Memorie cu acces aleator: Diferență între versiuni
m →NVRAM |
m Se revine automat asupra unei modificări distructive (scor revertrisk.multilingual: 0.9886580306407865). Greșit? Raportați aici. Etichetă: Revenire |
||
(Nu s-au afișat 26 de versiuni intermediare efectuate de alți 15 utilizatori) | |||
Linia 39: | Linia 39: | ||
*2007: este produs [[DDR3 SDRAM]] |
*2007: este produs [[DDR3 SDRAM]] |
||
*2014: apare [[DDR4 SDRAM]] |
*2014: apare [[DDR4 SDRAM]] |
||
*2018: [[SK Hynix]] a produs primele [[DDR5 SDRAM]] de 16 Gb <ref>[https://www.skhynix.com/eng/about/history2010.jsp ABOUT US - History] skhynix.com</ref>. Samsung a anunțat disponibilitatea DDR5 LPDDR5 (pentru [[smartphone]]) până la sfârșitul anului 2019. <ref>[https://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-production-of-industrys-first-12gb-lpddr5-mobile-dram-for-premium-smartphones Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones] news.samsung.com</ref> <ref>[https://www.computerhope.com/history/memory.htm Computer memory history] computerhope.com, 04/02/2019 </ref> |
*2018: [[SK Hynix]] a produs primele [[DDR5 SDRAM]] de 16 Gb <ref>[https://www.skhynix.com/eng/about/history2010.jsp ABOUT US - History] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210517040328/https://www.skhynix.com/eng/about/history2010.jsp |date=2021-05-17 }} skhynix.com</ref>. Samsung a anunțat disponibilitatea DDR5 LPDDR5 (pentru [[smartphone]]) până la sfârșitul anului 2019. <ref>[https://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-production-of-industrys-first-12gb-lpddr5-mobile-dram-for-premium-smartphones Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones] news.samsung.com</ref> <ref>[https://www.computerhope.com/history/memory.htm Computer memory history] computerhope.com, 04/02/2019 </ref> |
||
{| class="wikitable" |
|||
!'''Tip RAM''' |
|||
!'''Acronim''' |
|||
!'''An de lansare''' |
|||
!'''Viteză de transfer''' |
|||
!'''Voltaj''' |
|||
!'''Număr de pini''' |
|||
!'''Utilizare''' |
|||
|- |
|||
|Static RAM |
|||
|SRAM |
|||
|1960s-1970s |
|||
|Până la 10 ns |
|||
|3.3V-5V |
|||
|Variază |
|||
|Buffere cache CPU, registre interne |
|||
|- |
|||
|Dynamic RAM |
|||
|DRAM |
|||
|1970s |
|||
|Până la 120 ns |
|||
|5V |
|||
|30-72 |
|||
|Memorie principală PC-uri timpurii |
|||
|- |
|||
|Fast Page Mode DRAM |
|||
|FPM DRAM |
|||
|1987 |
|||
|50-70 ns |
|||
|5V |
|||
|30-72 |
|||
|PC-uri din anii 1980-1990 |
|||
|- |
|||
|Extended Data Out DRAM |
|||
|EDO DRAM |
|||
|1994 |
|||
|50 ns |
|||
|5V |
|||
|72 |
|||
|PC-uri din anii 1990 |
|||
|- |
|||
|Synchronous DRAM |
|||
|SDRAM |
|||
|1993 |
|||
|66 MHz - 133 MHz |
|||
|3.3V |
|||
|168 |
|||
|PC-uri, servere (anii 1990-2000) |
|||
|- |
|||
|Double Data Rate SDRAM |
|||
|DDR SDRAM |
|||
|2000 |
|||
|200-400 MHz (DDR-200 până la DDR-400) |
|||
|2.5V |
|||
|184 |
|||
|PC-uri, servere (anii 2000) |
|||
|- |
|||
|DDR2 SDRAM |
|||
|DDR2 |
|||
|2003 |
|||
|400-1066 MHz (DDR2-400 până la DDR2-1066) |
|||
|1.8V |
|||
|240 |
|||
|PC-uri, servere (anii 2000) |
|||
|- |
|||
|DDR3 SDRAM |
|||
|DDR3 |
|||
|2007 |
|||
|800-2133 MHz (DDR3-800 până la DDR3-2133) |
|||
|1.5V |
|||
|240 |
|||
|PC-uri, servere (anii 2010) |
|||
|- |
|||
|DDR4 SDRAM |
|||
|DDR4 |
|||
|2014 |
|||
|1600-3200 MHz (DDR4-1600 până la DDR4-3200) |
|||
|1.2V |
|||
|288 |
|||
|PC-uri, servere, stații de lucru |
|||
|- |
|||
|DDR5 SDRAM |
|||
|DDR5 |
|||
|2020 |
|||
|3200-6400 MHz (DDR5-3200 până la DDR5-6400) |
|||
|1.1V |
|||
|288 |
|||
|PC-uri, servere, stații de lucru |
|||
|- |
|||
|Graphics DDR |
|||
|GDDR |
|||
|1998 (GDDR) |
|||
|1-20+ Gbps |
|||
|1.5V-1.35V |
|||
|Variază |
|||
|Plăci video, console de jocuri |
|||
|- |
|||
|LPDDR (Low Power DDR) |
|||
|LPDDR |
|||
|2009 (LPDDR2) |
|||
|Variază (LPDDR2 la LPDDR5) |
|||
|1.2V-1.05V |
|||
|Variază |
|||
|Dispozitive mobile, laptopuri |
|||
|} |
|||
==== Care sunt beneficiile adaugării unei memorii RAM ? ==== |
|||
Adăugarea de memorie RAM aduce numeroase beneficii, inclusiv îmbunătățirea performanței generale a sistemului și a multitasking-ului, reducerea timpilor de încărcare pentru aplicații și fișiere mari, și o experiență de joc mai fluidă. Mai multă RAM permite rularea mai eficientă a aplicațiilor de productivitate și editare media, precum și a mașinilor virtuale și mediilor de dezvoltare. Aceasta reduce dependența de memoria virtuală, îmbunătățește stabilitatea sistemului și prelungeste durata de viață a unui sistem mai vechi, permițând rularea eficientă a software-urilor moderne și gestionarea unor sarcini mai complexe.<ref>{{Citat web|url=https://www.depanarelaptop.ro/upgrade-memorie-laptop-calculator/|titlu=Upgrade Memorie RAM Laptop/Calculator|accessdate=2024-09-04|limbă=ro-RO}}</ref> |
