Spring til indhold

Memristor

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Memristor symbol.

I elektronik er memristoren et passivt kredsløbselement. Memristoren er blevet beskrevet som det fjerde elementære passive kredsløbselement, på linje med de velkendte kondensator, modstand og spole. [1] Navnet memristor er en portmanteau af memory resistorhukommelse og modstand.

En memristor gemmer i princippet information, fordi dens resistans ændrer værdi som funktion af den passerede ladning regnet med fortegn.[2] Den typiske lineare modstand har en stabil resistans uafhængig af strømmens størrelse og også stabil i forhold til den passerede mængde ladning. En memristor kan have en høj resistans hvilken kan vælges at fortolkes som "1" i data termer – og en lav resistans kan fortolkes som "0". Som en følge af den valgte fortolkning kan data blive gemt og genskrevet ved at styre strømmen. På en måde er en memristor en variabel modstand som via dens modstand afspejler sin egen historiske passerede strøm.[2]

Memristoren blev forudsagt og beskrevet i 1971 af Leon Chua ved UC Berkeley, i en artikel i IEEE Transactions on Circuit Theory. [3]

I 37 år var memristoren et hypotetiskt element, uden kendte fysiske realiseringer. I april 2008 blev det rapporteret i Nature, at en fysisk implementation af en memristor var blevet lavet af et team af forskere ved HP Labs. [4][5][6][7]

Memristoren er et element i hvilken den magnetisk flux er en funktion af den akkumulerede elektriske ladning q (i komponenten passerede). Fluxens afledede mht. ladningen

  • Memristans:

er kendt som memristans. Dette er sammenligneligt med de andre tre fundamentale kredsløbselementer:

  • Resistans:
  • Induktans:
  • Kapacitans:

Her er:

Ved at anvende Faradays induktionslov og kædereglen til ligningen som definerer memristans, får man at spændingen V over en memristor er relateret til strømmen I af den øjeblikkelige værdi af memristansen:

Så til et hvilketsomhelst tidspunkt opfører memristoren sig som en almindelig modstand. Men, dens "resistans" M(q) er en værdi som afhænger af den passerede ladning i komponenten. En linear memristor (én for hvilken M er konstant) ville opføre sig som en linear modstand, med M = R. Memristans kan siges af afhænge af strømmen som funktion af tiden på sammen måde som kondensatorers spænding gør.

Anvendelse: Modellere elektrokemisk celle

[redigér | rediger kildetekst]

Memristoren blev anvendt til at karakterisere opførselen af elektrokemiske celler. [8]

Interessen i memristoren blev genoplivet i 2007 da en eksperimentiel faststof version blev rapporteret [9][10] af Stanley Williams [11] ved Hewlett-Packard. En faststof komponent kunne ikke realiseres indtil nanoteknologi frembragte usædvanlige opførsler. HP lavede en prototype af en crossbar latch hukommelse som kan have en tæthed på 100 gigabit per cm². [12] Den højeste Flashhukommelse-tæthed kan til sammenligning gemme 16 gigabit per cm². Memristorens resistans aflæses med vekselstrøm så den gemte digitale værdi ikke ændres. [13]

Samsung har afleveret et U.S. patent anvendelse til bedømmelse, med en memristor som ligner den beskrevet af Williams. Så det er uklart om Williams gruppe er den første. [14]

I 2024 rapporterede Universitat Autonoma de Barcelona, at de har lavet en memristor, som kan fungere som en switch helt op til 120 GHz. Memristoren er lavet af hexagonal-BN og er forbundet via to flade guldelektroder.[15][16]

Potentielle anvendelser

[redigér | rediger kildetekst]

Williams faststof memristorer kan sammensættes til transistorer, men være meget mindre end transistorer. De kan også designes til at være faststof ikke-flygtig hukommelse, som kan opnå højere datatætheder end harddiske med tilgangstider potentielt som svarer til dynamisk rams. [17] HP har rapporteret at deres version af memristoren er omkring 10 gange langsommere end DRAM. [18]

Nolge patenter relateret til memristoren ser ud til at omfatte anvendelser indenfor programmerbar logik, [19] signalbehandling, [20] kunstige neurale netværk, [21] og kontrolsystemer. [22]

I defensetechbriefs blev det offentliggjort i 2012 at CMOS-memristorer kan anvendes indenfor: FPGA, DSP, analog elektronik og neurolignende anvendelser. [23]

