JSM21834STR4A 700V集成自举高侧同低侧反驱动芯片
在电子元器件的快速发展进程中，芯片的更新换代日新月异。对于众多工程师和电子产品制造商而言，寻找性能更优、更适配需求的芯片，是提升产品竞争力的关键。今天，我们将深入探讨一款极具潜力的芯片 ——JSM21834，它正以卓越的表现，成为 IRS21834 的理想替代者。
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行而不止，不负期待！京北通宇闪耀NEAS CHINA 2025，第十四届上海国际新能源汽车技术与生态链博览会圆满落幕
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行而不止，不负期待！京北通宇闪耀NEAS CHINA 2025，第十四届上海国际新能源汽车技术与生态链博览会圆满落幕
行而不止，不负期待！京北通宇闪耀NEAS CHINA 2025，第十四届上海国际新能源汽车技术与生态链博览会圆满落幕2025-08-19 94 -
LN1152 High Speed Low Dropout Middle Current Voltage Regulators
The LN1152 series are highly precise, low noise, positive voltage LDO regulators manufactured using CMOS processes. The series achieves high ripple rejection and low dropout and consists of a standard voltage source, an error correction, current limiter and a phase compensation circuit plus a driver transistor.2025-08-19 100 -
LN1132 低功耗 300mA 低压差 CMOS 电压稳压器
LN1132 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低 通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载 电流保护电路、短路保护电路。此外，因采用 SOT-23-3，SOT89-3 等小型封装，故可高密度安装。2025-08-19 109 -
LN3657 300MHz 低电压单刀双掷模拟开关
N3657 是一款单通道单刀双掷(SPDT)CMOS 模拟开关，适用于语音切换，移动设备等。LN3657 可在 1.8V-5.5V 的电源下工作，工作带宽为 300MHz，最低导通电阻为 4.5Ω。LN3657 可以在一定范围内传输负电平。它的两个开关 之间的导通电阻失配小于 0.3Ω*，在整个导通范围内，内阻变化不超过 2.3Ω*。(*：以上参数均为在 VDD=5.0V 时测得)2025-08-19 110 -
LN3005 超低阻 双通道 单刀双掷 模拟开关
LN3005 是一个双通道单刀双掷模拟开关(SPDT)，适用于通信系统，医疗设备和其它便携式电池供电设备。它采用CMOS 工艺，具有双向，超低阻值，低功耗，低漏电流，高速，高带宽的特点，非常适合电池供电的便携式产品采用。2025-08-19 100 -
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JSM2183STR4A 700V集成自举高侧同低侧反驱动芯片
在工业控制、家电变频、电机驱动的世界里，功率驱动芯片就像 “神经中枢”，决定着整个系统的稳定性、效率与安全性。长期以来，IR2183 作为经典的高低侧驱动芯片，在市场中占据重要地位。但随着技术迭代与应用需求升级，一款更具性能优势的替代方案已悄然崛起 ——JSM2183STR 4A700V 集成自举高侧同低侧反驱动芯片。今天，我们就来深入解析这款国产芯片如何凭借两大核心优势，成为 IR2183 的理想替代者，为工程师们的设计之路降本增效。2025-08-18 46