|||
==Caracteristici== |
==Caracteristici== |
||
Linia 67: | Linia 175: | ||
*'''Error correcting code''' (ECC) - această facilitate presupune circuite suplimentare implementate în modulul de memorie și permite detectarea și corectarea erorilor ce pot apărea pe parcursul utilizării. În general, atât timp cât memoria nu este supusă unor situații anormale de funcționare (frecvență, tensiune de alimentare sau temperatură în afara specificațiilor), ea oferă o stabilitate (siguranță) extrem de apropiată de perfecțiune, arhisuficientă pentru un calculator obișnuit. |
*'''Error correcting code''' (ECC) - această facilitate presupune circuite suplimentare implementate în modulul de memorie și permite detectarea și corectarea erorilor ce pot apărea pe parcursul utilizării. În general, atât timp cât memoria nu este supusă unor situații anormale de funcționare (frecvență, tensiune de alimentare sau temperatură în afara specificațiilor), ea oferă o stabilitate (siguranță) extrem de apropiată de perfecțiune, arhisuficientă pentru un calculator obișnuit. |
||
*'''Registered''' (Buffered) - un buffer este o zonă de memorie intermediară (memorie tampon) suplimentară care depozitează informația înainte să fie transmisă controlerului, permițând verificarea riguroasă a acesteia. Memoriile de tip ''buffered'' sunt mai lente și extrem de scumpe, folosirea lor fiind justificată doar în cazurile speciale când corectitudinea informațiilor prelucrate și stabilitatea sistemului este esențială, de exemplu în cazul [[server]]elor.<ref>[https://pclaptop.ro/caracteristicile-memoriei-ram/ Caracteristicile memoriei RAM] pclaptop.ro</ref><ref>[http://tet.pub.ro/pages/Microprocesoare2/MP_CAP_04.pdf Memoria] tet.pub.ro</ref><ref>[http://users.utcluj.ro/~baruch/ac/curs/Unitatea-memorie.pdf 8. Unitatea de memorie] users.utcluj.ro</ref> |
*'''Registered''' (Buffered) - un buffer este o zonă de memorie intermediară (memorie tampon) suplimentară care depozitează informația înainte să fie transmisă controlerului, permițând verificarea riguroasă a acesteia. Memoriile de tip ''buffered'' sunt mai lente și extrem de scumpe, folosirea lor fiind justificată doar în cazurile speciale când corectitudinea informațiilor prelucrate și stabilitatea sistemului este esențială, de exemplu în cazul [[server]]elor.<ref>[https://pclaptop.ro/caracteristicile-memoriei-ram/ Caracteristicile memoriei RAM] pclaptop.ro</ref><ref>[http://tet.pub.ro/pages/Microprocesoare2/MP_CAP_04.pdf Memoria] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20191112174609/http://tet.pub.ro/pages/Microprocesoare2/MP_CAP_04.pdf |date=2019-11-12 }} tet.pub.ro</ref><ref>[http://users.utcluj.ro/~baruch/ac/curs/Unitatea-memorie.pdf 8. Unitatea de memorie] users.utcluj.ro</ref> |
||
==Organizarea internă a memoriei RAM== |
==Organizarea internă a memoriei RAM== |
||
Linia 124: | Linia 232: | ||
{{Articol principal|DDR SDRAM}} |
{{Articol principal|DDR SDRAM}} |
||
De asemenea, au fost concepute mai multe tipuri de memorie și pentru [[placă grafică|plăcile grafice]], printre care ''Video RAM'' ([[VRAM]]), ''Windows RAM'' ([[WRAM]]), ''Synchronous Graphics RAM'' (SGRAM) în domeniul [[Programe de grafică 3D|graficii 3D]] și ''[[GDDR SDRAM]]'' (GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5, GDDR5X, GDDR6), [[HBM]], acestea fiind variante de DRAM optimizate drept memorie [[video]].<ref>[https://www.pchouse.ro/blog/despre-memoria-ram/ Despre memoria RAM] pchouse.ro</ref><ref>[https://www.rose-hulman.edu/Class/ee/yoder/ece332/Papers/RAM%20Technologies.pdf RAM Defined - Rose-Hulman] rose-hulman.edu</ref> |
De asemenea, au fost concepute mai multe tipuri de memorie și pentru [[placă grafică|plăcile grafice]], printre care ''Video RAM'' ([[VRAM]]), ''Windows RAM'' ([[WRAM]]), ''Synchronous Graphics RAM'' (SGRAM) în domeniul [[Programe de grafică 3D|graficii 3D]] și ''[[GDDR SDRAM]]'' (GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5, GDDR5X, GDDR6), [[HBM]], acestea fiind variante de DRAM optimizate drept memorie [[video]].<ref>[https://www.pchouse.ro/blog/despre-memoria-ram/ Despre memoria RAM] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20191113062122/https://www.pchouse.ro/blog/despre-memoria-ram/ |date=2019-11-13 }} pchouse.ro</ref><ref>[https://www.rose-hulman.edu/Class/ee/yoder/ece332/Papers/RAM%20Technologies.pdf RAM Defined - Rose-Hulman] rose-hulman.edu</ref> |