Kilder/referencer

[redigér | rediger kildetekst]
  1. ^ Tour, James M; He, Tao (2008), "Electronics: The fourth element", Nature, 453: 42-43, doi:10.1038/453042a
  2. ^ a b 16 May 2011, BBC News: Memristors' current carves protected channels Citat: "...Memristors resist the passage of electric current, "remembering" how much current passed previously...The team discovered that the current in the devices flowed in a 100-nanometre channel within the device. The passage of current caused heat deposition, such that the titanium dioxide surrounding the conducting channel actually changed its structure to a non-conducting state...
  3. ^ Chua, Leon O (september 1971), "Memristor—The Missing Circuit Element", IEEE Transactions on Circuit Theory, CT-18 (5): 507-519
  4. ^ Strukov, Dmitri B; Snider, Gregory S; Stewart, Duncan R; Williams, Stanley R (2008), "The missing memristor found", Nature, 453: 80-83, doi:10.1038/nature06932
  5. ^ "'Missing link' memristor created". EETimes. 2008-04-30. Arkiveret fra originalen 5. marts 2012. Hentet 2008-04-30.
  6. ^ Marks, Paul (2008-04-30). "Engineers find 'missing link' of electronics". New Scientist. Arkiveret fra originalen 1. maj 2008. Hentet 2008-04-30.
  7. ^ "Researchers Prove Existence of New Basic Element for Electronic Circuits -- Memristor'". Physorg.com. 2008-04-30. Hentet 2008-04-30.
  8. ^ Chen W-K (ed.), The Circuits and Filters Handbook, 2nd ed, CRC Press 2003, ISBN 0-8493-0912-3. Chapter 12, "Circuit Elements, Modeling, and Equation Formulation"
  9. ^ Fildes, Jonathan (2007-11-13). "Getting More from Moore's Law". BBC. Hentet 2008-04-30.
  10. ^ "Bulletin for Electrical and Electronic Engineers of Oregon" (PDF). Institute of Electrical and Electronics Engineers. september 2007. Hentet 2008-04-30.
  11. ^ "R. Stanley Williams, HP biography". Arkiveret fra originalen 13. maj 2008. Hentet 2. maj 2008.
  12. ^ EETimes.com – 'Missing link' memristor created: Rewrite the textbooks?
  13. ^ Maintaining Moore's law with new memristor circuits
  14. ^ US Patent Application 11/655,193 (Webside ikke længere tilgængelig)
  15. ^ Paywalled: Memristive circuits based on multilayer hexagonal boron nitride for millimetre-wave radiofrequency applications” by Sebastian Pazos, Yaqing Shen, Haoran Zhang, Jordi Verdú, Andrés Fontana, Wenwen Zheng, Yue Yuan, Osamah Alharbi, Yue Ping, Eloi Guerrero, Lluís Acosta, Pedro de Paco, Dimitra Psychogiou, Atif Shamim, Deji Akinwande and Mario Lanza, 1 July 2024, Nature Electronics
  16. ^ High-Frequency, Low-Power: Researchers Develop Switch To Revolutionize 6G Communications. By Universitat Autonoma de Barcelona July 14, 2024
  17. ^ Kanellos, Michael (2008-04-30). "HP makes memory from a once theoretical circuit". CNET News.com. Arkiveret fra originalen 20. februar 2021. Hentet 2008-04-30.
  18. ^ H.P. Reports Big Advance in Memory Chip Design – New York Times
  19. ^ "U.S. Patent 7,203,789". Arkiveret fra originalen 24. september 2015. Hentet 2. maj 2008.
  20. ^ "U.S. Patent 7,302,513". Arkiveret fra originalen 24. september 2015. Hentet 2. maj 2008.
  21. ^ "U.S. Patent 7,359,888". Arkiveret fra originalen 11. januar 2017. Hentet 2. maj 2008.
  22. ^ "U.S. Patent Application 11/976,927". Arkiveret fra originalen 11. januar 2017. Hentet 2. maj 2008.
  23. ^ April 01 2012, Air Force Research Laboratory, Rome, New York: CMOS-Memristor Hybrid Nanoelectronics

Eksterne henvisninger

[redigér | rediger kildetekst]
Wikimedia Commons har medier relateret til: