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SK海力士2日表示，将比原计划提前在第三季度量产人工智能（AI）核心芯片“第五代高带宽存储器（HBM）”12层堆叠产品。SK海力士代表郭鲁正当天在京畿道利川总公司举行的记者会上表示：“HBM今年已经sold out（售罄），明年的大部分也已经sold out。12层堆叠产品的样品将在本月内转交至客户公司，我们正在准备第三季度的量产。”

SK海力士在存储芯片领域排名第二，凭借2022年下半年开始的“AI热潮”，SK海力士在AI存储领域排名跃升至第一。在2023年芯片不景气的情况下，海力士凭借HBM缩小了亏损的规模，去年第四季度成功扭亏为盈。今年第一季度在营业利润方面，SK海力士（2.88万亿韩元，人民币约152.64亿元）超越了三星电子（1.91万亿韩元，人民币约101.23亿元）。有评价认为，SK海力士的跃进标志性地表明，在全球芯片市场以AI为中心进行重组的情况下抢占HBM等新一代芯片的重要性。

仅从两年前的2022年第一季度来看，SK海力士的销售额（12.16万亿韩元，人民币约644.48亿元）和营业利润（2.86万亿韩元，人民币约151.58亿元）仅为同期三星电子销售额的一半和营业利润的三分之一。SK海力士表示，目前AI存储器市场的优势绝非偶然。郭鲁正2日在记者会上表示：“HBM技术并不是从天上掉下来的。SK在2012年其他公司因内存芯片不景气而减少大约10%投资时，反而增加了投资，其中”包括当时（未来）不确定的HBM。”

AI芯片的核心HBM

HBM正在成为全球存储芯片的“游戏改变者”。HBM是SK海力士2013年在世界上率先开发出来的。该产品在需要高性能内存的情况下不是侧接DRAM，而是通过垂直堆叠的方式提高了空间效率。此后，随着第五代（HBM3E）的到来，层数提高到了4层、8层、12层，同时随着容量的扩大，速度也越来越快。

三星电子2015年12月比SK海力士更早推出了第二代HBM2，却在此后的速度战中落后。原因是价格昂贵，使用量少，三星电子对开发和量产态度消极。

反转发生在去年。随着聊天GPT引领的AI热潮，用于AI芯片的HBM的需求和身价也水涨船高。SK海力士负责AI基础设施的社长金柱善表示：“随着需要处理的数据量大幅增加，负责信息处理的内存成为决定AI性能的核心因素。”SK海力士于2022年6月向英伟达独家交付了全球首款量产的第四代产品HBM3。业界推算，目前在SK海力士整个销售额中HBM和高容量DRAM、NAND等AI芯片的比率达到20%以上。未来全球AI存储器市场有望进一步扩大。AI存储器在整个存储芯片领域的销售额比例将从去年的5%大幅提升至2028年的61%。

三星电子也紧跟在SK海力士身后，今年2月成功开发出业界最大容量的36GB HBM3E 12层堆叠DRAM就是其中的代表例子。与现有的8层堆叠相比，在AI学习训练中平均速度快了34%。目前英伟达正在进行质量测试，计划今年第二季度进行量产。

还在推进新工厂的计划

SK海力士将于第三季度量产的第五代高带宽存储器（HBM）12层堆叠产品将进入英伟达的新一代AI加速器。有分析认为，当天郭鲁正宣布了“售罄”，表明已经与英伟达签订了合同。

SK海力士还公布了今后将成为新一代芯片生产基地的清州、龙仁、美国印第安纳州工厂的计划。SK海力士决定投资20万亿韩元（人民币约1060亿元）在清州建设的M15X工厂，计划明年11月竣工后，从2026年第三季度开始正式量产新一代DRAM。龙仁芯片集群将作为新一代存储器的开发及生产基地，计划在415万平方米（约126万坪）的厂址上建设4座Fab，首先第一座Fab将于明年3月开始施工，计划2027年5月之前竣工。决定在美国印第安纳州投资5.2万亿韩元（人民币约275.6亿元）建设的封装工厂的目标是2028年量产HBM。