Author(s)
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Cederwall, B (Royal Inst. Tech., Stockholm) ; Liu, X (Royal Inst. Tech., Stockholm) ; Aktas, Ö (Royal Inst. Tech., Stockholm) ; Ertoprak, A (Royal Inst. Tech., Stockholm ; Istanbul U.) ; Zhang, W (Royal Inst. Tech., Stockholm) ; Qi, C (Royal Inst. Tech., Stockholm) ; Clément, E (GANIL) ; de France, G (GANIL) ; Ralet, D (CSNSM, Orsay) ; Gadea, A (Valencia U., IFIC) ; Goasduff, A (INFN, Legnaro) ; Jaworski, G (INFN, Legnaro ; Warsaw U., Heavy Ion Lab) ; Kuti, I (KLTE-ATOMKI) ; Nyakó, B M (KLTE-ATOMKI) ; Nyberg, J (Uppsala U.) ; Palacz, M (Warsaw U., Heavy Ion Lab) ; Wadsworth, R (York U., England) ; Valiente-Dobón, J J (INFN, Legnaro) ; Al-Azri, H (Rustaq Coll. Educ., Rustaq) ; Ataç Nyberg, A (Royal Inst. Tech., Stockholm) ; Bäck, T (Royal Inst. Tech., Stockholm) ; de Angelis, G (INFN, Legnaro) ; Doncel, M (Royal Inst. Tech., Stockholm ; Liverpool U.) ; Dudouet, J (Lyon, IPN) ; Gottardo, A (CSNSM, Orsay) ; Jurado, M (Valencia U., IFIC) ; Ljungvall, J (CSNSM, Orsay) ; Mengoni, D (INFN, Legnaro) ; Napoli, D R (INFN, Legnaro) ; Petrache, C M (CSNSM, Orsay) ; Sohler, D (KLTE-ATOMKI) ; Timár, J (KLTE-ATOMKI) ; Barrientos, D (CERN) ; Bednarczyk, P (Cracow, INP) ; Benzoni, G (INFN, Milan) ; Birkenbach, B (Cologne U.) ; Boston, A J (Liverpool U.) ; Boston, H C (Liverpool U.) ; Burrows, I (Daresbury) ; Charles, L (Strasbourg, IPHC) ; Ciemala, M (Cracow, INP) ; Crespi, F C L (Milan U. ; INFN, Milan) ; Cullen, D M (Manchester U.) ; Désesquelles, P (CSNSM, Orsay) ; Domingo-Pardo, C (Valencia U., IFIC) ; Eberth, J (Cologne U.) ; Erduran, N (Istanbul U.) ; Ertürk, S (Nigde U.) ; González, V (Valencia U., Dept. Ing. Electronica) ; Goupil, J (GANIL) ; Hess, H (Cologne U.) ; Huyuk, T (Valencia U., IFIC) ; Jungclaus, A (Madrid, Inst. Estructura Materia) ; Korten, W (IRFU, Saclay) ; Lemasson, A (GANIL) ; Leoni, S (Milan U. ; INFN, Milan) ; Maj, A (Cracow, INP) ; Menegazzo, R (INFN, Padua) ; Million, B (INFN, Milan) ; Perez-Vidal, R M (Valencia U., IFIC) ; Podolyak, Zs (Surrey U.) ; Pullia, A (Milan U. ; INFN, Milan) ; Recchia, F (Padua U. ; INFN, Padua) ; Reiter, P (Cologne U.) ; Saillant, F (GANIL) ; Salsac, M D (IRFU, Saclay) ; Sanchis, E (Valencia U., Dept. Ing. Electronica) ; Simpson, J (Daresbury) ; Stezowski, O (Lyon, IPN) ; Theisen, Ch (IRFU, Saclay) ; Zielińska, M (IRFU, Saclay) |