recid:2777060 - ძიების შედეგები

ძებნა კოლექციები:

დახარისხება:	შედეგების ჩვენება:	გამავალი ფორმატი:

CERN Document Server	1 ჩანაწერია ნაპოვნი	ძიებას დასჭირდა 0.75 წამი.

Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors / Borghello, Giulio (CERN) ; Faccio, Federico (CERN) ; Termo, Gennaro (CERN) ; Michelis, Stefano (CERN) ; Costanzo, Sebastiano (CERN) ; Koch, Henri D (CERN) ; Fleetwood, Daniel M (Vanderbilt U.)
MOS transistors in 65-nm CMOS technology exposed to ultrahigh total ionizing dose (TID) levels show clear evidence of a true dose-rate (DR) dependence. In order to assess the impact of this effect and to understand its origin, an extensive measurement campaign has been carried out at different DRs, different temperatures, and different biases. [...]
2021 - 8 p. - Published in : IEEE Trans. Nucl. Sci. 68 (2021) 573-580

დეტალური ჩანაწერი

გნებავთ შეტყობინების მიღება, ამ კითხვაზე ახალი პასუხების შემთხვევაში?
დააყენეთ პირადი ელფოსტის შეტყობინება ან ჩაეწერეთ RSS ფიდზე.

ვერ იპოვნეთ რასაც ეძებდით? სცადეთ თქვენი ძებნა სხვა სერვერებზე:
recid:2777060 ში Amazon recid:2777060 ში CERN EDMS recid:2777060 ში CERN Intranet recid:2777060 ში CiteSeer recid:2777060 ში Google Books recid:2777060 ში Google Scholar recid:2777060 ში Google Web recid:2777060 ში IEC	recid:2777060 ში IHS recid:2777060 ში INSPIRE recid:2777060 ში ISO recid:2777060 ში KISS Books/Journals recid:2777060 ში KISS Preprints recid:2777060 ში NEBIS recid:2777060 ში SLAC Library Catalog

CERN Document Server

Access articles, reports and multimedia content in HEP

Main menu

		ძებნის მინიშნებანი გაფართოებული ძებნა
Add to Search +

CERN Accelerating science