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Diferencia entre revisiones de «John Bardeen»

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== Investigaciones científicas ==
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En 1945 empezó a trabajar en los [[Laboratorios Bell]] de [[Nueva Jersey]] realizando investigaciones científicas alrededor de los [[semiconductor]]es.
En 1945 empezó a trabajar en los [[Laboratorios Bell]] de [[Nueva Jersey]] realizando investigaciones científicas alrededor de los [[semiconductor]]es.
[[William Shockley]] y [[Walter Houser Brattain]] habían intentado construir un nuevo tipo de [[amplificador]] diferente de los de [[válvula termoiónica|válvulas termoiónicas]], basándose en las investigaciones sobre semiconductores de Shockley. Lo intentaron con [[óxido de cobre]] sin éxito. Bardeen logró construir junto con Brattain el dispositivo con [[germanio]] el 4 de julio de 1951, culminando así el desarrollo del [[transistor]].<ref>{{cita web |url= https://revistapesquisa.fapesp.br/es/el-dominio-de-la-electronica-2/ |título=El dominio de la electrónica |fechaacceso=24 de enero de 2021 |apellido= Marcolin |nombre=Neldson |fecha= Septiembre de 2008 |número =151|sitioweb=Revista Pesquisa |idioma= |cita= }}</ref> A pesar de esto, Shockley postulaba que el mérito debía ser únicamente suyo puesto que fue suya la idea original. Bardeen se enfadó mucho y Brattain le gritó: ''¡Demonios, Shockley, en esto hay suficiente gloria para todos!''.
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Bardeen logró construir junto con Brattain el dispositivo con [[germanio]] el 4 de julio de 1951, culminando así el desarrollo del [[transistor]]. A pesar de esto, Shockley postulaba que el mérito debía ser únicamente suyo puesto que fue suya la idea original. Bardeen se enfadó mucho y Brattain le gritó: ''¡Demonios, Shockley, en esto hay suficiente gloria para todos!''.


Finalmente, en 1956 los tres físicos estadounidenses fueron galardonados con el [[Anexo:Premio Nobel de Física|Premio Nobel de Física]] por su investigación en semiconductores y por el descubrimiento del efecto transistor. La primera aplicación de estos dispositivos se hizo en los [[audífono]]s.
Finalmente, en 1956 los tres físicos estadounidenses fueron galardonados con el [[Anexo:Premio Nobel de Física|Premio Nobel de Física]] por su investigación en semiconductores y por el descubrimiento del efecto transistor. La primera aplicación de estos dispositivos se hizo en los [[audífono]]s.

Revisión del 23:38 24 ene 2021

John Bardeen
Información personal
Nacimiento 23 de mayo de 1908
Madison (Estados Unidos)
Fallecimiento 30 de enero de 1991 (82 años)
Boston (Estados Unidos)
Causa de muerte Infarto agudo de miocardio Ver y modificar los datos en Wikidata
Sepultura Forest Hill Cemetery Ver y modificar los datos en Wikidata
Residencia Madison Ver y modificar los datos en Wikidata
Nacionalidad Estadounidense
Familia
Padre Charles Russell Bardeen Ver y modificar los datos en Wikidata
Cónyuge Jane Maxwell (desde 1938) Ver y modificar los datos en Wikidata
Hijos James Maxwell Bardeen Ver y modificar los datos en Wikidata
Educación
Educado en Universidad de Wisconsin-Madison
Supervisor doctoral Eugene Wigner
Alumno de Eugene Paul Wigner Ver y modificar los datos en Wikidata
Información profesional
Área Física
Cargos ocupados Catedrático Ver y modificar los datos en Wikidata
Empleador
Estudiantes doctorales John Robert Schrieffer
Miembro de
Distinciones Premio Nobel de Física en 1956 y 1972
[editar datos en Wikidata]

John Bardeen (Madison, 23 de mayo de 1908-Boston, 30 de enero de 1991)[1]​ fue un ingeniero eléctrico y físico estadounidense galardonado con los Premios Nobel de Física de los años 1956 y 1972,[1]​ convirtiéndose junto a Marie Curie, Linus Pauling y Frederick Sanger en las únicas personas galardonadas dos veces con el Premio Nobel.[nota 1]​

Biografía

Placa conmemorativa en Bardeen Quad, en la Universidad de Illinois en Urbana Champaign.