||
{{Articol principal|GDDR SDRAM}} |
{{Articol principal|GDDR SDRAM}} |
||
Linia 170: | Linia 278: | ||
==Alte tehnologii RAM== |
==Alte tehnologii RAM== |
||
Tehnologiile viitoare includ câteva tipuri noi de memorie RAM precum [[Z-RAM]] (Zero-capacitor Random Access Memory), [[T-RAM]] (Thyristor RAM), [[TTRAM]] (Twin-transistor Random Access Memory), [[A-RAM]] (Advanced-Random Access Memory) și ETA-RAM. Acestea oferă o nouă abordare pentru construcția dinamică a celulelor de memorie care are nevoie doar de un tranzistor pentru a stoca date pe 1 bit și pentru a oferi viteze echivalente cu memoria RAM statică. |
Tehnologiile viitoare includ câteva tipuri noi de memorie RAM precum [[Z-RAM]] (Zero-capacitor Random Access Memory), [[T-RAM]] (Thyristor RAM), [[TTRAM]] (Twin-transistor Random Access Memory), [[A-RAM]] (Advanced-Random Access Memory) și ETA-RAM. Acestea oferă o nouă abordare pentru construcția dinamică a celulelor de memorie care are nevoie doar de un tranzistor (1T-DRAM) pentru a stoca date pe 1 bit și pentru a oferi viteze echivalente cu memoria RAM statică. |
||
===NVRAM=== |
===NVRAM=== |
||
'''Non-volatile random-access memory''' ('''NVRAM''') este o memorie cu acces aleatoriu care păstrează informațiile atunci când este oprită alimentarea cu energie. |
'''Non-volatile random-access memory''' ('''NVRAM''') este o memorie cu acces aleatoriu care păstrează informațiile atunci când este oprită alimentarea cu energie. |
||
Tehnologii de memorie NVRAM emergente cum ar fi [[NVRAM#MRAM|MRAM]] (Magnetic Random-Access Memory), [[STT-RAM]] (Spin-transfer Torque Random-access Memory), [[FeRAM]] |
Tehnologii de memorie NVRAM emergente cum ar fi [[NVRAM#MRAM|MRAM]] (Magnetic Random-Access Memory), [[NVRAM#MRAM|STT-RAM]] (Spin-transfer Torque Random-access Memory), [[NVRAM#FeRAM|FeRAM]] |
||
(Ferroelectric Random-access Memory), [[PCM]] (Phase-change Memory), și [[RRAM]] (Resistive Random-access Memory) combină memoria statică SRAM, memoria dinamică DRAM și nevolatilitatea [[memorie flash|memoriei flash]].<ref>[https://wccftech.com/history-ram-trip-memory-lane/ The History of RAM: A Trip down Memory Lane] wccftech.com, Uzair Sajid, Sep. 24, 2009</ref><ref>[https://himadri.cmsdu.org/documents/Advances_Computer_Memory.pdf Advances in Computer Random Access Memory] himadri.cmsdu.org</ref> |
(Ferroelectric Random-access Memory), [[PCM]] (Phase-change Memory), și [[NVRAM#RRAM|RRAM]] (Resistive Random-access Memory) combină memoria statică SRAM, memoria dinamică DRAM și nevolatilitatea [[memorie flash|memoriei flash]].<ref>[https://wccftech.com/history-ram-trip-memory-lane/ The History of RAM: A Trip down Memory Lane] wccftech.com, Uzair Sajid, Sep. 24, 2009</ref><ref>[https://himadri.cmsdu.org/documents/Advances_Computer_Memory.pdf Advances in Computer Random Access Memory] himadri.cmsdu.org</ref><ref>[https://nanoscalereslett.springeropen.com/articles/10.1186/1556-276X-9-526 Overview of emerging nonvolatile memory technologies] nanoscalereslett.springeropen.com, Jagan Singh Meena, Simon Min Sze, Umesh Chand & Tseung-Yuen Tseng, Published: 25 September 2014</ref> |
||
{{Articol principal|NVRAM}} |
{{Articol principal|NVRAM}} |
||
Linia 207: | Linia 315: | ||
{{Tipuri de memorii RAM}} |
{{Tipuri de memorii RAM}} |
||
{{Tipuri de memorii}} |
{{Tipuri de memorii}} |
||
{{Control de autoritate}} |
|||
{{Informații bibliotecare}} |
|||
[[Categorie:Memorii]] |
[[Categorie:Memorii]] |
Versiunea curentă din 20 septembrie 2024 11:27
Acest articol are nevoie de atenția unui expert în domeniu. Recrutați unul sau, dacă sunteți în măsură, ajutați chiar dumneavoastră la îmbunătățirea articolului! |
Acest articol sau această secțiune are bibliografia incompletă sau inexistentă. Puteți contribui prin adăugarea de referințe în vederea susținerii bibliografice a afirmațiilor pe care le conține. |
Memoria cu acces aleator sau memoria RAM (engleză: Random Access Memory, abreviat RAM) este denumirea generică pentru orice tip de memorie de calculator care:
- poate fi accesată aleator, oferind acces direct la orice locație sau adresă a ei, în orice ordine, chiar și la întâmplare,
- se implementează de obicei pe cipuri (circuite integrate) electronice rapide și fără părți în mișcare (și nu pe dispozitive magnetice sau optice precum discurile dure sau CD-urile).
