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Investigation of nitrogen enriched silicon for particle detectors / Hönig, J C (Freiburg U.) ; Baselga, M (DESY) ; Vignali, M Centis (CERN) ; Diehl, L (Freiburg U.) ; Dierlamm, A (Karlsruhe U.) ; Fretwurst, E (Hamburg U.) ; Kaminski, P (Warsaw, Inst. Electron. Mat. Tech.) ; Moll, M (CERN) ; Moos, F (Freiburg U.) ; Mori, R (Freiburg U.) et al.
This article explores the viability of nitrogen enriched silicon for particle physics application. For that purpose silicon diodes and strip sensors were produced using high resistivity float zone silicon, diffusion oxygenated float zone silicon, nitrogen enriched float zone silicon and magnetic Czochralski silicon. [...]
2020 - 13 p. - Published in : JINST 15 (2020) P05006 Fulltext: PDF;

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