Su padre fue fundador y profesor de la Escuela de Medicina de la Universidad de Wisconsin.

Se interesó en las matemáticas de muy pequeño, e inició sus estudios de ingeniería eléctrica en la Universidad de Wisconsin-Madison en 1923, finalizando sus estudios en 1928. Influido por su mentor John Hasbrouck van Vleck también recibió influencias de Paul Dirac, Werner Heisenberg y Arnold Sommerfeld. Amplió sus estudios en física y matemáticas en la Universidad de Princeton licenciándose en 1936.[2]​

En 1938 inició su tarea docente universitaria como profesor auxiliar en la Universidad de Minnesota. Después de participar en la Segunda Guerra Mundial como responsable del laboratorio naval de artillería, en 1943 fue invitado a participar en el Proyecto Manhattan pero rechazó la invitación.

Bardeen murió en Boston víctima de un fallo cardíaco en 1991.

Investigaciones científicas

En 1945 empezó a trabajar en los Laboratorios Bell de Nueva Jersey realizando investigaciones científicas alrededor de los semiconductores. William Shockley y Walter Houser Brattain habían intentado construir un nuevo tipo de amplificador diferente de los de válvulas termoiónicas, basándose en las investigaciones sobre semiconductores de Shockley. Lo intentaron con óxido de cobre sin éxito. Bardeen logró construir junto con Brattain el dispositivo con germanio el 4 de julio de 1951, culminando así el desarrollo del transistor.[3]​ A pesar de esto, Shockley postulaba que el mérito debía ser únicamente suyo puesto que fue suya la idea original. Bardeen se enfadó mucho y Brattain le gritó: ¡Demonios, Shockley, en esto hay suficiente gloria para todos!.

Finalmente, en 1956 los tres físicos estadounidenses fueron galardonados con el Premio Nobel de Física por su investigación en semiconductores y por el descubrimiento del efecto transistor. La primera aplicación de estos dispositivos se hizo en los audífonos.

En 1951 Bardeen ingresó en la Universidad de Illinois, nombrando al físico Nick Holonyak como asistente personal, el cual posteriormente diseñaría el primer Diodo LED en 1962.

Trabajó junto a Leon N. Cooper y John Robert Schrieffer para crear la teoría estándar de la superconductividad, lo que posteriormente se denominaría Teoría BCS. Por este trabajo los tres físicos fueron galardonados en 1972 con el Premio Nobel de Física.

Bardeen se convirtió así en el primer físico, y hasta el momento el único, en conseguir dos veces este Premio Nobel.[4]​

Literatura

  • Bernhard Kupfer. Lexikon der Nobelpreisträger. Patmos-Verlag, Düsseldorf 2001, ISBN 3-491-72451-1
  • Peter Neulen. Brockhaus, Nobelpreise: Chronik herausragender Leistungen. Brockhaus, Mannheim/Leipzig 2004, ISBN 3-7653-0492-1

Véase también

Notas y referencias

  1. ↑ a b «John Bardeen Biographical». Nobel Price (en inglés). Consultado el 24 de enero de 2021. 
  2. ↑ «BARDEEN, John (1908-1991)». Historia de las Telecomunicaciones. Consultado el 24 de enero de 2021. 
  3. ↑ Marcolin, Neldson (Septiembre de 2008). «El dominio de la electrónica». Revista Pesquisa (151). Consultado el 24 de enero de 2021. 
  4. ↑ Una distinción compartida con Marie Curie, ganadora del Premio Nobel de Física en 1903 y el Premio Nobel de Química de 1911; Linus Carl Pauling, ganador del Premio Nobel de Química en 1954 y el Premio Nobel de la Paz en 1962; y Frederick Sanger, ganador del Premio Nobel de Química en dos ocasiones en 1958 y 1980.
  1. ↑ Aunque Marie Curie y Linus Pauling recibieron premios Nobel en distintas categorías, Frederik Sanger lo recibió en ambas ocasiones en la categoría Nobel de Química y John Bardeen en ambas ocasiones en la categoría Nobel de Física.

Enlaces externos

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