET (MODFET), is a field-effect transistor incorporating a junction between two materials with different band gaps (i.e. a heterojunction) as the channel instead of a doped region (as is generally the case for a MOSFET). A commonly used material combination is GaAs with AlGaAs, though there is wide variation, dependent on the application of the device. Devices incorporating more indium generally show better high-frequency performance, while in recent years, gallium nitride HEMTs have attracted attention due to their high-power performance. Like other FETs, HEMTs are used in integrated circuits as digital on-off switches. FETs can also be used as amplifiers for large amounts of current u (en)
- Transistor pergerakan elektron tinggi (HEMT), juga disebut dengan FET struktur-taksejenis (HFET) atau FET terkotori-modulasi(MODFET). HEMT adalah sebuah transistor efek medan yang mencakup sebuah pertemuan antara dua bahan dengan celah-jalur yang berbeda (dengan kata lain, pertemuan tak sejenis) sebagai bahan kanal, bukannya daerah terkotori seperti pada MOSFET pada umumnya. Kombinasi bahan yang umum adalah (GaAs) dengan (AlGaAs), walaupun begitu ada berbagai variasi berbeda, tergantung pada penggunaan utama peranti. Peranti yang menggunakan lebih banyak indium menunjukkan performansi frekuensi tinggi yang lebih baik, sedangkan akhir-akhir ini penelitian untuk penggunaan sangat meningkat dikarenakan kemampuannya menangani daya tinggi. (in)
- Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde. L'HEMT sfrutta la formazione di elettroni ad alta mobilità elettronica presenti nella buca di potenziale, generata dall'eterogiunzione tra i due semiconduttori, ad esempio l'arseniuro di gallio e l'n-AlGaAs, al di sotto del livello di Fermi. (it)
- Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów (ang. High Electron Mobility Transistor), znany również jako heterostruktura FET (HFET) lub FET z domieszką modulacji (MODFET), jest tranzystorem polowym zawierającym połączenie dwóch materiałów o różnych pasmach wzbronionych (tj. heterozłącze) tworzących kanał zamiast domieszkowanego obszaru jak na ogół w przypadku tranzystorów MOSFET.Powszechnie stosowaną kombinacją materiałów jest GaAs i AlGaAs, jednakże zastosowane materiały zależą od typu urządzenia, w którym ten typ tranzystora zostanie zastosowany. (pl)
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