Memoria RAM se mai numește și memorie vie. Memoria RAM de obicei mai poate fi exprimată ca o memorie secundară a unui sistem informatic sau alte dispozitive și poate influenta performanta unui sistem de calcul crescându-i-se viteza și performanțele sale în timp real. Timpul de acces la datele din astfel de memorii este de obicei întotdeauna același, nedepinzând de poziția adresei de memorie accesate (deci nu ca la benzile sau discurile magnetice, care necesită un timp variabil). Fiecare locație de memorare dintr-o memorie cu acces aleator are un mecanism separat de adresare și poate fi accesată independent de celelalte locații. Deci, fiecare locație poate fi selectată aleator și accesată direct. Memoriile principale semiconductoare sunt în general de acest tip.
Memoria RAM este o memorie volatilă a calculatorului pentru că datele stocate sunt pierdute în momentul opririi calculatorului. Datele sunt scrise, șterse și scrise din nou, rezultând un ciclu de scriere-ștergere determinat de necesitățile programelor care rulează într-un anumit moment. Există și memorii RAM nevolatile, ca de exemplu ROM și flash. Avantajul memoriei RAM față de alte medii de stocare a datelor constă în viteza de acces extrem de mare, fiind de mii de ori mai mare decât de exemplu cea a unui un disc dur. Dar și prețul pe gigabyte este de circa 200 ori mai mare.
Scurt istoric
[modificare | modificare sursă]Prima formă practică de memorie cu acces aleator a fost un brevet al lui Frederic Calland Williams pentru un dispozitiv de stocare cu tub catodic la 11 decembrie 1946. Dispozitivul a devenit ulterior cunoscut drept tubul Williams. Tubul a stocat doar 128 cuvinte de 40 de biți.
Anul următor, Frederick Viehe depune o serie de brevete referitoare la memorie cu ferite. Aceasta funcționează prin utilizarea inelelor și a firelor metalice minuscule care se conectează la fiecare inel. Un bit de date putea fi stocat pe inel și accesat în orice moment. Au mai contribuit la dezvoltarea memoriei cu ferite An Wang, Ken Olsen și Jay Forrester.
O memorie statică bipolară cu acces aleatoriu (SRAM) integrat a fost inventată de Robert H. Norman la Fairchild Semiconductor în 1963. A fost urmată de dezvoltarea memoriei semiconductoare MOS SRAM de John Schmidt la Fairchild în 1964. Utilizarea comercială a SRAM a început în 1965, când IBM a introdus cipul de memorie de 16-bit SP95 pentru System/360 Model 95.
O dată cu invenția lui Robert Dennard a primei celule DRAM cu un tranzistor în 1968, DRAM va deveni cipul de memorie standard pentru computerele personale care înlocuiește memoria cu ferite.
- 1969: Intel a lansat primul său produs, memoria bipolară 3101 Schottky TTL cu 64 de biți cu acces aleatoriu (SRAM). În același an, Intel a lansat memoria RAM bipolară 3301 Schipky de 1024 biți de citire (ROM).
- 1970: Intel produce Intel 1103, primul modul cip DRAM disponibil comercial, capabil să stocheze 1024 biți sau 1 kb memorie, folosind celule cu trei tranzistori.
- 1983: Laboratoarele Wang au creat modulul de memorie SIMM.
- 1984: Fujio Masuoka de la Toshiba a inventat memoria flash.
- 1993: Samsung a introdus KM48SL2000 SDRAM cu o capacitate de 16 Mb, care a devenit rapid un standard și produs în masă în 1993
- 1998: Primul cip comercial de memorie DDR SDRAM a fost produs de Samsung, DDR SDRAM de 64 Mb. În același an, GDDR (grafic DDR), a fost lansat pentru prima dată tot de Samsung ca un cip de memorie de 16 Mb.
- 2003: DDR2 SDRAM și XDR DRAM încep să fie comercializate.
