CERN Accelerating science

CERN Document Server 1 ჩანაწერია ნაპოვნი  ძიებას დასჭირდა 0.86 წამი. 
1.
Lattice location of impurities in silicon Carbide / Granadeiro Costa, Angelo Rafael
The presence and behaviour of transition metals (TMs) in SiC has been a concern since the start of producing device-grade wafers of this wide band gap semiconductor [...]
CERN-THESIS-2018-072 - 157.


გნებავთ შეტყობინების მიღება, ამ კითხვაზე ახალი პასუხების შემთხვევაში?
დააყენეთ პირადი ელფოსტის შეტყობინება ან ჩაეწერეთ RSS ფიდზე.
ვერ იპოვნეთ რასაც ეძებდით? სცადეთ თქვენი ძებნა სხვა სერვერებზე:
recid:2624048 ში Amazon
recid:2624048 ში CERN EDMS
recid:2624048 ში CERN Intranet
recid:2624048 ში CiteSeer
recid:2624048 ში Google Books
recid:2624048 ში Google Scholar
recid:2624048 ში Google Web
recid:2624048 ში IEC
recid:2624048 ში IHS
recid:2624048 ში INSPIRE
recid:2624048 ში ISO
recid:2624048 ში KISS Books/Journals
recid:2624048 ში KISS Preprints
recid:2624048 ში NEBIS
recid:2624048 ში SLAC Library Catalog