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Forward and Reverse Operation of Enclosed-Gate MOSFETs and Sensitivity to High Total Ionizing Dose / Nikolaou, Aristeidis (Crete, Tech. U.) ; Chevas, Loukas (Crete, Tech. U.) ; Papadopoulou, Alexia (Crete, Tech. U.) ; Makris, Nikolaos (Crete, Tech. U.) ; Bucher, Matthias (Crete, Tech. U.) ; Borghello, Giulio (Udine U.) ; Faccio, Federico (CERN)
Frond-end electronics at the High Luminosity-Large Hadron Collider (HL-LHC) at CERN, will be exposed to ten-fold radiation doses. The use of enclosed gate (EG) MOSFETs of 65 nm Bulk CMOS process, is considered to be a viable solution in order to suppress performance degradation effects that occur after high TID exposure. [...]
IEEE, 2019 - 4 p. - Published in : 10.23919/MIXDES.2019.8787098
In : 26th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and System, Rzeszow, Poland, 27 - 29 Jun 2019, pp.306-309

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