- 2007: este produs DDR3 SDRAM
- 2014: apare DDR4 SDRAM
- 2018: SK Hynix a produs primele DDR5 SDRAM de 16 Gb [1]. Samsung a anunțat disponibilitatea DDR5 LPDDR5 (pentru smartphone) până la sfârșitul anului 2019. [2] [3]
Tip RAM | Acronim | An de lansare | Viteză de transfer | Voltaj | Număr de pini | Utilizare |
---|---|---|---|---|---|---|
Static RAM | SRAM | 1960s-1970s | Până la 10 ns | 3.3V-5V | Variază | Buffere cache CPU, registre interne |
Dynamic RAM | DRAM | 1970s | Până la 120 ns | 5V | 30-72 | Memorie principală PC-uri timpurii |
Fast Page Mode DRAM | FPM DRAM | 1987 | 50-70 ns | 5V | 30-72 | PC-uri din anii 1980-1990 |
Extended Data Out DRAM | EDO DRAM | 1994 | 50 ns | 5V | 72 | PC-uri din anii 1990 |
Synchronous DRAM | SDRAM | 1993 | 66 MHz - 133 MHz | 3.3V | 168 | PC-uri, servere (anii 1990-2000) |
Double Data Rate SDRAM | DDR SDRAM | 2000 | 200-400 MHz (DDR-200 până la DDR-400) | 2.5V | 184 | PC-uri, servere (anii 2000) |
DDR2 SDRAM | DDR2 | 2003 | 400-1066 MHz (DDR2-400 până la DDR2-1066) | 1.8V | 240 | PC-uri, servere (anii 2000) |
DDR3 SDRAM | DDR3 | 2007 | 800-2133 MHz (DDR3-800 până la DDR3-2133) | 1.5V | 240 | PC-uri, servere (anii 2010) |
DDR4 SDRAM | DDR4 | 2014 | 1600-3200 MHz (DDR4-1600 până la DDR4-3200) | 1.2V | 288 | PC-uri, servere, stații de lucru |
DDR5 SDRAM | DDR5 | 2020 | 3200-6400 MHz (DDR5-3200 până la DDR5-6400) | 1.1V | 288 | PC-uri, servere, stații de lucru |
Graphics DDR | GDDR | 1998 (GDDR) | 1-20+ Gbps | 1.5V-1.35V | Variază | Plăci video, console de jocuri |
LPDDR (Low Power DDR) | LPDDR | 2009 (LPDDR2) | Variază (LPDDR2 la LPDDR5) | 1.2V-1.05V | Variază | Dispozitive mobile, laptopuri |
Care sunt beneficiile adaugării unei memorii RAM ?
[modificare | modificare sursă]Adăugarea de memorie RAM aduce numeroase beneficii, inclusiv îmbunătățirea performanței generale a sistemului și a multitasking-ului, reducerea timpilor de încărcare pentru aplicații și fișiere mari, și o experiență de joc mai fluidă. Mai multă RAM permite rularea mai eficientă a aplicațiilor de productivitate și editare media, precum și a mașinilor virtuale și mediilor de dezvoltare. Aceasta reduce dependența de memoria virtuală, îmbunătățește stabilitatea sistemului și prelungeste durata de viață a unui sistem mai vechi, permițând rularea eficientă a software-urilor moderne și gestionarea unor sarcini mai complexe.[4]
Caracteristici
[modificare | modificare sursă]Memoriile RAM diferă între ele prin mai multe caracteristici:
- Capacitatea - sunt produse într-o serie tipică de valori: 256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, 4 GB, 8GB, 16 GB, indiferent de tipul sau modelul constructiv.
- Numărul de pini - cele mai vechi module de memorie RAM, SRAM, aveau 168 pini, iar modelele DDR au: 184 pini (DDR1), 240 pini (DDR2, DDR3), 288 pini (DDR4, DDR5).
- Frecvența și tensiunea de alimentare - memoria RAM este măsurată în câte cicluri pe secundă poate efectua, fiecare citire și scriere se face pe un ciclu. Cu cât sunt mai multe cicluri pe secundă, cu atât mai multe date pot fi stocate și citite: DDR3 (800-2666,6 MHz și 1,5 V), DDR4 (1600-3200 MHz și 1,2 V), DDR5 (4800-6400 MHz și 1,1 V).
- Rata de transfer și lărgimea de bandă - rata de transfer este cantitatea maximă de informații care poate fi transferată în sau din memorie în unitatea de timp și este măsurata în biți pe secundă sau cuvinte pe secundă. Lărgimea de bandă este dată în megatransfer (MT/s) sau gigatransfer (GT/s).
- Latența - timpii de latență ("latency timings"), au un impact major asupra performanței. Se scriu ca o înșiruire de 4 valori (de ex. 3-4-4-8 , 4-4-4-12 , 5-5-5-15, etc.). Aceste valori semnifică în ordine :
- CAS Latency (Latență CAS) – este timpul scurs între momentul când controlerul memoriei solicită informațiile stocate pe o coloană a unui rând și momentul când acestea sunt disponibile la pinii modulului; cu cât această latență este mai mică, cu atât datele sunt disponibile mai repede.
- Ras-to-CAS Delay (întârzierea RAS la CAS) – timpul dintre activarea unui rând, cu ajutorul semnalului RAS (Row Address Strobe) și activarea coloanei, cu ajutorul semnalului CAS, la intersecția cărora se găsește informația solicitată.
- RAS Precharge (timpul de preîncărcare RAS) – timpul necesar pentru terminarea accesului la un rând și începerea accesării altui rând.
