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三星电子公布了今年第二季度的临时业绩，销售额达到74万亿韩元（人民币约3899.8亿元），营业利润为10.4万亿韩元（人民币约548亿元），与去年同期相比分别上升了23.31%和1452.24%。作为主力业务的存储器芯片业绩恢复势头加速，业绩大幅改善。营业利润达到“惊喜业绩”的级别，比市场预测值的8.3078万亿韩元（人民币约437亿元）高出25.2%。

芯片盈利或超过5万亿韩元（人民币约263.5亿元）

证券业界认为，负责三星电子半导体事业的设备解决方案（DS）部门的营业利润超过5万亿韩元。此前，第一季度DS部门的营业利润为1.91万亿韩元（人民币约100.66亿元），自2022年第四季度以来时隔5个季度成功扭亏为盈。

由于DRAM和NAND的平均销售单价上涨，半导体部门的营业利润大幅增加，开工率上升等原因，显示器业绩得到改善，带动了整体业绩的上升。

Kiwoom证券研究员朴有岳（音）分析称：“存储器价格上涨率超过了预期值，实现了收益性的大幅改善，非存储器部门的营业赤字也有望大幅缩小到4320亿韩元（人民币约22.76亿元）。

下半年的业绩改善或将加速

下半年三星电子的业绩改善趋势应该会加速。因为随着通用DRAM减产的持续，DRAM供应不足的现象很可能在2025年之前的每个季度加剧。此外，英伟达AI加速器搭载的HBM（高带宽存储器）也将通过质量测试。KB证券研究员金东源（音）说：“考虑到HBM产能的扩建和前端工艺的转换等， DRAM的实际产能将仅为2022年第四季度产能的80%。通用DRAM收益性的改善有望主导下半年业绩的改善。

新设HBM开发团队，全力确保AI竞争力

此外，三星电子DS部门本月4日进行了大规模的组织改编，其内容包括新设“HBM开发组”。为了应对人工智能（AI）市场的扩大，三星正在确保半导体领域的超差距竞争力。据悉，新任HBM开发组长由高性能DRAM产品设计专家孙宁洙副社长担任。此次新设的HBM开发团队将专注于开发HBM3和HBM3E以及新一代HBM4技术。

今年2月，三星电子在业界首次将24Gb（千兆）DRAM芯片通过硅通孔（TSV）技术堆叠到12层，实现了业界最大容量36GB（千兆）12层堆叠HBM3E。目前8层和12层HBM3E产品正在英伟达进行质量测试。

在这次组织改编中，先进封装（AVP）开发组和设备技术研究所也进行了重组。对此前AVP事业组进行重组后的AVP开发组直属于全永铉部门长，主旨是先发确保2.5D、3D等新封装技术。