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Characterisation of a large area silicon photomultiplier / Nagai, A. (Geneva U.) ; Alispach, C. (Geneva U.) ; Barbano, A. (Geneva U.) ; Coco, V. (CERN) ; della Volpe, D. (Geneva U.) ; Heller, M. (Geneva U.) ; Montaruli, T. (Geneva U.) ; Njoh, S. (Geneva U.) ; Renier, Y. (Geneva U.) ; Troyano-Pujadas, I. (Geneva U.)
This work illustrates and compares some methods to measure the most relevant parameters of silicon photo-multipliers (\sipm{}s), such as photon detection efficiency as a function of over-voltage and wavelength, dark count rate, optical cross-talk, afterpulse probability. For the measurement of the breakdown voltage, $V_{BD}$, several methods using the current-voltage $IV$ curve are compared, such as the "IV Model", the "relative logarithmic derivative", the "inverse logarithmic derivative", the "second logarithmic derivative", and the "third derivative" models [...]
arXiv:1810.02275.- 2019-12-21 - 15 p. - Published in : Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., A 948 (2019) 162796

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