- Active to Precharge Delay (întârziere de la Activare la Preîncărcare) – reprezintă timpul minim cât rămâne activat semnalul RAS, adică timpul de la inițierea activării rândului și sfârșitul accesării rândului (RAS Precharge). Este valoarea cea mai mare, întrucât este mai mare decât suma timpului de accesare a rândului și a coloanei (RAS to CAS + CAS Latency).
Cu cât valorile latențelor sunt mai mici, cu atât modulul de memorie este mai performant (de ex. un modul 3-4-4-8 este mai rapid decât unul 4-4-4-12).
La acești timpi de latență se mai adaugă uneori valoarea 1T sau 2T, numita "Command Rate" (Rată de Comandă) și măsurată în cicli de tact (1 sau 2 cicli). În mod similar un modul cu o valoare 1T este mai bun decât unul cu valoarea 2T.
- Fiabilitatea - este măsurată prin timpul mediu între defecte (MTBF – Mean Time Between Failures). În general, memoriile fără părți în mișcare au o fiabilitate mult mai ridicată decât memoriile care implică o deplasare mecanică, precum discurile magnetice. Chiar și la memoriile fără părți în mișcare apar probleme de fiabilitate, în particular atunci când se utilizează densități de memorare sau rate de transfer foarte ridicate. Codurile detectoare și corectoare de erori pot crește fiabilitatea memoriei.
- Error correcting code (ECC) - această facilitate presupune circuite suplimentare implementate în modulul de memorie și permite detectarea și corectarea erorilor ce pot apărea pe parcursul utilizării. În general, atât timp cât memoria nu este supusă unor situații anormale de funcționare (frecvență, tensiune de alimentare sau temperatură în afara specificațiilor), ea oferă o stabilitate (siguranță) extrem de apropiată de perfecțiune, arhisuficientă pentru un calculator obișnuit.
- Registered (Buffered) - un buffer este o zonă de memorie intermediară (memorie tampon) suplimentară care depozitează informația înainte să fie transmisă controlerului, permițând verificarea riguroasă a acesteia. Memoriile de tip buffered sunt mai lente și extrem de scumpe, folosirea lor fiind justificată doar în cazurile speciale când corectitudinea informațiilor prelucrate și stabilitatea sistemului este esențială, de exemplu în cazul serverelor.[5][6][7]
Organizarea internă a memoriei RAM
[modificare | modificare sursă]Memoria RAM este constituită fizic din elemente care prezintă două stări stabile, reprezentate convențional prin simbolurile 0 și 1 denumite biți sau cifre binare. Aceste elemente sunt constituite din milioane de perechi de tranzistori și condensatori. Rolul condensatorilor este de a reține sarcina electrică, iar al tranzistorului acela de a încărca cu sarcină electrică condensatorul. Aceste perechi de condensatori și tranzistori sunt dispuse sub formă de coloane și rânduri formând o matrice. Prin construcție, accesul la memorie se realizează la nivelul unui grup de biți denumit celulă sau locație de memorie. Celulele de memorie sunt grupate în locații de 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 de biți. Fiecărei locații de memorie îi este asociată o adresă, care identifică în mod unic aceea locație. La un moment dat o singură locație poate fi activă și conectată la magistrala de date și anume cea corespunzătoare adresei ce se află în acel moment pe magistrala de adrese. Numărul de biți care se poate memora într-o locație de memorie reprezintă lungimea cuvântului de memorie. Numărul total de locații de memorie reprezintă capacitatea memoriei și se exprimă în octeți.
Din punct de vedere logic, în memoria RAM există mai multe tipuri de zone de memorie:
- Memoria convențională - este formată din primii 640 Kb ai memoriei calculatorului, fiind zona în care se execută toate programele care rulează sub sistemul de operare MS-DOS.
- Memoria superioară - este formată din următorii 384 Kb, rămași disponibili până la 1Mb. Această zonă de memorie este împărțită în felul următor: primii 128 Kb sunt rezervați pentru a fi utilizați de adaptoarele video pentru memorarea informației afișate pe ecran, următorii 128 Kb sunt pentru a fi folosiți de diferite adaptoare ce se pot conecta la sistem cum ar fi placa video, placa de rețea, etc, și ultimii 128 Kb sunt rezervați pentru a fi utilizați de componenta BIOS a sistemului.
- Memoria extinsă - este cuprinsă între 1 Mb și 4 Gb, aceasta poate fi accesată doar dacă procesorul lucrează în mod protejat.
- Memoria expandată - aceasta nu poate fi accesată direct de către procesor, ci prin intermediul unei ferestre de 64 Kb stabilită în zona de memorie superioară. Acest tip de memorie este împarțit din punct de vedere logic în segmente de 64 Kb care sunt comutate în această fereastră.[8]
Clasificare
[modificare | modificare sursă]Dupa modul de functionare, există două tipuri principale de RAM:
- Memorie statică, Static RAM (SRAM)
- Memorie dinamică, Dynamic RAM (DRAM),
diferențele constând în stabilitatea informațiilor.
Memorie SRAM
[modificare | modificare sursă]Memoria statică păstrează datele pentru o perioadă de timp nelimitată, până în momentul în care ea este rescrisă, asemănător memorării pe un mediu magnetic. Memoriile SRAM pot fi bipolare sau de tip MOS. Memoria de tip SRAM este folosită cel mai adesea ca memorie intermediară cache, în bufferele hard disk-urilor, și routerelor. Avantajele memoriei SRAM sunt utilitatea crescută datorită modului de funcționare și viteza foarte mare, iar ca dezavantaj prețul mult peste DRAM.
