発表・掲載日：2012/11/28 カーボンナノチューブとリポソームからなる分子伝送システム「ナノ電車」 －分子を最短ルートで運び、目的位置で降ろす－ ポイント 分子伝送システム「ナノ電車」により、電圧をかけることで目的位置まで正確に到達 レーザー光照射によりリポソームが内包する分子を放出 予防医療用の高性能マイクロ流体デバイスへの応用に期待 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）健康工学研究部門【研究部門長 吉田 康一】ストレスシグナル研究グループ 都 英次郎 研究員らは、公立大学法人 大阪府立大学【理事長・学長 奥野 武俊】大学院工学研究科【研究科長 池田 良穂】河野 健司 教授らと協力して、光によって発熱可能なカーボンナノチューブ(CNT)と特定の温度で内包分子を放出する温度感受性リポソームを組み合せて、電圧をかけることによって目的位置まで正確
特性ばらつきの主原因である物性ばらつきが少ない金属ゲート電極材料を開発 これまで報告された中で最小の特性ばらつき1.34 mVµmを達成 14 nm世代以降の集積回路の性能と歩留まりの向上、消費電力低減を進める上の課題を解決 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】シリコンナノデバイスグループ 松川 貴 主任研究員、昌原 明植 研究グループ長らは、特性ばらつきが世界最小の14 nm世代立体型トランジスタ(フィンFET)を試作した（図1左）。 フィンFETの特性ばらつきの主な原因は、金属ゲート電極材料の物性ばらつきである。今回、物性ばらつきが少ない非晶質の金属ゲート電極材料を開発し、特性ばらつきが世界最小のフィンFETを試作した。14 nm世代以降のSRAM（Static Random Access
仕事関数（しごとかんすう、英: work function）は、物質表面において、表面から1個の電子を無限遠まで取り出すのに必要な最小エネルギーのこと。 電子が N + 1 個ある表面系の基底状態の全エネルギー（場合により自由エネルギー）を Etot(N + 1)とする。 表面上の空間は真空であるとすると、系全体のエネルギーはEtot(N + 1)である。 ここで、この表面系から電子を1個無限遠方まで取り出し、電子がN 個になったときを考える。 N個の電子からなる表面系の基底状態の全エネルギーを Etot(N) とし、無限遠方にある電子状態を真空準位 V(∞)とすると、系全体としてはEtot(N) + V(∞) となる。 よって仕事関数 W は、次のように書ける。 化学ポテンシャルをμとすると、N が十分大きければ、であるため、次のように表せる。 温度が絶対零度 (T = 0 K) なら、
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