CERN Accelerating science

მთავარი > ძიების შედეგები: Christie, S.
ძებნის მინიშნებანი
გაფართოებული ძებნა
Add to Search +
ძებნა კოლექციები:
დახარისხება: შედეგების ჩვენება: გამავალი ფორმატი:
CERN Document Server 4 ჩანაწერია ნაპოვნი  ძიებას დასჭირდა 0.63 წამი. 
1.
Evaluating very high energy electron RBE from nanodosimetric pBR322 plasmid DNA damage / Small, K L (Manchester U. ; Daresbury) ; Henthorn, N T (Manchester U. ; Unlisted, GB) ; Angal-Kalinin, D (Manchester U. ; Daresbury ; Cockcroft Inst. Accel. Sci. Tech.) ; Chadwick, A L (Manchester U. ; Unlisted, GB) ; Santina, E (Manchester U. ; Unlisted, GB) ; Aitkenhead, A (Manchester U. ; Unlisted, GB) ; Kirkby, K J (Manchester U. ; Unlisted, GB) ; Smith, R J (Daresbury ; Cockcroft Inst. Accel. Sci. Tech.) ; Surman, M (Daresbury ; Cockcroft Inst. Accel. Sci. Tech.) ; Jones, J (Daresbury ; Cockcroft Inst. Accel. Sci. Tech.) et al.
This paper presents the first plasmid DNA irradiations carried out with Very High Energy Electrons (VHEE) over 100–200 MeV at the CLEAR user facility at CERN to determine the Relative Biological Effectiveness (RBE) of VHEE. DNA damage yields were measured in dry and aqueous environments to determine that ~ 99% of total DNA breaks were caused by indirect effects, consistent with other published measurements for protons and photons. [...]
2021 - 12 p. - Published in : Sci. Rep. 11 (2021) 3341 Fulltext from publisher: PDF;
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
2.
Radiation campaign of HPK prototype LGAD sensors for the High-Granularity Timing Detector (HGTD)Radiation Campaign of HPK Prototype LGAD sensors for the High-Granularity Timing Detector (HGTD) / Shi, X. (Beijing, Inst. High Energy Phys.) ; Ayoub, M.K. (Beijing, Inst. High Energy Phys.) ; da Costa, J. Barreiro Guimarães (Beijing, Inst. High Energy Phys.) ; Cui, H. (Beijing, Inst. High Energy Phys. ; Beijing, GUCAS) ; Kiuchi, R. (Beijing, Inst. High Energy Phys.) ; Fan, Y. (Beijing, Inst. High Energy Phys.) ; Han, S. (Beijing, Inst. High Energy Phys. ; Beijing, GUCAS) ; Huang, Y. (Beijing, Inst. High Energy Phys.) ; Jing, M. (Beijing, Inst. High Energy Phys. ; Beijing, GUCAS) ; Liang, Z. (Beijing, Inst. High Energy Phys.) et al.
We report on the results of a radiation campaign with neutrons and protons of Low Gain Avalanche Detectors (LGAD) produced by Hamamatsu (HPK) as prototypes for the High-Granularity Timing Detector (HGTD) in ATLAS. Sensors with an active thickness of 50~$\mu$m were irradiated in steps of roughly 2$\times$ up to a fluence of $3\times10^{15}~\mathrm{n_{eq}cm^{-2}}$. [...]
arXiv:2004.13895.- 2020-11-01 - 15 p. - Published in : Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., A 979 (2020) 164382 Fulltext: PDF;
In : 12th international "Hiroshima" Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors (HSTD), Hiroshima, Japan, 14 - 18 Dec 2019, pp.164382
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
3.
Layout and Performance of HPK Prototype LGAD Sensors for the High-Granularity Timing Detector / Yang, X. (CUST, SKLPDE) ; Alderweireldt, S. (CERN) ; Atanov, N. (BITP, Kiev ; Dubna, JINR) ; Ayoub, M.K. (Beijing, Inst. High Energy Phys.) ; Barreiro Guimarães da Costa, J. (Beijing, Inst. High Energy Phys.) ; Castillo García, L. (Barcelona, IFAE) ; Chen, H. (CUST, SKLPDE) ; Christie, S. (UC, Santa Cruz, Inst. Part. Phys.) ; Cindro, V. (Stefan Inst., Ljubljana) ; Cui, H. (Beijing, Inst. High Energy Phys. ; Beijing, GUCAS) et al.
The High-Granularity Timing Detector is a detector proposed for the ATLAS Phase II upgrade. The detector, based on the Low-Gain Avalanche Detector (LGAD) technology will cover the pseudo-rapidity region of $2.4<|\eta|<4.0$ with two end caps on each side and a total area of 6.4 $m^2$. [...]
arXiv:2003.14071.- 2020-11-11 - 17 p. - Published in : Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., A 980 (2020) 164379 Fulltext: PDF;
In : 12th international "Hiroshima" Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors (HSTD), Hiroshima, Japan, 14 - 18 Dec 2019, pp.164379
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
4.
Experimental Study of Acceptor Removal in UFSD / Sadrozinski, H. F.-W. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Jin, Y. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Ren, H. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Christie, S. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Galloway, Z. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Gee, C. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Labitan, C. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Lockerby, M. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Martinez-McKinney, F. (SCIPP, UC Santa Cruz) ; Mazza, S. M. (SCIPP, UC Santa Cruz) et al.
The performance of the Ultra-Fast Silicon Detectors (UFSD) after irradiation with neutrons and protons is compromised by the removal of acceptors in the thin layer below the junction responsible for the gain. This effect is tested both with capacitance – voltage, C-V, measurements of the doping concentration and with measurements of charge collection, CC, using charged particles. [...]
AIDA-2020-PUB-2020-006.- Geneva : CERN, 2020 - Published in : Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., A 983 (2020) 164611 Fulltext: PDF;
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები

გნებავთ შეტყობინების მიღება, ამ კითხვაზე ახალი პასუხების შემთხვევაში?
დააყენეთ პირადი ელფოსტის შეტყობინება ან ჩაეწერეთ RSS ფიდზე.
ვერ იპოვნეთ რასაც ეძებდით? სცადეთ თქვენი ძებნა სხვა სერვერებზე:
Christie, S. ში Amazon
Christie, S. ში CERN EDMS
Christie, S. ში CERN Intranet
Christie, S. ში CiteSeer
Christie, S. ში Google Books
Christie, S. ში Google Scholar
Christie, S. ში Google Web
Christie, S. ში IEC		Christie, S. ში IHS
Christie, S. ში INSPIRE
Christie, S. ში ISO
Christie, S. ში KISS Books/Journals
Christie, S. ში KISS Preprints
Christie, S. ში NEBIS
Christie, S. ში SLAC Library Catalog
Christie, S. ში Scirus