Memorie DRAM
[modificare | modificare sursă]Memoria dinamică necesită rescrierea periodică permanentă la fiecare câteva fracțiuni de secundă, (tipic 2 ms), chiar dacă se menține tensiunea de alimentare, altfel informațiile se pierd. DRAM-ul este utilizat în PC-urile moderne, în primul rând ca memorie principală „de lucru”.
Avantajul memoriei DRAM este simplitatea structurii: doar un tranzistor și un condensator sunt necesare pe bit, spre deosebire de memoria SRAM care necesită șase tranzistoare.
Tipurile uzuale de DRAM folosite de-a lungul istoriei informaticii, toate concepute în scopul creșterii performanței DRAM-ului standard:
- Fast Page Mode DRAM (FPM DRAM)
- Extended Data Out DRAM (EDO DRAM)
- Burst EDO DRAM (BEDO RAM)
- Syncronous DRAM SDRAM ("Synchronous Dynamic Random Access Memory") - este sincronă cu ciclul de tact al magistralei principale a calculatorului ("front side bus" - FSB), transferul de date se face o singură dată pe ciclu de tact. Memoria SDRAM este cea folosită în prezent în calculatoarele personale.
- Rambus DRAM (RDRAM) - utilizată pe Nintendo 64 și PlayStation 2, împreună cu unele modele timpurii de Pentium 4.
- XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) - succesorul acesteia, este utilizată în PlayStation 3.
- SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)
- Double Data Rate SDRAM (DDR SDRAM) și variantele:
- DDR2 SDRAM
- DDR3 SDRAM
- DDR4 SDRAM
- DDR5 SDRAM
- DDR6 SDRAM
- LPDDR pentru dispozitive mobile.
De asemenea, au fost concepute mai multe tipuri de memorie și pentru plăcile grafice, printre care Video RAM (VRAM), Windows RAM (WRAM), Synchronous Graphics RAM (SGRAM) în domeniul graficii 3D și GDDR SDRAM (GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5, GDDR5X, GDDR6), HBM, acestea fiind variante de DRAM optimizate drept memorie video.[9][10]
Modele constructive ale modulelor RAM
[modificare | modificare sursă]Memoria RAM se prezintă ca o placă mică (modul sau factor de formă) pe care se află mai multe cipuri de memorie, și care se fixează într-un locaș special numit slot de memorie. Pe placa de bază se găsesc mai multe sloturi (2-4) pentru module RAM, având capacități diferite. Modulele au un sistem integrat care permite identificarea lor prin intermediul protocolului de comunicare Serial Presence Detect (SPD).
Modulele de memorie RAM sunt în principal două dimensiuni: DIMM (Dual In-Line Memory Module), aflate în computere personale, stații de lucru și servere, și SO-DIMM (Small Outline DIMM), pentru laptop, notebook, routere și alte dispozitive cu factor de formă mic.
Responsabil pentru dezvoltarea, și verificarea standardelor de module de memorie, incluzând diverse tipuri de DIMM, și SODIMM, este JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) JC-45 pentru module de memorie. [11]
- DIP (Dual In-line Package), pachet dublu în linie sau pachet cu pin dublu în linie - modulul este de forma unei carcase dreptunghiulare cu două rânduri paralele de pini electrici de conectare. Poate fi montat prin orificiu pe o placă de circuit imprimat (PCB) sau introdus într-o priză. Carcasele DIP au fost utilizate pe scară largă în industria microelectronică în anii 1970 și 1980.
- SIPP (Single In-line Pin Package) - are un total de 30 de pini de-a lungul marginii circuitului, care se potrivesc în sloturile de conectare ale plăcii de bază și oferă 8 biți pe modul. SIPP a fost utilizat în sistemele Intel 80286 și 80386 fiind înlocuit cu SIMM, mai ușor de instalat.
- RIMM (Rambus In-line Memory Module) - module produse de Rambus care utilizează o tehnologie numită RDRAM, la mijlocul anilor '90. Modulele RIMM au 184 de pini pe 16 biți și, datorită frecvențelor de lucru ridicate, necesită difuzoare de căldură constând dintr-o placă metalică care acoperă jetoanele modulului. Modulele RIMM au fost prezente doar în primele serii Pentium 4, sunt acum utilizate în stații de lucru și servere de înaltă performanță.
- SIMM (Single In-line Memory Module) - după perioada de început, când cipurile de memorie se fixau direct în placa de bază, primul model răspândit a fost (SIMM) pe 30 pini, urmat de cel pe 72 pini. Modulul SIMM prezintă o lățime de bandă de 8 biți pentru prima versiune, și de 32 biți pentru cea de-a doua; dimensiunea fizică pe 30 de pini este de două ori mai mică decât în cazul celeilalte variante. Diferențele de viteză dintre ele corespund perfect evoluției procesoarelor: dacă prima versiune era uzuală pe timpul procesoarelor Intel 80286 și 80386, SIMM pe 72 de pini a stat la baza generației Intel 80486, Pentium și Pentium Pro. Cipurile folosite au fost de tip DRAM, FPM și, mai târziu, EDO DRAM.
