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1.541 Titel < 1990
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1. Beroual, A.: AC and Lightning Impulse Breakdown Voltages of Natural Ester Based Fullerene Nanofluids. -
New York: IEEE, 2021
In: IEEE transactions on dielectrics and electrical insulation. (2021) S. 1996-2003, ISSN 1070-9878
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2. Hu, Zhuangzhuang: Beveled Fluoride Plasma Treatment for Vertical \beta -Ga2O3 Schottky Barrier Diode With High Reverse Blocking Voltage and Low Turn-On Voltage: IEEE, 2020
In: IEEE electron device letters. (2020) S. 441-444, ISSN 0741-3106
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3. Peppas, Georgios D: Statistical investigation of AC breakdown voltage of nanofluids compared with mineral and natural ester oil: The Institution of Engineering and Technology, 2016. - 9 S.
In: IET science, measurement & technology. (2016) S. 644-652, ISSN 1751-8822
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4. Liu, Jingcun: 1.2-kV Vertical GaN Fin-JFETs: High-Temperature Characteristics and Avalanche Capability. -
New York: IEEE, 2021
In: IEEE transactions on electron devices. (2021) S. 2025-2032, ISSN 0018-9383
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5. Banerjee, Krishnarjun: Role of B-site disorder in the properties of lead-free Na0.5Bi0.5(Mg1/3Nb2/3)O3 ceramic: A possible electrocaloric material with low leakage current: Elsevier Ltd, 2022
In: The Journal of physics and chemistry of solids. (2022) S. 110579, ISSN 0022-3697
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6. Fal, Jacek: Nanofluids in the Service of High Voltage Transformers: Breakdown Properties of Transformer Oils with Nanoparticles, a Review. -
Basel: MDPI AG, 2018
In: Energies (Basel). (2018) S. 2942, ISSN 1996-1073
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7. Hu, Zongyang: Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage >1 kV: IEEE, 2018
In: IEEE electron device letters. (2018) S. 869-872, ISSN 0741-3106
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8. Zhang, Wentong: Novel Superjunction LDMOS (>950 V) With a Thin Layer SOI: IEEE, 2017
In: IEEE electron device letters. (2017) S. 1555-1558, ISSN 0741-3106
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9. Kadim, Emran Jawad: Surfactants Effects on Enhancing Electrical Performance of Nanoparticle-based Mineral Transformer Oil: IEEE, 2023
In: IEEE transactions on dielectrics and electrical insulation. (2023) S. 1-1, ISSN 1070-9878
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10. Arbutina, Dalibor: Influence of the shape, number, position and dimensions of conductive particles within inter-electrode gap on dc and pulse breakdown voltage value of SF6 and N2 mixture: Elsevier Ltd, 2019
In: International journal of electrical power & energy systems. (2019) S. 436-442, ISSN 0142-0615
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11. Sharma, Shivam: Field-Plated Lateral Ga2O3 MOSFETs With Polymer Passivation and 8.03 kV Breakdown Voltage. -
New York: IEEE, 2020
In: IEEE electron device letters. (2020) S. 836-839, ISSN 0741-3106
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12. Zheng, Yumeng: High performance Bi–Co–Mn–Si–B-doped ZnO varistors with wide ranging breakdown voltage and high resistance to electrical degradation, 2024
In: Journal of the European Ceramic Society. (2024) S. 116667, ISSN 0955-2219
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13. Jiancheng Yang: High Breakdown Voltage (−201) \beta -Ga2O3 Schottky Rectifiers: IEEE, 2017
In: IEEE electron device letters. (2017) S. 906-909, ISSN 0741-3106
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14. Rebollo, José: Edge Terminations for 4H-SiC Power Devices: A Critical Issue: Trans Tech Publications Ltd, 2022
In: Materials science forum. (2022) S. 570-575, ISSN 0255-5476
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15. Tarauni, Yusuf U.: Characterization and optimization of MIS-HEMTs device of high~k dielectric material on quaternary barrier of Al0.42ln0.03Ga0.55N/UID-AIN/GaN/GaN heterostructure for high power switching application: Elsevier B.V, 2019
In: Applied surface science. (2019) S. 427-433, ISSN 0169-4332
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16. Sima, Wenxia: Breakdown characteristics of oil-impregnated paper and influential factors for damped alternating oscillation waveforms. -
New York: IEEE, 2016
In: IEEE transactions on dielectrics and electrical insulation. (2016) S. 2079-2087, ISSN 1070-9878
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17. Li, Yanjun: Effect of temperature on structural evolution and breakdown electrical characteristics of bituminous coal subjected to plasma breakage: Elsevier Ltd, 2022
In: Fuel (Guildford). (2022) S. 125346, ISSN 0016-2361
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18. Lee, Hyun-Su: A Power-Efficient Resonant Current Mode Receiver With Wide Input Range Over Breakdown Voltages Using Automated Maximum Efficiency Control: IEEE, 2022
In: IEEE transactions on power electronics. (2022) S. 8738-8750, ISSN 0885-8993
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19. Ohta, Hiroshi: Vertical GaN p-n Junction Diodes With High Breakdown Voltages Over 4 kV. -
New York: IEEE, 2015
In: IEEE electron device letters. (2015) S. 1180-1182, ISSN 0741-3106
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20. Khalaf, Thamir H.: Townsend Discharge and Streamer Breakdown within Sphere-Air-Sphere Configuration, 2023
In: Iraqi journal of science. (2023) S. 4446-4454, ISSN 0067-2904
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