GaAsに添加されたMnの濃度が0.9%より小さいときは、正孔の波(波動関数)はMn原子によって乱され、Mn濃度の増加によって正孔の波の乱れはより大きくなる。しかし、Mn濃度が0.9%以上になり半導体が強磁性への相転移を起こすと、正孔の波の散乱が強く抑えられ、波のコヒーレンスが増大し、秩序が回復することが今回明らかになった 東京大学(東大)は6月29日、磁性をもつ原子を半導体中に加えて強磁性にすることにより、伝搬する電子の散乱が抑えられ秩序が回復する特異な現象を観測したと発表した。 同成果は、東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 宗田伊理也特任研究員(研究当時、現在は東京工業大学工学院 助教)、大矢忍准教授、 田中雅明教授(スピントロニクス連携研究教育センター センター長)らの研究グループによるもので、6月28日付の英国科学誌「Nature Communications」に掲載された。