- DIMM (Dual In-line Memory Module) - urmașul lui SIMM, oferă o lățime de bandă de 64 biți, dublă față de SIMM pe 72 pini, având la bază dual-channel intern. Numărul de pini a fost de 168 sau de 184, în funcție de tip: SDRAM sau DDR SDRAM. A existat și un număr limitat de modele de DIMM bazate pe EDO DRAM, dar ele nu au avut succes pentru că trecerea de la SIMM la DIMM a coincis cu cea de la EDO la SDRAM.
- SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) - versiune compactă a modulelor de DIMM utilizate în laptopuri, PDA-uri și sisteme all-in-one. SO-DIMM-urile dețin un număr diferit de pini: 100 și 144 pentru SDRAM și 200, 204 și 260 pentru DDR SDRAM. [12]
- MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - Mai mici decât un SO-DIMM, modulele MicroDIMM sunt disponibile în 144 pini SDRAM și 172 pini DDR, și utilizate în principal în subnotebook.[13]
Arhitectura de realizare a memoriilor RAM
[modificare | modificare sursă]Pentru ca viteza de transfer de date a memoriei RAM să crească, plăcile de bază actuale sunt prevăzute cu mai multe sloturi prin care modulele să comunice prin mai multe canale simultan pentru a accesa o bancă de memorie combinată. Acest regim de lucru al memoriei RAM poartă denumirea de arhitectură multi-channel.
Există controlere de memorie construite cu un canal, două canale, patru canale, șase canale și opt canale. Arhitectura cu șase și opt canale este de obicei concepută pentru servere. [14]
Producători de module RAM
[modificare | modificare sursă]- Samsung (45,7 %)
- SK Hynix (28,7 %)
- Micron Technology (20,5 %)
- Nanya (2,7 %)
- Winbond (1,0 %)
- Powerchip (0,6 %).[15]
Alte tehnologii RAM
[modificare | modificare sursă]Tehnologiile viitoare includ câteva tipuri noi de memorie RAM precum Z-RAM (Zero-capacitor Random Access Memory), T-RAM (Thyristor RAM), TTRAM (Twin-transistor Random Access Memory), A-RAM (Advanced-Random Access Memory) și ETA-RAM. Acestea oferă o nouă abordare pentru construcția dinamică a celulelor de memorie care are nevoie doar de un tranzistor (1T-DRAM) pentru a stoca date pe 1 bit și pentru a oferi viteze echivalente cu memoria RAM statică.
NVRAM
[modificare | modificare sursă]Non-volatile random-access memory (NVRAM) este o memorie cu acces aleatoriu care păstrează informațiile atunci când este oprită alimentarea cu energie.
Tehnologii de memorie NVRAM emergente cum ar fi MRAM (Magnetic Random-Access Memory), STT-RAM (Spin-transfer Torque Random-access Memory), FeRAM (Ferroelectric Random-access Memory), PCM (Phase-change Memory), și RRAM (Resistive Random-access Memory) combină memoria statică SRAM, memoria dinamică DRAM și nevolatilitatea memoriei flash.[16][17][18]
Vezi și
[modificare | modificare sursă]- Acces direct
- Circuit imprimat
- Circuit integrat
- Double data rate
- High Bandwidth Memory
- Hybrid Memory Cube
- Memorie DRAM
- Memorie ROM
- Memorie cache
- Placă de bază
- VRAM
Referințe și note
[modificare | modificare sursă]- ^ ABOUT US - History Arhivat în , la Wayback Machine. skhynix.com
- ^ Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones news.samsung.com
- ^ Computer memory history computerhope.com, 04/02/2019
- ^ „Upgrade Memorie RAM Laptop/Calculator”. Accesat în .
- ^ Caracteristicile memoriei RAM pclaptop.ro
- ^ Memoria Arhivat în , la Wayback Machine. tet.pub.ro
- ^ 8. Unitatea de memorie users.utcluj.ro
- ^ MEMORIA scritub.com
- ^ Despre memoria RAM Arhivat în , la Wayback Machine. pchouse.ro
- ^ RAM Defined - Rose-Hulman rose-hulman.edu
- ^ JEDEC Committee: JC-45 DRAM Modules jedec.org
- ^ Memory Module Types oempcworld.com
- ^ MICRO-DIMM mouser.com
- ^ Arhitectura de realizare a memoriilor RAM pclaptop.ro
- ^ DRAM chip market share by manufacturer worldwide from 2011 to 2019 (Q2-2019) statista.com
- ^ The History of RAM: A Trip down Memory Lane wccftech.com, Uzair Sajid, Sep. 24, 2009
- ^ Advances in Computer Random Access Memory himadri.cmsdu.org
- ^ Overview of emerging nonvolatile memory technologies nanoscalereslett.springeropen.com, Jagan Singh Meena, Simon Min Sze, Umesh Chand & Tseung-Yuen Tseng, Published: 25 September 2014
Legături externe
[modificare | modificare sursă]- Ce este memoria RAM?
- RAM HISTORY & EVOLUTION
- A Quick and Dirty Guide to RAM: What You Need to Know
- What You Need to Know about RAM Speeds – Is Faster RAM Worth It?
- How RAM Works
- The Best Memory Makers
Bibliografie
[modificare | modificare sursă]
|
|